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出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Jun Uzuhashi, Jun Chen, Ashutosh Kumar, Wei Yi, Tadakatsu Ohkubo, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Hideki Sakurai, Tetsu Kachi, Takashi Sekiguchi, Kazuhiro Hono. Atomic-scale investigation of implanted Mg in GaN through ultra-high-pressure annealing. Journal of Applied Physics. 131 [18] (2022) 185701 10.1063/5.0087248
- Jun Chen, Wei Yi, Ashutosh Kumar, Akio Iwanade, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Shun Ito, Takashi Kimura, Tadakatsu Ohkubo, Takashi Sekiguchi. Electron-Beam-Induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes. Journal of Electronic Materials. 49 [9] (2020) 5196-5204 10.1007/s11664-020-08081-2
- Ashutosh Kumar, Wei Yi, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Kazuhiro Hono. Influence of implanted Mg concentration on defects and Mg distribution in GaN. Journal of Applied Physics. 128 [6] (2020) 065701 10.1063/5.0014717
口頭発表
- 介川 裕章, 温 振超, 葛西 伸哉, クマール アシュトッシュ, 大久保 忠勝, 宝野 和博, 三谷 誠司, 市川心人, 中田勝之. 格子整合MgAl2O4バリアトンネル磁気抵抗素子の絶縁破壊特性. 第45回 日本磁気学会学術講演会. 2021
- KUMAR Ashutosh, OHKUBO Tadakatsu, RYO Tanaka, TAKASHIMA Shinya, EDO Masaharu, HONO Kazuhiro. High-temperature Implantation of Mg ions in GaN . The 81st JSAP Autumn Meeting 2020. 2020
- 大久保 忠勝, クマール アシュトッシュ, 埋橋 淳, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 宝野 和博. STEM/3DAPによるMg注入GaN層のナノ組織解析. 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
