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奈良 純

奈良 純 (NARA, Jun)

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論文 TSV

2022
  1. Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara. Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy. npj 2D Materials and Applications. 6 [1] (2022) 35 10.1038/s41699-022-00310-y
  2. Yoshiyuki Yamashita, Jun Nara, Efi Dwi Indari, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Ryu Hasunuma. Experimental and theoretical studies on atomic structures of the interface states at SiO2/4H-SiC(0001) interface. Journal of Applied Physics. 131 [21] (2022) 215303 10.1063/5.0093267
  3. Keisuke Sagisaka, Jun Nara, Jill K. Wenderott, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa, Daisuke Fujita. Strong suppression of graphene growth by sulfur superstructure on a nickel substrate. Physical Review Materials. 6 [3] (2022) 034007 10.1103/physrevmaterials.6.034007
  4. Katsunori Tagami, Jun Nara, Takahisa Ohno, Mamoru Usami. First-principles study of absolute XPS binding energy with PAW planewave pseudopotential method: application to tungsten disulfides. Japanese Journal of Applied Physics. 61 [2] (2022) 022003 10.35848/1347-4065/ac4464
2021
  1. Nao Kadowaki, Masato Oda, Jun Nara. Theoretical study on adsorption state of chemisorbed oxygen molecule on partially oxidized Si(001) surface. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [12] (2021) 125501 10.35848/1347-4065/ac24d9
  2. W. T. Geng, V. Wang, J. B. Lin, T. Ohno, J. Nara. Angle Dependence of Interlayer Coupling in Twisted Transition Metal Dichalcogenide Heterobilayers. The Journal of Physical Chemistry C. 125 [1] (2021) 1048-1053 10.1021/acs.jpcc.0c09372
2020
  1. W. T. Geng, V. Wang, Y. C. Liu, T. Ohno, J. Nara. Moiré Potential, Lattice Corrugation, and Band Gap Spatial Variation in a Twist-Free MoTe2/MoS2 Heterobilayer. The Journal of Physical Chemistry Letters. 11 [7] (2020) 2637-2646 10.1021/acs.jpclett.0c00605
  2. Nobuo Tajima, Jun Nara, Taku Ozawa, Hiroya Nitta, Kosuke Ohata, Takahisa Ohno. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte with a Platinum Catalyst: Structural Analyses with Dissipative Particle Dynamics Simulations. Journal of The Electrochemical Society. 167 [6] (2020) 064513 10.1149/1945-7111/ab7a0c
2019
  1. Takahiro Yamasaki, Akiyoshi Kuroda, Toshihiro Kato, Jun Nara, Junichiro Koga, Tsuyoshi Uda, Kazuo Minami, Takahisa Ohno. Multi-axis decomposition of density functional program for strong scaling up to 82,944 nodes on the K computer: Compactly folded 3D-FFT communicators in the 6D torus network. Computer Physics Communications. 244 (2019) 264-276 10.1016/j.cpc.2019.04.008
  2. Nobuo Tajima, Jun Nara, Takahiro Yamasaki, Taku Ozawa, Hiroya Nitta, Kosuke Ohata, Takahisa Ohno. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte and Platinum Catalyst: Construction of a Dissipative Particle Dynamics Simulation Model. Journal of The Electrochemical Society. 166 [9] (2019) B3156-B3162 10.1149/2.0201909jes
  3. Sota Hida, Takumi Morita, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Takahisa Ohno, Kentaro Kinoshita. Repeatable and reproducible formation/rupture of oxygen vacancy filaments in the vicinity of a polycrystalline HfO2 surface. AIP Advances. 9 [3] (2019) 035309 10.1063/1.5085443
  4. Y. Kagoyama, M. Okamoto, T. Yamasaki, N. Tajima, J. Nara, T. Ohno, H. Yano, S. Harada, T. Umeda. Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces. Journal of Applied Physics. 125 [6] (2019) 065302 10.1063/1.5066356
2018
  1. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. First-principles modeling of defect-free abrupt SiC/SiO2 interfaces on a- and m-face 4H-SiC. Applied Physics Express. 11 [10] (2018) 101304 10.7567/apex.11.101304
  2. Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. First-principles study on C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double-bond saturation. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [4S] (2018) 04FR09 10.7567/jjap.57.04fr09
  3. So Takamoto, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Takahisa Ohno, Chioko Kaneta, Asuka Hatano, Satoshi Izumi. Atomistic mechanism of graphene growth on a SiC substrate: Large-scale molecular dynamics simulations based on a new charge-transfer bond-order type potential. Physical Review B. 97 [12] (2018) 125411 10.1103/physrevb.97.125411
  4. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. Hybrid density functional analysis of distribution of carbon-related defect levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. Applied Physics Express. 11 [1] (2018) 011302 10.7567/apex.11.011302
2017
  1. Keisuke Sagisaka, Jun Nara, David Bowler. Importance of bulk states for the electronic structure of semiconductor surfaces: implications for finite slabs. Journal of Physics: Condensed Matter. 29 [14] (2017) 145502 10.1088/1361-648x/aa5f91
2016
