HOME > Presentation > DetailホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響(Influence of hole trapping on transistor characteristics for C-doped In-Si-O)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 第64回 応用物理学会春季学術講演会. March 14, 2017-March 17, 2017.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideTSUKAGOSHI, KazuhitoOHI, AkihikoIKEDA, NaokiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-04-18 22:54:59 +0900 Updated at: 2018-06-05 14:07:14 +0900