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研究内容
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ナノ構造、機能探索、第一原理解析
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Hirofumi Tsukasaki, Yota Mori, Misae Otoyama, So Yubuchi, Takamasa Asano, Yoshinori Tanaka, Takahisa Ohno, Shigeo Mori, Akitoshi Hayashi, Masahiro Tatsumisago. Crystallization behavior of the Li2S–P2S5 glass electrolyte in the LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2 positive electrode layer. Scientific Reports. 8 [1] (2018) 10.1038/s41598-018-24524-7
- Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. First-principles modeling of defect-free abrupt SiC/SiO2 interfaces on a- and m-face 4H-SiC. Applied Physics Express. 11 [10] (2018) 101304 10.7567/apex.11.101304
- Yoshiyuki Inaguma, Koki Funayama, Akihisa Aimi, Daisuke Mori, Yosuke Hamasaki, Koichiro Ueda, Minoru Ikeda, Takahisa Ohno, Kazutaka Mitsuishi. Effect of lithium isotopes on the phase transition in NASICON-type lithium-ion conductor LiZr2(PO4)3. Solid State Ionics. 321 (2018) 29-33 10.1016/j.ssi.2018.04.002
書籍
- OHNO, Takahisa. 最近の計算科学の発展. 新訂版・表面科学の基礎と応用 日本表面科学編. 2004 , 564-566
- ITO, Makoto, OHNO, Takahisa. Kinetic Monte Carlo simulations of GaAs(001) homoepitaxy and their implications on experimental physics. Recent Research Development in Physics, 5（Transworld Research Network). 2004 , 607-649
- OHNO, Takahisa. 計算シミュレーションと分析データ解析. 表面分析技術選書「計算ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝと分析ﾃﾞｰﾀ解析」第3章 （日本表面科学会編）. 2007 , 53-70
会議録
- TAJIMA, Nobuo, OHNO, Takahisa, HAMADA, Tomoyuki, YONEDAKatsumi, KOBAYASHINobuyoshi, SHINRIKIManabu, MIYAZAWAKazuhiro, SAKOTAKaoru, HASAKASatoshi, INOUEMinoru. Carbon-Rich SiOCH Films with Hydrocarbon Network Bonds for Low-k Dielectrics:First-Principles Investigation. Proceeding of the 2006 International Interconnect Technology Conference. 2006, 122-125
- UMEZAWA, Naoto, Kenji Shiraishi , Yasushi Akasaka, Seiji Inumiya, Akira Uedeno , Seiichi Miyazaki , CHIKYOW, Toyohiro, OHNO, Takahisa, Yasuo Nara, Keisaku Yamada . Reduction in Oxygen Vacancy Formation Energy Caused by Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Gate Dielectrics. SISC ABSTRACT. 2005, 8.3-8.3
- UMEZAWA, Naoto, Kenji Shiraishi, Seiichi Miyazaki, Akira Uedono, Yasushi Akasaka, Seiji Inumiya, Atsushi Oshiyama, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, MOMIDA, Hiroyoshi, OHNO, Takahisa, OHMORI, Kenji, CHIKYOW, Toyohiro, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. Role of the ionicity in defect formation of Hf-based dielectrics. ECS Transactions. 2007, 199-211
口頭発表
- OHNO, Takahisa. 計算科学による材料探索-Low-k材料開発を例として-. 半導体界面制御技術第154委員会 第73回研究会 . 2010
- OYAMA, Norihisa, OHNO, Takahisa. Effect of Hydrogen on the Migration Processes of Dislocations in Silicon. APS March meeting 2006. 2006
- OHNO, Takahisa. Quantum Simulations for Nanoscience and Nanotechnology -Theoretical Study on Surface Dynamics -. 第2回NIMS/MPI-MF Workshop . 2003
特許
- 特許第4997435号 絶縁膜用材料およびその成膜方法 (2012)
- 特許第4887342号 誘電体導波路及びその製造方法 (2011)
- 特許第5505680号 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 (2014)
第二期開発予定
第二期開発予定