  1. Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Jun Nara, Takahisa Ohno. A first principles study on the CVD graphene growth on copper surfaces: A carbon atom incorporation to graphene edges. Surface Science. 653 (2016) 123-129 10.1016/j.susc.2016.06.012
  2. Youky Ono, Jun Nara, Takahisa Ohno. Structural Stability and Electronic Structures of a Curved Graphene Sheet on Stepped SiC(0001) Surface. Journal of the Physical Society of Japan. 85 [3] (2016) 034707 10.7566/jpsj.85.034707
2014
  1. Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Jun Nara, Takahisa Ohno. Carbon atom reactions in the initial stage of CVD graphene growth on copper: A first principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 53 [5S1] (2014) 05FD08 10.7567/jjap.53.05fd08
2013
  1. Yusuke Asari, Jun Nara, Takahisa Ohno. First-principles study of chlorine atom diffusion on Si(111)–5×5 reconstructed surfaces. Applied Surface Science. 267 (2013) 70-73 10.1016/j.apsusc.2012.07.015
2012
  1. W. T. Geng, D. H. Ping, J. Nara, T. Ohno. Formation of Perpendicular Graphene Nanosheets on LiFePO4: A First-Principles Characterization. The Journal of Physical Chemistry C. 116 [33] (2012) 17650-17656 10.1021/jp304825e
  2. Van An Dinh, Jun Nara, Takahisa Ohno. A New Insight into the Polaron–Li Complex Diffusion in Cathode Material LiFe$_{1-y}$Mn$_{y}$PO$_{4}$ for Li Ion Batteries. Applied Physics Express. 5 [4] (2012) 045801 10.1143/apex.5.045801
2011
  1. Hisashi Kondo, Jun Nara, Takahisa Ohno. Possibility of Gas Sensor Using Electronic Transport Properties of Iron−Porphyrin Molecular Junction System. The Journal of Physical Chemistry C. 115 [14] (2011) 6886-6892 10.1021/jp1087064
  2. Yusuke Asari, Jun Nara, Takahisa Ohno. Theoretical study on diffusion mechanism of fluorine atom adsorbed on Si(111) reconstructed surface. Surface Science. 605 [1-2] (2011) 225-231 10.1016/j.susc.2010.10.023
2010
  1. Hisashi Kondo, Jun Nara, Takahisa Ohno. Enhancement of intramolecular electron scattering due to molecule-electrode coupling in molecular junction systems. Physical Review B. 81 [8] (2010) 085318 10.1103/physrevb.81.085318
2009
  1. KONDO, Hisashi, NARA, Jun, KINO, Hiori, OHNO, Takahisa. Transport Properties for Biphenyl-Based Molecular Junction System -End-Group Dependence-. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. (2009) 064220-1-064220-5
2008
  1. Y. Fujikawa, S. Kuwano, K. S. Nakayama, T. Nagao, J. T. Sadowski, R. Z. Bahktizin, T. Sakurai, Y. Asari, J. Nara, T. Ohno. Fluorine diffusion assisted by diffusing silicon on the Si(111)-(7x7) surface. The Journal of Chemical Physics. 129 [23] (2008) 234710 10.1063/1.3039873
  2. KONDO, Hisashi, KINO, Hiori, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Transport properties of iron–porphyrin molecule sandwiched between Au surfaces. APPLIED SURFACE SCIENCE. (2008) 7985-7988
  3. Hisashi Kondo, Jun Nara, Hiori Kino, Takahisa Ohno. End-Group Dependence of Transport Properties for Biphenyl-Based Molecular Junction System. Japanese Journal of Applied Physics. 47 [6] (2008) 4792-4798 10.1143/jjap.47.4792
  4. Akihiro Ohtake, Jun Nara, Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata. Ge-induced (1x2) surface reconstruction on GaAs(001): A precursor to As segregation. Physical Review B. 77 [19] (2008) 195309 10.1103/physrevb.77.195309
  5. W. T. Geng, Masato Oda, Jun Nara, Hisashi Kondo, Takahisa Ohno. Electron Transport in a pai-Stacking Molecular Chain. The Journal of Physical Chemistry B. 112 [10] (2008) 2795-2800 10.1021/jp0763533
  6. Hisashi Kondo, Jun Nara, Hiori Kino, Takahisa Ohno. Dependence of the conduction of a single biphenyl dithiol molecule on the dihedral angle between the phenyl rings and its applic. The Journal of Chemical Physics. 128 [6] (2008) 064701 10.1063/1.2828531
  7. N. Takahashi, Y. Nakamura, J. Nara, Y. Tateyama, T. Uda, T. Ohno. Theoretical Study of the Initial Oxidation Processes on the Si(001)surface. Surface Science. 602 [3] (2008) 768-777 10.1016/j.susc.2007.12.004
  8. Jun Nara, Hiroshi Kajiyama, Tomihiro Hashizume, Yuji Suwa, Seiji Heike, Shinobu Matsuura, Taro Hitosugi, Takahisa Ohno. Formation Mechnism of One-Dimensional Si Island on H/Si(001)Surface. Physical Review Letters. 100 [2] (2008) 026102 10.1103/physrevlett.100.026102
2006
  1. Hisashi Kondo, Hiori Kino, Jun Nara, Taisuke Ozaki, Takahisa Ohno. Contact structure dependence of transport properties of a single organic molecule between Au electrodes. Physical Review B. 73 [23] (2006) 235323 10.1103/physrevb.73.235323
  2. Shin’ichi Higai, Jun Nara, Takahisa Ohno. Theoretical study on adsorption of thiophenethiolate molecule on Au(111) surface. Surface Science. 600 [3] (2006) 685-692 10.1016/j.susc.2005.11.033
2005
  1. 奈良純. フリーの第一原理計算ソフト. Hyomen Kagaku. 26 [11] (2005) 704-704 10.1380/jsssj.26.704
  2. Yoshitaka Fujimoto, Yusuke Asari, Hisashi Kondo, Jun Nara, Takahisa Ohno. First-pricniples study on transport properties of Al wires: Comparison between crystalline and jellium electrodes. Physical Review B. 72 [11] (2005) 113407 10.1103/physrevb.72.113407
