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奈良 純
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  • 論文・発表

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研究論文 TSV

2013
  1. Yusuke Asari, Jun Nara, Takahisa Ohno, ASARI, Yusuke, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-principles study of chlorine atom diffusion on Si(1 1 1)–5 ×5 reconstructed surfaces. APPLIED SURFACE SCIENCE. 267 [15] (2013) 70-73
2008
  1. Y. Fujikawa, S. Kuwano, K. S. Nakayama, T. Nagao, J. T. Sadowski, R. Z. Bahktizin, T. Sakurai, Y. Asari, J. Nara, T. Ohno. Fluorine diffusion assisted by diffusing silicon on the Si(111)-(7×7) surface. The Journal of Chemical Physics. 129 [23] (2008) 234710 10.1063/1.3039873
  2. 量子伝導の理論計算. Hyomen Kagaku. 24 [12] (2008) 786-786 10.1380/jsssj.24.786
  3. Hisashi Kondo, Jun Nara, Hiori Kino, Takahisa Ohno. End-Group Dependence of Transport Properties for Biphenyl-Based Molecular Junction System. Japanese Journal of Applied Physics. 47 [6] (2008) 4792-4798 10.1143/jjap.47.4792
  4. Akihiro Ohtake, Jun Nara, Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata. Ge-induced(1×2)surface reconstruction on GaAs(001): A precursor to As segregation. Physical Review B. 77 [19] (2008) 10.1103/physrevb.77.195309
  5. W. T. Geng, Masato Oda, Jun Nara, Hisashi Kondo, Takahisa Ohno. Electron Transport in a π-Stacking Molecular Chain. The Journal of Physical Chemistry B. 112 [10] (2008) 2795-2800 10.1021/jp0763533
  6. Hisashi Kondo, Jun Nara, Hiori Kino, Takahisa Ohno. Dependence of the conduction of a single biphenyl dithiol molecule on the dihedral angle between the phenyl rings and its application to a nanorectifier. The Journal of Chemical Physics. 128 [6] (2008) 064701 10.1063/1.2828531
  7. N. Takahashi, Y. Nakamura, J. Nara, Y. Tateyama, T. Uda, T. Ohno. Theoretical study of the initial oxidation processes on the Si(001) surface. Surface Science. 602 [3] (2008) 768-777 10.1016/j.susc.2007.12.004
  8. Jun Nara, Hiroshi Kajiyama, Tomihiro Hashizume, Yuji Suwa, Seiji Heike, Shinobu Matsuura, Taro Hitosugi, Takahisa Ohno. Formation Mechanism of One-Dimensional Si Islands on aH/Si(001)Surface. Physical Review Letters. 100 [2] (2008) 10.1103/physrevlett.100.026102
2007
  1. フリーの第一原理計算ソフト. Hyomen Kagaku. 26 [11] (2007) 704-704 10.1380/jsssj.26.704
2005
  1. 奈良 純, 濱田 智之, 近藤 恒, 高木 祥光, 大野 隆央. ナノシミュレーション. 日本機械学会誌(Jaournal of the Japan Society of Mechanical Engineers). 108 [1042] (2005) 36-37
  2. Yoshitaka Fujimoto, Yusuke Asari, Hisashi Kondo, Jun Nara, Takahisa Ohno. First-principles study of transport properties of Al wires: Comparison between crystalline and jellium electrodes. Physical Review B. 72 [11] (2005) 10.1103/physrevb.72.113407
  3. W. T. Geng, Hisashi Kondo, Jun Nara, Takahisa Ohno. Effect of alkali-metal adsorption on the conductance of a molecular device. Physical Review B. 72 [12] (2005) 10.1103/physrevb.72.125421
  4. Yusuke Asari, Jun Nara, Nobuhiko Kobayashi, Takahisa Ohno. π Channel Effects in Transport Properties of Al Nanowires at Finite Biases. Japanese Journal of Applied Physics. 44 [8] (2005) 6317-6320 10.1143/jjap.44.6317
  5. NARA, Jun, GENG, Wen-Tong, KINO, Hiori, 小林伸彦, OHNO, Takahisa. Theoretical study on electron transport properties of an organic molecule. MATERIALS SCIENCE-POLAND. 23 [2] (2005) 383-387
  6. Yusuke Asari, Jun Nara, Nobuhiko Kobayashi, Takahisa Ohno. Effect of crystalline electrodes on the transport properties of Al monatomic wires at finite biases. Physical Review B. 72 [3] (2005) 10.1103/physrevb.72.035459
  7. N. Takahashi, J. Nara, T. Uda, Y. Nakamura, Y. Tateyama, T. Ohno. Theoretical study on hydrogen reaction processes on H/Si(001) surface. Applied Surface Science. 244 [1-4] (2005) 190-194 10.1016/j.apsusc.2004.09.138
  8. 大野 隆央, 濱田 智之, 奈良 純. ナノシミュレーションで探る新材料設計. 化学工業(CHEMICAL INDUSTRY). 56 [5] (2005) 360-366
  9. 橋詰富博, 藤森正成, 平家誠嗣, 石橋雅義, 下村武史, 伊藤耕三, 寺田 康彦, 三木 一司, 奈良 純, 大野 隆央, 水関博志, 川添良幸. 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定. ナノ学会会報. 3 [1] (2005) 29-34
