HOME > Presentation > DetailSiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関(Atomic Structures and Interface States at SiO2/4H-SiC Interface)山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. September 10, 2021-September 13, 2021.NIMS author(s)YAMASHITA, YoshiyukiINDARI, Efi DwiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2021-11-12 03:38:16 +0900 Updated at: 2021-11-12 03:38:16 +0900