  3. W. T. Geng, Hisashi Kondo, Jun Nara, Takahisa Ohno. Effect of alkali-metal adsorption on the conductance of a molecular device. Physical Review B. 72 [12] (2005) 125421 10.1103/physrevb.72.125421
  4. 奈良 純, 濱田 智之, 近藤 恒, 高木 祥光, 大野 隆央. ナノシミュレーション. 日本機械学会誌（Jaournal of the Japan Society of Mechanical Engineers）. 108 [1042] (2005) 36-37
  5. Yusuke Asari, Jun Nara, Nobuhiko Kobayashi, Takahisa Ohno. π Channel Effects in Transport Properties of Al Nanowires at Finite Biases. Japanese Journal of Applied Physics. 44 [8] (2005) 6317-6320 10.1143/jjap.44.6317
  6. Yusuke Asari, Jun Nara, Nobuhiko Kobayashi, Takahisa Ohno. Effect of crystalline electrodes on the transport properties of Al monatomic wires at finite biases. Physical Review B. 72 [3] (2005) 035459 10.1103/physrevb.72.035459
  7. NARA, Jun, GENG, Wen-Tong, KINO, Hiori, 小林伸彦, OHNO, Takahisa. Theoretical study on electron transport properties of an organic molecule. MATERIALS SCIENCE-POLAND. 23 [2] (2005) 383-387
  8. N. Takahashi, J. Nara, T. Uda, Y. Nakamura, Y. Tateyama, T. Ohno. Theoretical study on hydrogen reaction process on H/Si(001) surface. Applied Surface Science. 244 [1-4] (2005) 190-194 10.1016/j.apsusc.2004.09.138
  9. 大野 隆央, 濱田 智之, 奈良 純. ナノシミュレーションで探る新材料設計. 化学工業（CHEMICAL INDUSTRY）. 56 [5] (2005) 360-366
  10. 橋詰富博, 藤森正成, 平家誠嗣, 石橋雅義, 下村武史, 伊藤耕三, 寺田 康彦, 三木 一司, 奈良 純, 大野 隆央, 水関博志, 川添良幸. 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定. ナノ学会会報. 3 [1] (2005) 29-34
  11. Hiroshi Kajiyama, Y. Suwa, S. Heike, M. Fujimori, J. Nara, T. Ohno, S. Matsuura, T. Hitosugi, T. Hashizume. Room-Temperature Adsorption of Si Atoms on H-Terminated Si(001)-2x1 Surface. Journal of the Physical Society of Japan. 74 [1] (2005) 389-392 10.1143/jpsj.74.389
2004
  1. W. T. Geng, Jun Nara, Takahisa Ohno. Impacts of metal electrode and molecule orientation on the conductance of a single molecule. Applied Physics Letters. 85 [24] (2004) 5992-5994 10.1063/1.1836872
  2. W.T. Geng, Jun Nara, Takahisa Ohno. Adsorption of benzene thiolate on the (111)surface of M (M=Pt, Ag, Cu) and the conductance of M/benzene dithiolate/M molecular j. Thin Solid Films. 464-465 (2004) 379-383 10.1016/j.tsf.2004.06.083
  3. Jun Nara, Shin’ichi Higai, Yoshitada Morikawa, Takahisa Ohno. Adsorption Structure of Benzenethiol on Au(111) : First-Principles Study. Applied Surface Science. 237 [1-4] (2004) 434-439 10.1016/j.apsusc.2004.06.030
  4. Jun Nara, W. T. Geng, Hiori Kino, Nobuhiko Kobayashi, Takahisa Ohno. Theoretical investigation on electron transport through an organic molecule: Effect of the contact structure. The Journal of Chemical Physics. 121 [13] (2004) 6485-6492 10.1063/1.1783251
  5. Shin’ichi Higai, Jun Nara, Takahisa Ohno. Tail molecule dependence of thiolate adsorption on Au(111) surface: Theoretical study. The Journal of Chemical Physics. 121 [2] (2004) 970-972 10.1063/1.1760736
  6. Jun Nara, Shin’ichi Higai, Yoshitada Morikawa, Takahisa Ohno. Density functional theory investigation of benzenethiol adsorption on Au(111). The Journal of Chemical Physics. 120 [14] (2004) 6705-6711 10.1063/1.1651064

書籍 TSV

会議録 TSV

2017
  1. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation. Proceedings of Solid State Device Material. (2017) 1077-1078
2016
  1. Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Nobutaka Nishikawa, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. MATERIALS SCIENCE FORUM. (2016) 429-432 10.4028/www.scientific.net/msf.858.429
2014
  1. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. A first principles study on CVD graphene growth on copper surface: C-C bonding reactions at graphene edges. EXTENDED ABSTRACT OF SOLID STATE DEVICE MATERIALS. (2014) 346-347
2012
  1. ASARI, Yusuke, Yuji Suwa, HAMADA, Tomoyuki, DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-Principles Study of Charge Compensation in Olivine Positive. ECS TRANSACTIONS. (2012) 115-127
2011
  1. V. A. Dinh, J. Nara, T. Ohno. Vacancy Formation and Attractive Interaction between Vacancies and Chlorine in Chlorine-Doped LiFePO4. Proceedings of Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC). (2011) 10.1109/nmdc.2011.6155337
  2. DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa, Asari Y, Suwa Y, Hamada T. Vacancy Formation and Attractive Interaction between Vacancies and Chlorine in Chlorine-Doped LiFePO4. Proceedings of NMDC2011. (2011) 190-193
2004
  1. TAKAHASHI, Norihiko, NARA, Jun, 宇田毅, NAKAMURA, Yoshimichi, TATEYAMA, Yoshitaka, OHNO, Takahisa. Theoretical study on hydrogen reaction processes on H/Si(001) surface. Applied Surface Science. (2004)

口頭発表 TSV

2022
  1. HAMADA, Tomoyuki, OHNO, Takahisa, NARA, Jun. Microwave and Infared Absorbance of Graphite. 35th International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC2022). 2022
