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著者名弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, 上殿明殿, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司.
タイトル Al2O3/n-GaN界面での伝導帯/価電子帯近傍の界面準位密度に関する研究
(Study of interface state density near conduction/valence band at Al2O3/n-GaN interface)
会議名 膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会
発表年2019
言語Japanese
外部での文献参照

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