HOME > 口頭発表 > 書誌詳細high-k CMOSへ向けてPE-ALD法で作製したAl2O3, TiO2及びAlTiOx膜の電気特性(Electrical properties of Al2O3, TiO2 and AlTiOx films grown by PE-ALD process for high-k CMOS)生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 12th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2012.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:02:11 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:19:52 +0900