HOME > Presentation > DetailAl2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響(Influence of gallium oxide interfacial layer on electrical characteristics of Al2O3/n-GaN capacitors)弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 知京 豊裕, 小出 康夫, 大石 知司. 第65回応用物理学会春季学術講演会. March 17, 2018-March 20, 2018.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideIROKAWA, YoshihiroOHI, AkihikoIKEDA, NaokiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-03-24 22:38:09 +0900 Updated at: 2018-06-05 14:17:31 +0900