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CドープしたInSiOチャネルによるバイアスストレス特性の改善
(Improvement of bias stress reliability by Carbon-doping in In-Si-O channel TFT)

栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志.
2015 IWDTF. 2015.

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    作成時刻 :2017-02-14 11:43:48 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:13:27 +0900

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