(Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current)
The 8th International Workshop on BIAMS . 2006年06月11日-2006年06月15日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:47:38 +0900 更新時刻: 2017-07-10 19:37:25 +0900