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著者名CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, FUKATA, Naoki, TAKASE, Masami, CHIKYOW, Toyohiro, K. Yamabe, R. Hasunuma, Y. Akasaka, Seiji Inumiya, Yasuo Nara, Keisaku Yamada.
タイトルObservation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current
会議名The 8th International Workshop on BIAMS
発表年2006
言語English
外部での文献参照

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