  2. OHTAKE, Akihiro, NARA, Jun. Twisted and non-twisted MoTe2 epitaxial domains on GaAs(111)B. MNC 2022 (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference). 2022
  3. NARA, Jun, HAMADA, Tomoyuki, OHNO, Takahisa. Theoretical Study on the Electronic States of Twisted Bilayer Graphene. 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022). 2022
  4. 大竹 晃浩, 楊 旭, 奈良 純. GaAs(111)B 上におけるMoTe2 エピタキシャル薄膜の配向性および安定性. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  5. 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. ランダム積層グラフェンのマイクロ波・赤外光吸収特性に関する研究. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  6. SAGISAKA, Keisuke, NARA, Jun, Jill Wenderott, 門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, FUJITA, Daisuke. Influence of sulfur atoms on the growth of graphene on a nickel surface. THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22. 2022
  7. 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. 遠赤外・テラヘルツ域におけるグラフェンの室温吸光度の理論計算. 第６９回応用物理学会春季学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/. 2022
  8. 門脇 菜穂, 小田 将人, 奈良 純. 初期酸化Si(001)表面における分子状酸素の吸着構造. 日本物理学会第77回年次大会. 2022
2021
  1. 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. First principles Study on Absorbance of Triple Layer Graphene in a Far-infrared or Tera-Hz Frequency Region. The 9th International Symposium on Surface Scieence (ISSS). 2021
  2. 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. 遠赤外・テラヘルツ域での3層グラフェン吸光度の第一原理計算. 第82回応用物理学会秋季学術講演会　. 2021
  3. 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. 遠赤外・テラヘルツ域での2層グラフェン吸光度の第一原理計算. 2021年第68回第68回応用物理学会学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/. 2021
  4. アンダーソン ジェシー チャム, 宮崎 剛, 奈良 純, 小田 将人. Effect of a Dopant for Migration Energies of (0001) oriented 5-7 edge dislocation in GaN. The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8) . 2021
2020
  1. 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. 遠赤外・THz域におけるグラフェン吸光度の第一原理計算. 物性研究所スパコン共同利用・CCMS合同研究会「計算物質科学の新展開2020」. 2020
  2. 耿 文通, V. Wang, リウ ヤーチャオ, 大野 隆央, 奈良 純. Moiré Potential, Lattice Corrugation, and Band Gap Spatial Variation in a MoTe2/MoS2 Heterobilayer. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020). 2020
  3. 門脇 菜穂, 小田 将人, 奈良 純. Adsorption States of an Oxygen Molecule on Si(001) Surfaces. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020). 2020
  4. 奈良 純, 耿 文通, 大野 隆央. MoS2二層膜のバンドギャップのツイスト角依存性に関する理論的研究. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  5. 田島 暢夫, 大野 隆央, 奈良 純. 金属－グラフェン間の edge 接合の電子状態解析 . 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会 https://confit.atlas.jp/guide/event/jsap2020a/top. 2020
  6. 濱田 智之, 大野 隆央, 奈良 純. グラフェン誘電関数の第一原理計算. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
2019
  1. 小田 将人, Jesse C Anderson, MIYAZAKI, Tsuyoshi, NARA, Jun, Migration Energies of 5-7 Edge Dislocations in GaN. The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019). 2019
  2. 奈良 純. 第一原理電子状態計算手法による材料研究. JSOL CAEフォーラム2019. 2019
  3. 奈良 純, 田島 暢夫, 新田浩也, 小沢拓, 大畠広介, 大野 隆央. PFSA/Pt 界面系の構造に関する散逸粒子動力学シミュレーション. 高分子討論会. 2019
  4. 森田 巧, 高 相圭, 田中 喜典, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 木下健太郎, 木下健太郎. 金属有機構造体(MOF)へのゲスト分子ドーピングに関する理論的研究. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  5. NARA, Jun, SAGISAKA, Keisuke, FUJITA, Daisuke. Theoretical study on surface structures of S/Ni(110). 21st International Vacuum Congress (IVC21). 2019
  6. 肥田 聡太, 大野 隆央, 森田 巧, 酒井 貴弘, 山崎 隆浩, 木下健太郎, 奈良 純, 木下健太郎. 多結晶NiO薄膜における溶媒供給効果の理論的検討. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
2018
  1. 宮田 典幸, YAMASAKI, Takahiro, Kyoko Sumita, NARA, Jun, Ryousuke Sano, 野平博司. Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 MOS Stack Structures. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting. 2018
  2. 肥田 聡太, 森田 巧, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, OHNO, Takahisa, 木下健太郎. Theoretical Study on Oxygen Vacancies in Crystal Grains in Polycrystalline HfO2 Thin Film. The 2018 MRS Fall Meeting. 2018
  3. 鷺坂 恵介, 奈良 純, 藤田 大介. Ni(110)-c(22)S表面におけるグラフェンの成長. 2018年　日本表面真空学会学術講演会. 2018
  4. NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, OHNO, Takahisa. First principles study on hydrogen intercalation into buffer layer grown on SiC(0001) surface. The Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES 2018). 2018
  5. 金子 智昭, 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 加藤弘一, 奈良 純, 清水達雄, 大野 隆央. 第一原理計算によるa-,m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  6. 肥田 聡太, 森田 巧, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 木下健太郎. 多結晶HfO2薄膜における酸素欠陥の凝集・拡散に関する理論的検討. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  7. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. Theoretical study on hydrogen atom behavior under graphene buffer layer grown on SiC substrate. 34th European Conference on Surface Science. 2018
