HOME > Presentation > Detail次世代ナノスケール半導体用材料物性の点欠陥依存性分析(Synchrotron-Radiation Photoemission Spectroscopy of Point Defects-Induced Damages of Materials Used for Nano-Scale Semiconductor Devices)三浦英生, 鈴木研, 寒川誠二, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介. 平成19年度ナノネット放射光利用研究成果報告会. 2008.NIMS author(s)YOSHIKAWA, HidekiUEDA, ShigenoriYAMASHITA, YoshiyukiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2017-02-14 10:53:09 +0900 Updated at :2017-07-10 20:12:03 +0900