  10. Hiroshi Kajiyama, Y. Suwa, S. Heike, M. Fujimori, J. Nara, T. Ohno, S. Matsuura, T. Hitosugi, T. Hashizume. Room-Temperature Adsorption of Si Atoms on H-terminated Si(001)-2 ×1 Surface. Journal of the Physical Society of Japan. 74 [1] (2005) 389-392 10.1143/jpsj.74.389

書籍 TSV

会議録 TSV

2012
  1. ASARI, Yusuke, Yuji Suwa, HAMADA, Tomoyuki, DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-Principles Study of Charge Compensation in Olivine Positive. ECS TRANSACTIONS 2012, 115-127
2011
  1. DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa, Asari Y, Suwa Y, Hamada T. Vacancy Formation and Attractive Interaction between Vacancies and Chlorine in Chlorine-Doped LiFePO4. Proceedings of NMDC2011 2011, 190-193
  2. V. A. Dinh, J. Nara, T. Ohno. Vacancy formation and attractive interaction between vacancies and Chlorine in Chlorine-doped LiFePO<inf>4</inf>. Proceedings of Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC) 2011, -
2009
  1. KONDO, Hisashi, NARA, Jun, KINO, Hiori, OHNO, Takahisa. Transport Properties for Biphenyl-Based Molecular Junction System -End-Group Dependence-. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 2009, 064220-1-064220-5
2004
  1. TAKAHASHI, Norihiko, NARA, Jun, 宇田毅, NAKAMURA, Yoshimichi, TATEYAMA, Yoshitaka, OHNO, Takahisa. Theoretical study on hydrogen reaction processes on H/Si(001) surface. Applied Surface Science 2004, -

口頭発表 TSV

2018
  1. 宮田 典幸, Kyoko Sumita, 奈良 純, 山崎 隆浩, Ryousuke Sano, 野平博司. Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 MOS Stack Structures. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting. 2018
  2. 肥田 聡太, 森田 巧, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 木下健太郎. Theoretical Study on Oxygen Vacancies in Crystal Grains in Polycrystalline HfO2 Thin Film. The 2018 MRS Fall Meeting. 2018
  3. 鷺坂 恵介, 奈良 純, 藤田 大介. Ni(110)-c(22)S表面におけるグラフェンの成長. 2018年 日本表面真空学会学術講演会. 2018
  4. 奈良 純, 山崎 隆浩, 大野 隆央. First principles study on hydrogen intercalation into buffer layer grown on SiC(0001) surface. The Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES 2018). 2018
  5. 肥田 聡太, 森田 巧, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 木下健太郎. 多結晶HfO2薄膜における酸素欠陥の凝集・拡散に関する理論的検討. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  6. 金子 智昭, 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 第一原理計算によるa-,m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  7. NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, OHNO, Takahisa. Theoretical study on hydrogen atom behavior under graphene buffer layer grown on SiC substrate. 34th European Conference on Surface Science. 2018
  8. 田島 暢夫, 奈良 純, 山崎 隆浩, 小沢拓, 新田浩也, 大野 隆央, 大畠広介. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte and Platinum Catalyst: Dissipative Particle Dynamics Simulation Model. First International Conference on 4D Materials and System. 2018
  9. 田島 暢夫, 奈良 純, 山崎 隆浩, 小沢拓, 新田浩也, 大畠広介, 大野 隆央. Hydrated perfluorosulfonic acid electrolyte at platinum interface: Dissipative particle dynamics simulation. International Symposium on Polymer Electrolytes. 2018
  10. 大野隆央, 奈良純, 山崎隆浩, 田島暢夫, 甲賀淳一朗. 低炭素社会実現のための密度汎関数法に基づいた第一原理分子動力学シミュレーション技術の 開発. 平成29年度地球シミュレータ利用報告会. 2018
  11. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤 弘一, 金田千穂子, 大野 隆央, 加藤 弘一. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜炭素クラスターの形成と拡散〜. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  12. 肥田聡太, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 多結晶HfO2における抵抗スイッチング現象の機構解析 -第一原理計算によるアプローチ-. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  13. NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, OHNO, Takahisa. Theoretical study on H intercalation into buffer layer grown on SiC(0001). American Physical Society 2018 March meeting. 2018
2017
  1. NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, OHNO, Takahisa. Theoretical study on H intercalation into buffer layer grown on SiC(0001). International Symposium on Epitaxial Graphene 2017. 2017
