Si (100)上無極性AlN成長時のN₂スパッタリングガス供給量の条件検討
(Study on conditions of N₂ sputtering gas ratio for nonpolar AlN growth on Si (100))
電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－(第26回研究会). 2021年01月22日-2021年01月23日.
NIMS著者
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作成時刻: 2023-04-10 17:34:41 +0900更新時刻: 2023-04-10 17:34:41 +0900