Cathodoluminescence study of 3C-SiC layer grown on 4H-SiC substrate
DRIP XIX (19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors). 2022年08月29日-2022年09月01日.
NIMS著者
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作成時刻: 2023-01-17 03:33:57 +0900 更新時刻: 2023-01-17 03:33:57 +0900