  2. YAMASAKI, Takahiro, Yuki Ono, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Initial Process of Graphene Growth on [11-20] Stepped 4H-SiC(0001) Surface Revealed by First-Principles Molecular Dynamics Simulation. International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017). 2017
  3. So Takamoto, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, OHNO, Takahisa, Choko Kaneta, Satoshi Izumi. Nano-second Order Molecular Dynamics Simulations for Graphene Formation Process on SiC. International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017). 2017
  4. 奈良 純. SiC表面上のグラフェンと水素分子の相互作用に関する研究. NIMSナノシミュレーションワークショップ2017. 2017
  5. 鷺坂 恵介, 奈良 純, デビッドボウラー. Si(100)表面の電子状態計算におけるスラブ厚さの影響. 日本物理学会2017年秋期大会. 2017
  6. 長岡 克己, 奈良 純. 単分子架橋のための不整合薄膜成長を利用した表面平坦ナノギャップ構造の作製. 応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  7. 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 金田千穂子, 泉聡志. 分子動力学法によるナノ秒オーダーのSiC表面上のグラフェン成長シミュレーション − 6員環の形成. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  8. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2界面におけるNO酸窒化による炭素窒素置換反応. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  9. NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, OHNO, Takahisa. First principles study on the interaction between hydrogen atoms and the graphene buffer layer grown on the SiC(0001) surface. 33rd European Conference on Surface Science. 2017
  10. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜界面における炭素関連欠陥の電子状態〜. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  11. NARA, Jun, YAMASAKI, Takahiro, OHNO, Takahisa. First-principles Study on Early Stage of Graphene Growth on SiC substrate by Si Sublimation. American Physical Society 2017 March meeting. 2017
  12. 奈良 純. 第一原理計算プログラムPHASE/0による大規模シミュレーション. 第3回材料系ワークショップ 計算物質科学を拓く第一原理計算とその. 2017
2016
  1. 奈良 純. SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関する研究. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2016. 2016
  2. 今泉俊介, 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 泉聡志. SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関するナノ秒オーダーの長時間分子動力学解析. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  3. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2 界面O2 酸化の第一原理シミュレーション 〜SiC(0001)Si 面と(000-1)C 面の違い〜. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  4. 奈良 純, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 大野 隆央. SiC(0001)上のグラフェン成長の傾斜度依存性に関する理論的研究. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  5. NARA, Jun, Jose M. Soler, F&#233;lix Yndur&#225;in, OHNO, Takahisa. First-Principles Calculations on Hydrogen Molecule Diffusion in Clathrate Hydrate. 2016 MRS Spring meeting. 2016
  6. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析. 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  7. TAJIMA, Nobuo, YAMASAKI, Takahiro, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, OHNO, Takahisa. A theoretical study on the thermal oxidation of silicon carbide: Chemical species at the SiO2/SiC interface. American Physical Society March Meeting. 2016
  8. 大野 隆央, 奈良 純, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 甲賀淳一朗. 低炭素社会実現のための密度汎関数法に基づいた第一原理分子動力学シミュレーション技術の 開発. 平成27年度地球シミュレータ利用報告会. 2016
2015
  1. 奈良 純. 4H-SiC中の螺旋転位の構造と電子状態. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2015. 2015
  2. 奈良 純, 山崎 隆浩, 甲賀信一郎, 宇田毅, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位は分裂しているか否か. 先進パワー半導体分科会 第2回講演会. 2015
  3. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面欠陥準位の第一原理解析:欠陥構造の重要性. 先進パワー半導体分科会 第2回講演会. 2015
  4. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. SiC熱酸化により生成するSiO2/SiC界面の化学種に関する理論的研究. 先進パワー半導体分科会第二回講演会. 2015
  5. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 酸素分子による4H-SiC/SiO2界面酸化の第一原理動的シミュレーション. 先進パワー半導体分科会第2回講演会. 2015
