Improvement of Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films by New ZrO2 Nucleation Technique
49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2018年12月05日-2018年12月08日.
NIMS著者
_%E5%A5%B3%E5%B1%8B%E5%B4%87.jpg)
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2018-08-25 16:18:36 +0900 更新時刻: 2018-08-25 16:18:36 +0900