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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Hongxin Wang, Han Zhang, Daiming Tang, Kenta Goto, Ikumu Watanabe, Hideaki Kitazawa, Masamichi Kawai, Hiroaki Mamiya, Daisuke Fujita. Stress dependence of indentation modulus for carbon fiber in polymer composite. Science and Technology of Advanced Materials. 20 [1] (2019) 412-420 10.1080/14686996.2019.1600202
- Hongxin Wang, Han Zhang, Bo Da, Motoki Shiga, Hideaki Kitazawa, Daisuke Fujita. Informatics-Aided Raman Microscopy for Nanometric 3D Stress Characterization. The Journal of Physical Chemistry C. 122 [13] (2018) 7187-7193 10.1021/acs.jpcc.7b12415
- Jing Li, Jie Tang, Jinshi Yuan, Kun Zhang, Yige Sun, Han Zhang, Lu-Chang Qin. Enlarging energy density of supercapacitors using unequal graphene electrodes and ionic liquid electrolyte. Electrochimica Acta. 258 (2017) 1053-1058 10.1016/j.electacta.2017.11.157
会議録
- Hakan Deniz, Lu-Chang Qin, ZHANG, Han, TANG, Jie. An Electron Diffraction RDF Study of Amorphous Boron Nanowires. MICROSCOPY AND MICROANALYSIS. 2007, 782-782
- ZHANG, Han, TANG, Jie, Pinwen, ZHU, Otto Zhou, Lu-Chang Qin. Fabrication of LaB6 single nanowire field emitters and their in-situ TEM field emission measurements. Trans of MRS-J. 2007, 747-750
- ZHANG, Han, TANG, Jie, Qi Zhang, Lu-Chang Qin. LaB6 Single-Crystalline Nanowires for Use as a Field-Emission Point Electron Source. Proceedings of IMC16. 2006, 1254-1254
口頭発表
- 王 洪欣, 張 晗, 達 博, 藤田 大介. 3D confocal Raman mapping of stress induced by indentation on Si(100). 共用・計測 合同シンポジウム2017. 2017
- WANG, Hongxin, ZHANG, Han, DA, Bo, Motoki Shiga, KITAZAWA, Hideaki, FUJITA, Daisuke. 3D Characterization of Stress Evolution in Opaque Materials Using sub-micrometer sized laser. The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8). 2017
- CHENG, Qian, TANG, Jie, ZHANG, Han, SHINYA, Norio, luchang Qin. Liquid Phase Production of Graphene and Its Electrochemical Properties with Single Wall Carbon Nanotube. 2011年アメリカ材料学会秋季大会. 2011
特許
- 特許第5131735号 面エミッタの製造方法、点エミッタの製造方法及び構造体 (2012)
- 特許第5487407号 ナノファイバハンドリングのための装置と方法 (2014)
- 特許第5388192号 導電性高分子アクテュエータ材料 (2013)
第二期開発予定
第二期開発予定