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ルチル型TiO2緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究
(Interface Engineering of High-k/Ge Gate StackStructure by Rutile TiO2 Buffer Layer)
ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―（第19回）. 2014.
NIMS author(s)
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Created at: 2017-02-14 11:40:51 +0900Updated at: 2017-07-10 21:45:28 +0900