HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Electron-beam-induced current study of dislocations at the interface of strained Si/Si0.8Ge0.2袁 暁利, 陳 君, 関口 隆史, 李成奇, 伊藤俊. EDS2006. 2006.NIMS著者陳 君Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:01:26 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:41:50 +0900
