HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Imaging of Leakage Sites in High-k Gate Electrode by using Electron-beam-induced Current Technique関口 隆史, 陳 君, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕. International Conference onSolid State Devices and Materials. 2008年09月23日-2008年09月26日. 招待講演NIMS著者陳 君深田 直樹知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:16:58 +0900 更新時刻: 2024-03-05 11:42:05 +0900