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著者名Y. Yamashita, H. Yoshikawa, T. Chikyo, K. Kobayashi.
タイトルDirect observation of bias-dependence potential distribution in metal/HfO2 gate stack structures by hard x-ray photoelectron spectroscopy under device operation
掲載誌名Journal of Applied Physics 115 [4] 043721
ISSN: 00218979 10897550
発表年2014
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4863637
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