HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaN/HfSiOxキャパシタの電気特性に対するHfSiOx絶縁膜の膜厚依存性(Thickness dependence of HfSiOx insulator on electrical properties of GaN/HfSiOx capacitor)前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2020.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦池田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-03-07 03:00:25 +0900更新時刻: 2020-03-07 03:00:25 +0900