HOME > Presentation > DetailGaN/HfSiOxキャパシタの電気特性に対するHfSiOx絶縁膜の膜厚依存性(Thickness dependence of HfSiOx insulator on electrical properties of GaN/HfSiOx capacitor)前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会. January 30, 2020-February 01, 2020.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideOHI, AkihikoIKEDA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2020-03-07 03:00:25 +0900 Updated at: 2020-03-07 03:00:25 +0900