  8. TAJIMA, Nobuo, NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, 小沢拓, 新田浩也, 大畠広介, OHNO, Takahisa. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte and Platinum Catalyst: Dissipative Particle Dynamics Simulation Model. First International Conference on 4D Materials and System. 2018
  9. TAJIMA, Nobuo, NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, 小沢拓, 新田浩也, 大畠広介, OHNO, Takahisa. Hydrated perfluorosulfonic acid electrolyte at platinum interface: Dissipative particle dynamics simulation. International Symposium on Polymer Electrolytes. 2018
  10. 大野隆央, 奈良純, 山崎隆浩, 田島暢夫, 甲賀淳一朗. 低炭素社会実現のための密度汎関数法に基づいた第一原理分子動力学シミュレーション技術の 開発. 平成29年度地球シミュレータ利用報告会. 2018
  11. 肥田聡太, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 多結晶HfO2における抵抗スイッチング現象の機構解析 -第一原理計算によるアプローチ-. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  12. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤　弘一, 金田千穂子, 大野 隆央, 加藤　弘一. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜炭素クラスターの形成と拡散〜. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  13. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. Theoretical study on H intercalation into buffer layer grown on SiC(0001). American Physical Society 2018 March meeting. 2018
2017
  1. 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志. ナノ秒オーダーの分子動力学計算によるSiC表面上のグラフェン成長シミュレーション. International Symposium on Epitaxial Graphene 2017　(ISEG-2017). 2017
  2. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. Theoretical study on H intercalation into buffer layer grown on SiC(0001). International Symposium on Epitaxial Graphene 2017. 2017
  3. 山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央. [11-20]方向のステップを持つSiC(0001)表面の初期グラフェン成長の第一原理分子動力学法による解明. International Symposium on Epitaxial Graphene 2017　(ISEG-2017). 2017
  4. 奈良 純. SiC表面上のグラフェンと水素分子の相互作用に関する研究. NIMSナノシミュレーションワークショップ2017. 2017
  5. 鷺坂 恵介, 奈良 純, デビッドボウラー. Si(100)表面の電子状態計算におけるスラブ厚さの影響. 日本物理学会2017年秋期大会. 2017
  6. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2界面におけるNO酸窒化による炭素窒素置換反応. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  7. 長岡 克己, 奈良 純. 単分子架橋のための不整合薄膜成長を利用した表面平坦ナノギャップ構造の作製. 応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  8. 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志. 分子動力学法によるナノ秒オーダーのSiC表面上のグラフェン成長シミュレーション − 6員環の形成. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  9. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. First principles study on the interaction between hydrogen atoms and the graphene buffer layer grown on the SiC(0001) surface. 33rd European Conference on Surface Science. 2017
  10. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. First-principles Study on Early Stage of Graphene Growth on SiC substrate by Si Sublimation. American Physical Society 2017 March meeting. 2017
  11. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜界面における炭素関連欠陥の電子状態〜. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  12. 奈良 純. 第一原理計算プログラムPHASE/0による大規模シミュレーション. 第3回材料系ワークショップ 計算物質科学を拓く第一原理計算とその. 2017
2016
  1. 奈良 純. SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関する研究. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2016. 2016
  2. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2 界面O2 酸化の第一原理シミュレーション　〜SiC(0001)Si 面と(000-1)C 面の違い〜. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  3. 今泉俊介, 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 泉聡志. SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関するナノ秒オーダーの長時間分子動力学解析. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  4. 奈良 純, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 大野 隆央. SiC(0001)上のグラフェン成長の傾斜度依存性に関する理論的研究. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  5. 奈良 純, Jose M. Soler, Félix Ynduráin, 大野 隆央. 水素ハイドレート中の水素拡散に関する理論的研究. 2016 MRS Spring meeting. 2016
  6. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析. 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  7. 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. シリコンカーバイドの熱酸化に関する理論的研究：SiO2/SiC界面の化学種について. American Physical Society March Meeting. 2016
  8. 大野 隆央, 奈良 純, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 甲賀淳一朗. 低炭素社会実現のための密度汎関数法に基づいた第一原理分子動力学シミュレーション技術の 開発. 平成27年度地球シミュレータ利用報告会. 2016
2015
  1. 奈良 純. 4H-SiC中の螺旋転位の構造と電子状態. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2015. 2015
  2. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. SiC熱酸化により生成するSiO2/SiC界面の化学種に関する理論的研究. 先進パワー半導体分科会第二回講演会. 2015
  3. 奈良 純, 山崎 隆浩, 甲賀信一郎, 宇田毅, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位は分裂しているか否か. 先進パワー半導体分科会 第２回講演会. 2015
  4. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面欠陥準位の第一原理解析：欠陥構造の重要性. 先進パワー半導体分科会 第2回講演会. 2015
  5. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 酸素分子による4H-SiC/SiO2界面酸化の第一原理動的シミュレーション. 先進パワー半導体分科会第2回講演会. 2015
  6. 山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  7. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達夫, 加藤弘一, 大野 隆央. シリコン・カーバイド熱酸化プロセスに関する第一原理的研究. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  8. 田島 暢夫, 金子 智昭, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央. 次世代デバイス材用の第一原理シミュレーション. 文部科学省HPCI戦略プログラム分野4統合ワークショップ. 2015