  6. 山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  7. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達夫, 加藤弘一, 大野 隆央. シリコン・カーバイド熱酸化プロセスに関する第一原理的研究. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  8. 田島 暢夫, 金子 智昭, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央. 次世代デバイス材用の第一原理シミュレーション. 文部科学省HPCI戦略プログラム分野4統合ワークショップ. 2015
  9. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. A first principles study on CVD graphene growth on copper surface: C-C bonding reactions at graphene edges. American Physical Society March Meeting. 2015
2014
  1. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 小山洋, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 酸素分子による4H-SiC表面酸化の動的シミュレーションおよび第一原理解析. 先進パワー半導体分科会 第1回講演会. 2014
  2. 山崎 隆浩, 小山洋, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)表面酸化過程の動的シミュレーションおよび第一原理解析. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  3. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長に関する第一原理的研究. 応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子反応:第一原理的研究. 応用物理学会春季学術講演会. 2014
  5. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. SiC 基板上での初期のグラフェン成長に対する第一原理分子動力学シミュレーション. 第 61 回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  6. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水 達雄, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)Si 面及ひ&#12441;(000-1)C 面、 それそ&#12441;れの酸化反応の動的シミュレーション. 日本応用物理学会2014年春季年会. 2014
  7. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Carbon atom reactions in CVD graphene growth on copper surface: A first principles study. American physical society march meeting 2014. 2014
  8. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水 達雄, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)面の酸化過程の動的シミュレーション:Si面とC面. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
  9. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一郎, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位の様々な構造. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
2013
  1. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu-CVDグラフェン生成系におけるC-C結合反応に関する第一原理的解析. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会. 2013
  2. 小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)及ひ&#12441;(000-1)表面の酸化反応の動的シミュレーション. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  3. 山崎 隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一郎, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の貫通螺旋転位の構造と電子状態. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  4. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. LiFePO4およびLiMnPO4における二相界面の差異. 第54回電池討論会. 2013
  5. KOYAMA, Hiroshi, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-principles study of the 3C-SiC(1-10) and 4H-SiC(11-20) surface electronic states. ICSCRM 2013. 2013
  6. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. LiMnPO4における二相界面構造の第一原理計算. 電気化学会2013年秋季大会. 2013
  7. YAMASAKI, Takahiro, KOYAMA, Hiroshi, NARA, Jun, KOGA Junichiro, UDA Tsuyoshi, KURODA Akiyoshi, MINAMI Kazuo, OHNO, Takahisa. 4H-SiC Screw Dislocations and Their Electronic Structures. SSDM 2013. 2013
  8. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Carbon atom bonding processes in CVD graphene growth on copper surface: A first principles study. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  9. YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, KOGA Junichiro, UDA Tsuyoshi, KURODA Akiyoshi, MINAMI Kazuo, OHNO, Takahisa. Planewave Based First-Principles Calculations on the 83,000 Nodes K-Computer Applied to SiC Screw Dislocations. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  10. 小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. 3C-SiC(1-10)及ひ&#12441; 4H-SiC(11-20)表面における電子状態とその安定性 . 日本応用物理学会秋期学術講演会. 2013
  11. 小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理計算によるシリコンカーバイド表面の電子状態. NIMSナノシミュレーションワークショップ2013. 2013
  12. 奈良 純. PHASE-SYSTEMの概要・基本機能の紹介及び開発状況. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2013. 2013
  13. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理計算によるLiCoPO4における固溶構造解析. 電気化学会第80回大会. 2013
