HOME > 口頭発表 > 書誌詳細CドープしたInSiOチャネルによるバイアスストレス特性の改善(Improvement of bias stress reliability by Carbon-doping in In-Si-O channel TFT)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 2015 IWDTF. 2015.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:43:48 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:13:27 +0900