  9. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. 銅表面上のCVDグラフェン成長に関する第一原理的研究：グラフェン端におけるC-C結合反応. American Physical Society March Meeting. 2015
2014
  1. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 小山洋, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 酸素分子による4H-SiC表面酸化の動的シミュレーションおよび第一原理解析. 先進パワー半導体分科会 第１回講演会. 2014
  2. 山崎 隆浩, 小山洋, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)表面酸化過程の動的シミュレーションおよび第一原理解析. 第７５回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  3. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長に関する第一原理的研究. 応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子反応:第一原理的研究. 応用物理学会春季学術講演会. 2014
  5. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. SiC 基板上での初期のグラフェン成長に対する第一原理分子動力学シミュレーション. 第 61 回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  6. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水 達雄, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)Si 面及び(000-1)C 面、 それぞれの酸化反応の動的シミュレーション. 日本応用物理学会2014年春季年会. 2014
  7. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子の反応に関する理論的研究. American physical society march meeting 2014. 2014
  8. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水 達雄, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)面の酸化過程の動的シミュレーション：Si面とC面. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
  9. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一郎, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位の様々な構造. 第１９回ゲートスタック研究会. 2014
2013
  1. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu-CVDグラフェン生成系におけるC-C結合反応に関する第一原理的解析. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会. 2013
  2. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)及び(000-1)表面の酸化反応の動的シミュレーション. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  3. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一郎, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位の構造と電子状態. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  4. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. LiFePO4およびLiMnPO4における二相界面の差異. 第54回電池討論会. 2013
  5. 小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理計算による3C-SiC(1-10)及び4H-SiC(11-20)表面の電子状態について. ICSCRM 2013. 2013
  6. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. LiMnPO4における二相界面構造の第一原理計算. 電気化学会2013年秋季大会. 2013
  7. 山崎 隆浩, 小山 洋, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC Screw Dislocations and Their Electronic Structures. SSDM 2013. 2013
  8. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. Planewave Based First-Principles Calculations on the 83,000 Nodes K-Computer Applied to SiC Screw Dislocations. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  9. 小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. 3C-SiC(1-10)及び 4H-SiC(11-20)表面における電子状態とその安定性 . 日本応用物理学会秋期学術講演会. 2013
  10. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子結合プロセスに関する理論的研究. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  11. 奈良 純. PHASE-SYSTEMの概要・基本機能の紹介及び開発状況. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2013. 2013
  12. 小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理計算によるシリコンカーバイド表面の電子状態. NIMSナノシミュレーションワークショップ2013. 2013
  13. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理計算によるLiCoPO4における固溶構造解析. 電気化学会第80回大会. 2013
  14. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. SiC中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究(II). 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  15. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算. 日本物理学会第68回年次大会 . 2013
  16. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. 銅表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子間結合生成過程：第一原理的研究. American physical society march meeting 2013. 2013
  17. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の螺旋転位の第一原理計算. 第18回ゲートスタック研究会. 2013
2012
  1. 奈良 純. 第一原理計算プログラムPHASEによるSiC中螺旋転位の研究. 富士通計算化学ユーザフォーラム2012. 2012
  2. 黒田明義, 南一生, 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 大野 隆央. 超並列でFFTは高速に動かせるか？ --- スーパーコンピュータ「京」上でのPHASEの性能最適化を通じて . 第3回CMSI研究会 〜超並列計算が拓く新しい計算物質科学〜. 2012
  3. 奈良 純, 小山 洋, 大野 隆央. 4H-SiC及び3C-SiCの表面構造と電子状態に関する理論的研究. 第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2012
  4. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 第一原理計算によるSiC中の螺旋転位構造と電子状態の解明. 第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2012
  5. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. オリビン正極材料における二相界面の第一原理解析. 第53回電池討論会. 2012
  6. 黒田明義, 南一生, 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 大野 隆央. Planewave‐based first‐principles MD calculation on 80,000‐node K‐computer. SC12. 2012
  7. 奈良 純. 4H-SiC中の螺旋欠陥に関する研究. NIMS ナノシミュレーションワークショップ2012. 2012
  8. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する研究. NIMSナノシミュレーションワークショップ2012. 2012
  9. 小寺 満, 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. SiCのステップ端におけるグラフェンの核形成過程に関する第一原理計算. Conference on Computational Physics 2012. 2012