  14. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. SiC中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究(II). 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  15. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算. 日本物理学会第68回年次大会 . 2013
  16. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Carbon atom bonding processes in CVD graphene growth on copper surface: A first principles study. American physical society march meeting 2013. 2013
  17. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 4H-SiC中の螺旋転位の第一原理計算. 第18回ゲートスタック研究会. 2013
2012
  1. 黒田明義, 南一生, 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 大野 隆央. 超並列でFFTは高速に動かせるか? --- スーパーコンピュータ「京」上でのPHASEの性能最適化を通じて . 第3回CMSI研究会 〜超並列計算が拓く新しい計算物質科学〜. 2012
  2. 奈良 純. 第一原理計算プログラムPHASEによるSiC中螺旋転位の研究. 富士通計算化学ユーザフォーラム2012. 2012
  3. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 第一原理計算によるSiC中の螺旋転位構造と電子状態の解明. 第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2012
  4. 奈良 純, 小山 洋, 大野 隆央. 4H-SiC及び3C-SiCの表面構造と電子状態に関する理論的研究. 第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2012
  5. 浅利裕介, 諏訪雄二, 濱田智之, ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央. オリビン正極材料における二相界面の第一原理解析. 第53回電池討論会. 2012
  6. Kuroda Akiyoshi, Minami Kazuo, Yamasaki Takahiro, NARA, Jun, Koga Junichiro, Uda Tsuyoshi, OHNO, Takahisa. Planewave‐based first‐principles MD calculation on 80,000‐node K‐computer. SC12. 2012
  7. 奈良 純. 4H-SiC中の螺旋欠陥に関する研究. NIMS ナノシミュレーションワークショップ2012. 2012
  8. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する研究. NIMSナノシミュレーションワークショップ2012. 2012
  9. DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Can a small polaron form in Olinive LiNiPO4? A hybrid functional study on the polaron-vacancy complex diffusion. Conference on Computational Physics 2012. 2012
  10. DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Can a small polaron form in Olinive LiNiPO4? A hybrid functional study on the polaron-vacancy complex diffusion. Conference on Computational Physics (CCP2012). 2012
  11. Yamasaki Takahiro, NARA, Jun, Koga Junichiro, Uda Tsuyoshi, Kuroda Akiyoshi, Minami Kazuo, OHNO, Takahisa. Planewave based first-principles calculations on the 80,000 nodes K-computer: Application to SiC screw dislocations. Conference on Computational Physics (CCP2012) . 2012
  12. ONO, Yuki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-Principles Molecular Dynamics Simulations for Graphene Growth Process on Stepped SiC(0001) Surface . CCP2012. 2012
  13. KODERA, Mitsuru, ONO, Yuki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-principles study for initial stage of graphene nucleation at the step of SiC. Conference on Computational Physics 2012. 2012
  14. KOYAMA, Hiroshi, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Structural stability and electronic states of the 3C- and 4H-SiC surfaces. Conference on Computational Physics (CCP2012). 2012
  15. Asari Yusuke, Suwa Yuji, Hamada Tomoyuki, DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-Principles Study of Two-Phase Interface in LiFePO4. PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE. 2012
  16. 山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. SiC中の螺旋転位構造と電子状態. 日本物理学会2012年秋季大会. 2012
  17. 奈良 純, 山崎隆浩, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. SiC 中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究. 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  18. NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Theoretical study on structural stability and electronic states of the 4H-SiC(11-20) and (1-100) surfaces. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials. 2012
  19. ONO, Yuki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Atomic structure and physical properties of graphene near the step edge on SiC(0001) surface. ECSCRM-2012. 2012
  20. Asari Yusuke, Suwa Yuji, Hamada Tomoyuki, DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-Principles Study of Solid-Solution Structure in LiCoPO4. The 16th International Meeting on Lithium Batteries. 2012
