HOME > 口頭発表 > 書誌詳細SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関(Atomic Structures and Interface States at SiO2/4H-SiC Interface)山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021.NIMS著者山下 良之Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-11-12 03:38:16 +0900更新時刻: 2021-11-12 03:38:16 +0900