HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Al2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響(Influence of gallium oxide interfacial layer on electrical characteristics of Al2O3/n-GaN capacitors)弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 知京 豊裕, 小出 康夫, 大石 知司. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018年03月17日-2018年03月20日.NIMS著者弓削 雅津也生田目 俊秀色川 芳宏大井 暁彦池田 直樹知京 豊裕小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-03-24 22:38:09 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:17:31 +0900