HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(Charge trap mechanism of memory capacitors with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer)生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Visual-JW 2014. 2014. 招待講演NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:03:41 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:45:12 +0900