低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性
(Characteristics of In2O3 films on Al2O3 and SiO2 substrates using low-temperature ALD method)
電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019年01月24日-2019年01月26日.
NIMS著者
_%E5%A5%B3%E5%B1%8B%E5%B4%87.jpg)
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2019-06-07 03:00:21 +0900 更新時刻: 2019-06-07 03:00:21 +0900