  21. Asari Yusuke, Suwa Yuji, Hamada Tomoyuki, DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Structure of Two-Phase Interface in LiFePO4 from First-Principles. The 16th International Meeting on Lithium Batteries. 2012
  22. NARA, Jun, ASARI, Yusuke, OHNO, Takahisa. Mechanism of Halogen Atom Diffusion on Si(111) surface. NIMS CONFERENCE 2012. 2012
  23. 小野 裕己, 奈良 純, 大野 隆央. SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
  24. 奈良 純. ユーザー会/コミュニティー形成への取り組み. 「イノベーション基盤シミュレーションソフトウェアの研究開発」 第4. 2012
2011
  1. 奈良 純. ポータルサイト、ユーザコミュニティの紹介. NIMSナノシミュレーションワークショップ2011. 2011
  2. NARA, Jun, ASARI, Yusuke, OHNO, Takahisa. Theoretical Study on Halogen Atom Diffusion on Si(111) Surface : Complex Diffusion or Simple Hopping Diffusion. ACSIN11. 2011
  3. Yusuke Asari , Yuji Suwa, Tomoyuki Hamada, DINH, An Van, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Formation Mechanisms of Lithium Vacancy in Olivine Positive. 62nd Annual Meeting of ISE. 2011
  4. ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央, Asari Y, Suwa Y, Hamada T. Li Diffusion and Polaron Migration in LiFeMnPO4. 2011年(平成23年)秋季 応用物理学会. 2011
  5. ディン アン バン, 奈良 純, 大野 隆央, Asari Y, Suwa Y, Hamada T. Li Diffusion and Polaron Migration in LiFeMnPO4. 2011年(平成23年)秋季応用物理学会. 2011
  6. 三石 和貴, 大西 剛, 高田 和典, 橋本 綾子, 藤田 大介, 竹口 雅樹, 大野 隆央, 奈良 純. (111)配向したLa0.55 Li0.33TiO3膜中の板状欠陥の高分解能STEM観察. 日本顕微鏡学会67回学術講演会. 2011
2010
  1. 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性. 日本物理学会2010年秋季大会プログラム. 2010
  2. 小田将人, 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用. 日本物理学会第65回年次大会. 2010
2009
  1. NARA, Jun, ASARI, Yusuke, OHNO, Takahisa. First-Principles Study on the mechanism of Halogen atom diffusion on Si(111) surface. 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces. 2009
  2. NARA, Jun, OHTAKE, Akihiro, OHNO, Takahisa. Initial growth structure of Ge on GaAs(001). 2009 MRS Spring Meeting. 2009
  3. 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性. 日本物理学会第64回年次大会. 2009
  4. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 大塚 教雄. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用 . 特定領域「次世代量子デザイン」第4回成果報告会 . 2009
  5. NARA, Jun, OHTAKE, Akihiro, OHNO, Takahisa. Investigation on Ge induced GaAs(001)-(1x2) structure. American Physical Society 2009 March Meeting. 2009
2008
  1. KONDO, Hisashi, NARA, Jun, KINO, Hiori, OHNO, Takahisa. Transport Properties for Biphenyl-Based Molecular Junction System. The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechn. 2008
  2. 近藤 恒, 奈良 純, 木野 日織, 大野 隆央. 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性―分子電極間相互作用の役割―. 日本物理学会2008年秋季大会. 2008
  3. 大竹 晃浩, 奈良 純, 安田哲二, 宮田典幸. GaAs(001)-(1x2)-Ge吸着構造. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  4. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 大塚 教雄. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 特定領域研究「次世代量子シミュレータ・量子デザイン手法の開発と応. 2008
  5. NARA, Jun, ASARI, Yusuke, OHNO, Takahisa. Theoretical Study on F atom diffusion on Si(111) surface. American Physical Society 2008 March Meeting. 2008
2007
  1. Masato Oda, W.T. Geng, NARA, Jun, KONDO, Hisashi, OHNO, Takahisa. Theoretical Study of nanosize current switching device, using styrene molecule on H-terminated Si(100) surfaces. 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces. 2007
  2. 奈良 純, 浅利 裕介, 大野 隆央. Si(111)表面上のF原子拡散. 平成19年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会. 2007
  3. 小田将人, 耿文通, 奈良 純, 近藤 恒, 大野 隆央. ナノ電流スイッチに関する理論的研究. 日本物理学会 第62回年次大会. 2007
  4. 浅利 裕介, 籾田 浩義, 藤本義隆, 奈良 純, 大野 隆央. アモルファスAl2O3中における水素の存在状態に関する理論的検討. 応用物理学会2007年秋季第68回学術講演会. 2007
  5. 奈良 純, 近藤 恒, 大野 隆央, 山崎隆浩. Siに挟まれたSiO2薄膜の電子状態計算. 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  6. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 科研費特定領域研究「次世代量子シミュレータ〜」平成19年度顔合わせ会議. 2007
  7. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 大塚 教雄, 尾崎泰助. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 科研費特定領域研究 「次世代量子シミュレータ・量子デザイン手法の. 2007
  8. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究. 日本物理学会 2007年春季大会. 2007
