HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Al2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響(Influence of gallium oxide interfacial layer on electrical characteristics of Al2O3/n-GaN capacitors)弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 知京 豊裕, 小出 康夫, 大石 知司. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.NIMS著者弓削 雅津也生田目 俊秀色川 芳宏大井 暁彦池田 直樹サン リウエン知京 豊裕小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-03-24 22:38:09 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:17:31 +0900