HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響(Influence of hole trapping on transistor characteristics for C-doped In-Si-O)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 第64回 応用物理学会春季学術講演会. 2017年03月14日-2017年03月17日.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦池田 直樹知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-04-18 22:54:59 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:14 +0900