HOME > 口頭発表 > 書誌詳細酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響(The effect of redox annealingon flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors)山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. The 3ed NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011-11-01.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:57:27 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:12:05 +0900