HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. 225th ECS Meeting. 2014年05月11日-2014年05月16日.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:22:08 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:45:43 +0900