HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current)陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 高瀬 雅美, 知京 豊裕, 山部紀久夫, 蓮沼隆, 赤坂泰志, 犬宮誠治, 奈良安雄, 山田啓作. The 8th International Workshop on BIAMS . 2006.NIMS著者陳 君深田 直樹知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:47:38 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:37:25 +0900