Doping and hydrogen passivation of boron in silicon nanowires synthesized by laser ablation | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Doping and hydrogen passivation of boron in silicon nanowires synthesized by laser ablation
(シリコンナノワイヤへのボロンドーピングと水素パッシベーション効果)

N. Fukata, J. Chen, T. Sekiguchi, N. Okada, K. Murakami, T. Tsurui, S. Ito.

Applied Physics Letters 89 [20] 203109. 2006.

https://doi.org/10.1063/1.2372698

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作成時刻: 2016-05-24 15:04:53 +0900 更新時刻: 2026-10-30 08:46:59 +0900

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