HOME > Presentation > DetailSiO2/4H-SiC (000-1) 界面における界面準位、リーク電流、バンドオフセットの関係(Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface)山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆, 山部喜久夫. 2019年日本表面真空学会学術講演会. 2019.NIMS author(s)YAMASHITA, YoshiyukiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2020-02-29 03:17:14 +0900Updated at: 2020-02-29 03:17:14 +0900