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Electron-beam-induced current study of breakdown behavior of high-k gate MOSFETs

著者SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Motoyuki Sato, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Yasuo Nar.
掲載誌名SOLID STATE PHENOMENA 461-466
出版社
発表年2010
言語English
DOIhttps://doi.org/10.4028/www.scientific.net/156-158.461
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