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SiO2/4H-SiC (000-1) 界面における界面準位、リーク電流、バンドオフセットの関係
(Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface)

著者山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆, 山部喜久夫.
会議名2019年日本表面真空学会学術講演会
発表年2019
言語Japanese

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