  9. 小田 将人, 大野 隆央, 奈良 純, 近藤 恒. スチレン分子列の伝導特性. 日本物理学会2007年春季大会. 2007
2006
  1. ASARI, Yusuke, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. First-Principles Study of Halogen Diffusion on Si(111) Surfaces. International Conference on Quantum Simulators and Design. 2006
  2. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  3. 奈良 純, 大野 隆央. Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  4. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. Si(111)-(7×7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  5. 大野 隆央, 宮崎 剛, 木野 日織, 西野 正理, 奈良 純, 館山 佳尚, 尾崎 泰助. 第一原理オーダーN手法の開発とナノ物質への応用. 科研費特定領域研究「量子デザイン手法の開発」第1回研究報告会. 2006
  6. 奈良 純. ASCOTの説明と使用方法. 戦略的基盤ソフトウェア普及セミナー(第5回). 2006
2005
  1. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. Si(111)-(7x7)表面上に吸着したF原子の拡散. 第25回表面科学講演大会. 2005
  2. FUJIMOTO, Yoshitaka, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Density-functional study of electronic and transport properties in atomic-scale alumina films. The 8th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure . 2005
  3. 奈良 純, 大野 隆央. 有機分子架橋系の電気伝導特性. 平成17年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノ半導. 2005
  4. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算. 日本物理学会 2005年秋季大会. 2005
  5. 檜貝 信一, 奈良 純, 大野 隆央. Au(111)表面におけるTTF-TCNQ電荷移動錯体SAMの理論的研究. 2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  6. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性. 日本物理学会第60回年次大会. 2005
2004
  1. 檜貝 信一, 奈良 純, 大野 隆央. Au(111)表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性:理論的研究. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  2. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  3. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央, 小林伸彦. Al原子細線における電極構造と電気伝導特性. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  4. NARA, Jun, OHNO, Takahisa. Theoretical study on electron transport properties of an organic Molecule. 2004 E-MRS Fall meeting. 2004
  5. ASARI, Yusuke, NARA, Jun, 小林伸彦, OHNO, Takahisa. Transport properties of Al monatomic nanowires. International Conference on Solid Films and Surfaces. 2004
  6. 奈良 純, 檜貝 信一, 森川良忠, 大野 隆央. Au(111)表面上のベンゼンチオールの吸着構造に関する理論的研究. 2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
  7. 檜貝 信一, 奈良 純, 大野 隆央. Au(111)表面におけるチオレート分子吸着のテール分子依存性の理論的研究. 2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
  8. 近藤 恒, 木野 日織, 奈良 純, 尾崎泰助, 大野 隆央. 金電極に挟まれた分子の伝導特性. 日本物理学会2004年年次大会. 2004
  9. 奈良 純, 耿 文通, 木野 日織, 小林伸彦, 塚田捷, 大野 隆央. 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  10. 浅利 裕介, 奈良 純, 大野 隆央. Al原子細線の電気伝導特性. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  11. 藤本 義隆, 浅利 裕介, 近藤 恒, 奈良 純, 大野 隆央. 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  12. 高橋 憲彦, 奈良 純, 宇田毅, 中村 美道, 大野 隆央. 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論. 日本物理学会 第59回年次大会. 2004
  13. 奈良 純, 耿 文通, 浅利 裕介, 木野 日織, 大野 隆央. 伝導特性の解析:ナノ物質の量子伝導. 戦略的基盤ソフトウェアの開発:ナノシミュレーション. 2004
  14. 奈良 純, 耿 文通, 木野 日織, 大野 隆央. 金属電極に挟まれた有機単分子の伝導特性に関する理論計算. ナノテクノロジーを用いた電子デバイス実現に向けて. 2004

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
公開特許
  1. 特開2010161349号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)
外国特許
  1. No. CN103474354A Semiconductor device, process for producing semiconductor device, semiconductor substrate, and process for producing semiconductor substrate (2013)
  2. No. CN102239549A The method for manufacturing the semiconductor device, semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor substrate and the semiconductor substrate (2011)
  3. No. US20110233689A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2011)
  4. No. KR2011091507A SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2011)
  5. No. TW201030968A Semiconductor device, method for making a semiconductor device, semiconductor substrate, and method for making a semiconductor substrate (2010)
  6. No. WO2010067525A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2010)

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