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著者名N. Fukata, J. Chen, T. Sekiguchi, N. Okada, K. Murakami, T. Tsurui, S. Ito.
タイトルDoping and hydrogen passivation of boron in silicon nanowires synthesized by laser ablation
掲載誌名Applied Physics Letters 89 20 203109
ISSN: 10773118 00036951
発表年2006
言語English
DOI10.1063/1.2372698
ESIでのカテゴリPHYSICS
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