  10. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. Planewave based first-principles calculations on the 80,000 nodes K-computer: Application to SiC screw dislocations. Conference on Computational Physics (CCP2012) . 2012
  11. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理分子動力学を用いた傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの成長過程解析. CCP2012. 2012
  12. ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. Can a small polaron form in Olinive LiNiPO4? A hybrid functional study on the polaron-vacancy complex diffusion . Conference on Computational Physics 2012. 2012
  13. ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. Can a small polaron form in Olinive LiNiPO4? A hybrid functional study on the polaron-vacancy complex diffusion. Conference on Computational Physics (CCP2012). 2012
  14. 小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. シリコンカーバイド3C及び４H表面の電子状態と安定性. Conference on Computational Physics (CCP2012). 2012
  15. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. First-Principles Study of Two-Phase Interface in LiFePO4. PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE. 2012
  16. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. SiC中の螺旋転位構造と電子状態. 日本物理学会2012年秋季大会. 2012
  17. 奈良 純, 山崎隆浩, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. SiC 中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究. 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  18. 奈良 純, 大野 隆央. Theoretical study on structural stability and electronic states of the 4H-SiC(11-20) and (1-100) surfaces. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials. 2012
  19. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. SiC(0001)表面のステップ付近におけるグラフェンの安定構造と電子状態. ECSCRM-2012. 2012
  20. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. Structure of Two-Phase Interface in LiFePO4 from First-Principles. The 16th International Meeting on Lithium Batteries. 2012
  21. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. First-Principles Study of Solid-Solution Structure in LiCoPO4. The 16th International Meeting on Lithium Batteries. 2012
  22. 奈良 純, 浅利 裕介, 大野 隆央. Mechanism of Halogen Atom Diffusion on Si(111) surface. NIMS CONFERENCE 2012. 2012
  23. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
  24. 奈良 純. ユーザー会/コミュニティー形成への取り組み. 「イノベーション基盤シミュレーションソフトウェアの研究開発」 第4. 2012
2011
  1. 奈良 純. ポータルサイト、ユーザコミュニティの紹介. NIMSナノシミュレーションワークショップ2011. 2011
  2. 奈良 純, 浅利 裕介, 大野 隆央. Theoretical Study on Halogen Atom Diffusion on Si(111) Surface : Complex Diffusion or Simple Hopping Diffusion. ACSIN11. 2011
  3. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. Formation Mechanisms of Lithium Vacancy in Olivine Positive. 62nd Annual Meeting of ISE. 2011
  4. ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央, Asari Y, Suwa Y, Hamada T. Li Diffusion and Polaron Migration in LiFeMnPO4. 2011年（平成23年）秋季　応用物理学会. 2011
  5. ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央, Asari Y, Suwa Y, Hamada T. Li Diffusion and Polaron Migration in LiFeMnPO4. 2011年（平成23年）秋季応用物理学会. 2011
  6. 三石 和貴, 大西 剛, 高田 和典, 橋本 綾子, 藤田 大介, 竹口 雅樹, 大野 隆央, 奈良 純. (111)配向したLa0.55 Li0.33TiO3膜中の板状欠陥の高分解能STEM観察. 日本顕微鏡学会67回学術講演会. 2011
2010
  1. 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性. 日本物理学会2010年秋季大会プログラム. 2010
  2. 小田将人, 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用. 日本物理学会第65回年次大会. 2010
2009
  1. 奈良 純, 浅利 裕介, 大野 隆央. First-Principles Study on the mechanism of Halogen atom diffusion on Si(111) surface. 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces. 2009
  2. 奈良 純, 大竹 晃浩, 大野 隆央. Initial growth structure of Ge on GaAs(001). 2009 MRS Spring Meeting. 2009
  3. 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性. 日本物理学会第64回年次大会. 2009
  4. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 大塚 教雄. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用 . 特定領域「次世代量子デザイン」第４回成果報告会 . 2009
  5. 奈良 純, 大竹 晃浩, 大野 隆央. Investigation on Ge induced GaAs(001)-(1x2) structure. American Physical Society 2009 March Meeting. 2009
2008
  1. 近藤 恒, 奈良 純, 木野 日織, 大野 隆央. Transport Properties for Biphenyl-Based Molecular Junction System. The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechn. 2008
  2. 近藤 恒, 奈良 純, 木野 日織, 大野 隆央. 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性―分子電極間相互作用の役割―. 日本物理学会2008年秋季大会. 2008
  3. 大竹 晃浩, 奈良 純, 安田哲二, 宮田典幸. GaAs(001)-(1x2)-Ge吸着構造. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  4. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 大塚 教雄. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 特定領域研究「次世代量子シミュレータ・量子デザイン手法の開発と応. 2008
  5. 奈良 純, 浅利 裕介, 大野 隆央. Theoretical Study on F atom diffusion on Si(111) surface. American Physical Society 2008 March Meeting. 2008
2007
  1. 小田将人, 耿文通, 奈良 純, 近藤 恒, 大野 隆央. Theoretical Study of nanosize current switching device, using styrene molecule on H-terminated Si(100) surfaces. 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces. 2007
  2. 奈良 純, 浅利 裕介, 大野 隆央. Si(111)表面上のF原子拡散. 平成19年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会. 2007
