HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ルチル型TiO2緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究(Interface Engineering of High-k/Ge Gate StackStructure by Rutile TiO2 Buffer Layer)長田 貴弘, 小橋 和義, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―(第19回). 2014.NIMS著者長田 貴弘生田目 俊秀山下 良之知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:40:51 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:45:28 +0900