Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application
SSDM2018. 2018年09月09日-2018年09月13日.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-05-10 22:23:53 +0900 更新時刻: 2018-06-05 14:20:06 +0900