HOME > 口頭発表 > 書誌詳細次世代ナノスケール半導体用材料物性の点欠陥依存性分析(Synchrotron-Radiation Photoemission Spectroscopy of Point Defects-Induced Damages of Materials Used for Nano-Scale Semiconductor Devices)三浦英生, 鈴木研, 寒川誠二, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介. 平成19年度ナノネット放射光利用研究成果報告会. 2008-05-07.NIMS著者吉川 英樹上田 茂典山下 良之Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:53:09 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:12:03 +0900