プロシーティングスの表示

著者名	Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura.
タイトル	Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress
発表誌名	Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
発表年	2019
言語	English
DOI	10.1109/edtm.2019.8731167
この文献をMendeleyにインポート