TeOx薄膜を真空蒸着により作製する場合、タングステン(W)ボートを用いる方法が一般的である。ところがこの方法では原料のTeO₂とWが化学反応するため正確な評価が難しい。そこで反応しにくいアルミナ坩堝を用い、TeO₂とW粉末を混合したものを原料に薄膜を作製しWの影響を調べた。するとWを15wt%以上混合させた物はTFT特性を示すが、10wt%以下では絶縁体になりTFTにはならないことがわかった（図1）。XPS測定を行ったところTFT特性を示す薄膜ではTe-Te結合に由来するピークが見られたが、絶縁体のものではそれがほとんど見られなかった（図２）。また、TEM観察とX線回折パターンからアモルファスTeOxの中に金属Te結晶のナノパーティクルが存在することがわかった。またSIMS等の結果からWは薄膜中には存在しないことがわかった。従って原料のTeO₂をWが還元することにより薄膜中の酸素濃度が薄まり、金属Teのナノパーティクルが分散することによりホッピング伝導による電気伝導が起こると考えられる。