SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > プロシーディングス > 詳細

プロシーティングスの表示

著者名SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, UMEZAWA, Naoto, OHMORI, Kenji, CHIKYOW, Toyohiro, Hasunuma Ryu, Yamabe Kikuo, Inumiya Seiji, Nara Yasuo.
タイトルObservation of leakage sites in high-k gate dielectrics in MOSFET devices by electron-beam-induced current technique
発表誌名Solid State Phenomena
発表年2007
言語English

▲ページトップへ移動