Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress

著者	Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura.
発表誌名	Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
発表年	2019
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1109/edtm.2019.8731167
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公開範囲	インターネット公開
作成時刻 / 更新時刻	2019-08-21 03:00:18 +0900 / 2019-08-21 03:01:18 +0900