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著者名IMURA, Masataka, TSUDA, Shunsuke, NAGATA, Takahiro, KOIDE, Yasuo, YANG, Anli, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, KOBAYASHI, Keisuke, Kaneko Masamitsu, Kaneko Masamitsu, Yamaguchi Tomohiro, Uematsu Nao, Araki Tsutomu, Nanishi Yasushi.
タイトルSurface and Bulk Electronic Structure of Mg-doped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
(硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面&バルク電子状態評価)
会議名International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
発表年2012
言語English
外部での文献参照

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