Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated using plasma-enhanced atomic layer deposition and low temperature annealing process
21th Conference of “Insulating Films on Semiconductors”. 2019年06月30日-2019年07月03日.
NIMS著者
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作成時刻: 2019-12-25 03:00:21 +0900 更新時刻: 2019-12-25 03:00:21 +0900