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著者名K. Nishio, M. Matvejeff, R. Takahashi, M. Lippmaa, M. Sumiya, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, Y. Yamashita.
タイトルDelta-doped epitaxial La:SrTiO3 field-effect transistor
掲載誌名Applied Physics Letters 98 [24] 242113
ISSN: 00036951 0168583X 10773118
発表年2011
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.3600782
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