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著者名Yuan, Xiaoli, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Ri Sunggi, Shun Ito.
タイトルElectron-beam-induced current study of dislocations at the interface of strained Si/Si0.8Ge0.2
会議名EDS2006
発表年2006
言語English
外部での文献参照

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