HOME > 口頭発表 > 書誌詳細High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響(Influence of High-k/ In1-xSixO1-yCy channel interface on transistor characteristics)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦池田 直樹知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-07-08 23:16:57 +0900 更新時刻 :2018-06-05 14:10:35 +0900