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著者名長田 貴弘, 小橋 和義, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕.
タイトルルチル型TiO2緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究
(Interface Engineering of High-k/Ge Gate StackStructure by Rutile TiO2 Buffer Layer)
会議名ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―(第19回)
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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