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著者名三浦英生, 鈴木研, 寒川誠二, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介.
タイトル次世代ナノスケール半導体用材料物性の点欠陥依存性分析
(Synchrotron-Radiation Photoemission Spectroscopy of Point Defects-Induced Damages of Materials Used for Nano-Scale Semiconductor Devices)
会議名平成19年度ナノネット放射光利用研究成果報告会
発表年2008
言語Japanese
外部での文献参照

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