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High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響
(Influence of High-k/ In1-xSixO1-yCy channel interface on transistor characteristics)
2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-07-08 23:16:57 +0900Updated at: 2018-06-05 14:10:35 +0900