CドープしたInSiOチャネルによるバイアスストレス特性の改善
(Improvement of bias stress reliability by Carbon-doping in In-Si-O channel TFT)
2015 IWDTF. 2015年11月02日-2015年11月04日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-14 11:43:48 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:13:27 +0900