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研究内容
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ナノ構造、機能探索、第一原理解析
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Nobuo Tajima, Jun Nara, Takahiro Yamasaki, Taku Ozawa, Hiroya Nitta, Kosuke Ohata, Takahisa Ohno. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte and Platinum Catalyst: Construction of a Dissipative Particle Dynamics Simulation Model. Journal of The Electrochemical Society. 166 [9] (2019) B3156-B3162 10.1149/2.0201909jes
- Takahiro Yamasaki, Akiyoshi Kuroda, Toshihiro Kato, Jun Nara, Junichiro Koga, Tsuyoshi Uda, Kazuo Minami, Takahisa Ohno. Multi-axis decomposition of density functional program for strong scaling up to 82,944 nodes on the K computer: Compactly folded 3D-FFT communicators in the 6D torus network. Computer Physics Communications. 244 (2019) 264-276 10.1016/j.cpc.2019.04.008
- Boyi Zhang, Rodrigo Sato, Hiroyoshi Momida, Takahisa Ohno, Mykhailo Chundak, Masanobu Naito, Michiko Yoshitake, Yoshihiko Takeda. Spectral dependence of the third-order optical susceptibility of Au nanostructures: Experiments and first-principles calculations. Physical Review B. 100 [3] (2019) 10.1103/physrevb.100.035446
書籍
- 大野 隆央. 最近の計算科学の発展. 新訂版・表面科学の基礎と応用 日本表面科学編. , 2004, 564-566.
- ITO, Makoto, OHNO, Takahisa. Kinetic Monte Carlo simulations of GaAs(001) homoepitaxy and their implications on experimental physics. Recent Research Development in Physics, 5（Transworld Research Network). , 2004, 607-649.
- 大野 隆央. 計算シミュレーションと分析データ解析. 表面分析技術選書「計算ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝと分析ﾃﾞｰﾀ解析」第3章 （日本表面科学会編）. , 2007, 53-70.
会議録
- TAJIMA, Nobuo, OHNO, Takahisa, HAMADA, Tomoyuki, YONEDAKatsumi, KOBAYASHINobuyoshi, SHINRIKIManabu, MIYAZAWAKazuhiro, SAKOTAKaoru, HASAKASatoshi, INOUEMinoru. Carbon-Rich SiOCH Films with Hydrocarbon Network Bonds for Low-k Dielectrics:First-Principles Investigation. Proceeding of the 2006 International Interconnect Technology Conference. 2006, 122-125
- UMEZAWA, Naoto, Kenji Shiraishi , Yasushi Akasaka, Seiji Inumiya, Akira Uedeno , Seiichi Miyazaki , CHIKYOW, Toyohiro, OHNO, Takahisa, Yasuo Nara, Keisaku Yamada . Reduction in Oxygen Vacancy Formation Energy Caused by Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Gate Dielectrics. SISC ABSTRACT. 2005, 8.3-8.3
- UMEZAWA, Naoto, Kenji Shiraishi, Seiichi Miyazaki, Akira Uedono, Yasushi Akasaka, Seiji Inumiya, Atsushi Oshiyama, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, MOMIDA, Hiroyoshi, OHNO, Takahisa, OHMORI, Kenji, CHIKYOW, Toyohiro, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. Role of the ionicity in defect formation of Hf-based dielectrics. ECS Transactions. 2007, 199-211
口頭発表
- 大野 隆央. 計算科学による材料探索-Low-k材料開発を例として-. 半導体界面制御技術第154委員会 第73回研究会 . 2010
- OYAMA, Norihisa, OHNO, Takahisa. Effect of Hydrogen on the Migration Processes of Dislocations in Silicon. APS March meeting 2006. 2006
- 大野 隆央. Quantum Simulations for Nanoscience and Nanotechnology -Theoretical Study on Surface Dynamics -. 第2回NIMS/MPI-MF Workshop . 2003
特許
- 特許第3987922号 ナノ構造の選択的形成方法 (2007)
- 特許第4997435号 絶縁膜用材料およびその成膜方法 (2012)
- 特許第5317089号 成膜方法および絶縁膜 (2013)
第二期開発予定
第二期開発予定