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低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性
(Characteristics of In2O3 films on Al2O3 and SiO2 substrates using low-temperature ALD method)
電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2019-06-07 03:00:21 +0900Updated at: 2019-06-07 03:00:21 +0900