SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 口頭発表 > 詳細

口頭発表の表示

著者名山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 山部喜久夫, 蓮沼 隆.
タイトルSiO2/4H-SiC (000-1) 界面における界面準位、リーク電流、バンドオフセットの関係
(Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface)
会議名2019年日本表面真空学会学術講演会
発表年2019
言語Japanese
外部での文献参照

▲ページトップへ移動