Diffusion Mechanism of Ge Atoms on the Hydrogen-terminated Si Surfaces
(水素終端Si表面におけるGe原子の拡散メカニズム)
The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Con. 2001年07月30日-2001年08月04日. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 02:12:39 +0900 更新時刻: 2024-03-05 11:39:18 +0900