- NARA.Jun@nims.go.jp
- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
表面構造、ナノ構造、伝導特性
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- NARA, Jun, SASAKI, Taizo, OHNO, Takahisa. First-principles calculations on diffusion of Si adatoms on H/Si(001)-(2×1)surface. applied surface science. (1998) 254-259
- NARA, Jun, SASAKI, Taizo, 大野隆史. THEORY of Adsorption and eiffusion of Si Adatoms on H/Si(100)Stepped Surface.. Journal of Crystal Growth. ()
- NARA, Jun, OHNO, Takahisa, 梶山博司. Theoretical Investigation of the island formation on a Hydrogen-terminated Si(001) Surface. Applied Surface Science. (2000) 152-155
会議録
- TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation. Proceedings of Solid State Device Material. (2017) 1077-1078
- Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Nobutaka Nishikawa, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. MATERIALS SCIENCE FORUM. (2016) 429-432 10.4028/www.scientific.net/msf.858.429
- TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. A first principles study on CVD graphene growth on copper surface: C-C bonding reactions at graphene edges. EXTENDED ABSTRACT OF SOLID STATE DEVICE MATERIALS. (2014) 346-347
口頭発表
- 佐久間 芳樹, 廣戸 孝信, 奈良 純, 小野 佑樹, 松本 貴士. vdWエピタキシーによるサファイア基板上MoS2の面内配向メカニズム. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024
- NARA, Jun, HAMADA, Tomoyuki, OHNO, Takahisa. Far- to middle-infrared absorption spectra of multi-layer graphene: DFT study. 17th European Vacuum Conference (EVC17). 2024
- 佐久間 芳樹, 楊 旭, 小野 佑樹, 李 世勝, 廣戸 孝信, 奈良 純, 池沢 道男, 松本 貴士. MOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
公開特許出願
所属学会
応用物理学会, 日本物理学会, 日本表面真空学会
ナノアーキテクトニクス材料研究センター
第一原理計算プログラムPHASE/0の開発とその応用
第一原理計算，PHAS/0，電子状態計算，低次元系材料，電池材料
概要
近年、材料研究において計算機によるシミュレーションが必須となってきている。特に、新規な物質・材料の開発や、それらの特性の裏にある メカニズム探求に力を発揮すると期待されている。シミュレーション手法には、高精度、大規模、高速計算が可能であることや多様な解析機能が望まれている。我々が開発している第一原理電子状態計算プログラムPHASE/0は密度汎関数法を用いておりそれらの要求を満たす。各種の解析機能を搭載し様々な実験手法との直接比較が出来るとともに、解析・描画に使える各種のツールや計算準備・結果表示を容易にするGUIも利用可能である。我々はこれらのプログラムを一般に公開するとともに、低次元系材料、電池材料などの研究に適用している。
新規性・独創性
● 高速な計算を可能にすると共に、誘電率計算、EELS計算などの物性解析機能の多様化
● ウインドウズPCから「富岳」レベルのスパコンまで様々な計算機で同じように計算実行が可能
● GUIや付属ツールを充実させることによる計算実行、結果解析などの操作性の向上
内容
第一原理電子状態計算プログラムPHASE/0（左図）は密度汎関数法に基づいており、金属、半導体、絶縁体などの様々な系に対して高精度、高速な計算が可能となっている。また、ノートPCから富岳レベルのスパコンまでのサイズの異なるマシンにおいて同じような操作性で計算を実施することが可能であり、必要に応じて利用するプラットフォームを変えることが出来る。我々はこのプログラムをGaAs上に成長したMoTe2膜（右上図）やホモ・ヘテロツイスト二層膜などの低次元系材料や、アイオノマ/水/白金触媒界面（右下図）などの燃料電池材料などに適用している。
まとめ
● 電子デバイスや二次電池・燃料電池などの各種材料の開発
● 現象・物性のメカニズムの理解
● 古典計算や機械学習との併用による大規模系への適用