  3. 小田将人, 耿文通, 奈良 純, 近藤 恒, 大野 隆央. ナノ電流スイッチに関する理論的研究. 日本物理学会　第62回年次大会. 2007
  4. 浅利 裕介, 籾田 浩義, 藤本義隆, 奈良 純, 大野 隆央. アモルファスAl2O3中における水素の存在状態に関する理論的検討. 応用物理学会2007年秋季第68回学術講演会. 2007
  5. 奈良 純, 近藤 恒, 大野 隆央, 山崎隆浩. Siに挟まれたSiO2薄膜の電子状態計算. 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  6. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 科研費特定領域研究｢次世代量子ｼﾐｭﾚｰﾀ〜｣平成19年度顔合わせ会議. 2007
  7. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 大塚 教雄, 尾崎泰助. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 科研費特定領域研究　「次世代量子シミュレータ・量子デザイン手法の. 2007
  8. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究. 日本物理学会 2007年春季大会. 2007
  9. 小田 将人, 大野 隆央, 奈良 純, 近藤 恒. スチレン分子列の伝導特性. 日本物理学会2007年春季大会. 2007
2006
  1. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. First-Principles Study of Halogen Diffusion on Si(111) Surfaces. International Conference on Quantum Simulators and Design. 2006
  2. 奈良 純, 大野 隆央. Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  3. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  4. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. Si(111)-(7×7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  5. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 尾崎　泰助. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 科研費特定領域研究「量子デザイン手法の開発」第１回研究報告会. 2006
  6. 奈良 純. ASCOTの説明と使用方法. 戦略的基盤ソフトウェア普及セミナー（第5回）. 2006
2005
  1. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. Si(111)-(7x7)表面上に吸着したF原子の拡散. 第25回表面科学講演大会. 2005
  2. 藤本 義隆, 奈良 純, 大野 隆央. Density-functional study of electronic and transport properties in atomic-scale alumina films. The 8th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure . 2005
  3. 奈良 純, 大野 隆央. 有機分子架橋系の電気伝導特性. 平成17年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノ半導. 2005
  4. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算. 日本物理学会 2005年秋季大会. 2005
  5. 檜貝 信一, 奈良 純, 大野 隆央. Au(111)表面におけるTTF-TCNQ電荷移動錯体SAMの理論的研究. 2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  6. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性. 日本物理学会第60回年次大会. 2005
2004
  1. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央, 小林伸彦. Al原子細線における電極構造と電気伝導特性. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  2. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  3. 檜貝 信一, 奈良 純, 大野 隆央. Au(111)表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性：理論的研究. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  4. 奈良 純, 大野 隆央. Theoretical study on electron transport properties of an organic Molecule. 2004 E-MRS Fall meeting. 2004
  5. 浅利 裕介, 奈良 純, 小林伸彦, 大野 隆央. Transport properties of Al monatomic nanowires. International Conference on Solid Films and Surfaces. 2004
  6. 檜貝 信一, 奈良 純, 大野 隆央. Au(111)表面におけるチオレート分子吸着のテール分子依存性の理論的研究. 2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
  7. 奈良 純, 檜貝 信一, 森川良忠, 大野 隆央. Au(111)表面上のベンゼンチオールの吸着構造に関する理論的研究. 2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
  8. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. Al原子細線の電気伝導特性. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  9. 奈良 純, 耿 文通, 木野 日織, 小林伸彦, 塚田捷, 大野 隆央. 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  10. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 金電極に挟まれた分子の伝導特性. 日本物理学会2004年年次大会. 2004
  11. 高橋 憲彦, 奈良 純, 宇田毅, 中村 美道, 大野 隆央. 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論. 日本物理学会　第59回年次大会. 2004
  12. 藤本 義隆, 浅利 裕介, 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  13. 奈良 純, 耿 文通, 浅利 裕介, 木野 日織, 大野 隆央. 伝導特性の解析：ナノ物質の量子伝導. 戦略的基盤ソフトウェアの開発：ナノシミュレーション. 2004
  14. 奈良 純, 耿 文通, 木野 日織, 大野 隆央. 金属電極に挟まれた有機単分子の伝導特性に関する理論計算. ナノテクノロジーを用いた電子デバイス実現に向けて. 2004

その他の文献 TSV

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第7072148号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
  2. 特許第7005847号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
  3. 特許第6667809号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
  4. 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
公開特許出願
  1. No: US2017345657 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2017)
  2. 特開201030968号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)
外国特許
  1. No. CN103474354A Semiconductor device, process for producing semiconductor device, semiconductor substrate, and process for producing semiconductor substrate (2013)
  2. No. CN102239549A The method for manufacturing the semiconductor device, semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor substrate and the semiconductor substrate (2011)
  3. No. US20110233689A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2011)
  4. No. KR2011091507A SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2011)
  5. No. TW201030968A Semiconductor device, method for making a semiconductor device, semiconductor substrate, and method for making a semiconductor substrate (2010)
  6. No. WO2010067525A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2010)

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