SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > Presentation > Detail

低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性
(Characteristics of In2O3 films on Al2O3 and SiO2 substrates using low-temperature ALD method)

Author(s)小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志.
Event name電子デバイス界面テクノロジー研究会
Year of publication2019
LanguageJapanese

▲ Go to the top of this page