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著者名陳 君, 関口 隆史, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 左藤基之, 奈良安雄, 山田啓作.
タイトルComparison of Leakage Behaviors in pMOS and nMOS with Poly-Si/HfSiON Gate Stacks by EBIC Technique
会議名2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
発表年2008
言語Japanese
外部での文献参照

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