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著者名INDARI, Efi Dwi, YAMASHITA, Yoshiyuki, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe.
タイトルEffect of Conduction Band Offset on Gate Leakage Current at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
会議名SSDM2018
発表年2018
言語English
外部での文献参照

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