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著者名SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Motoyuki Sato, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Yasuo Nar.
タイトルElectron-beam-induced current study of breakdown behavior of high-k gate MOSFETs
発表誌名SOLID STATE PHENOMENA
発表年2010
言語English
DOIhttps://doi.org/10.4028/www.scientific.net/156-158.461

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