- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
量子情報通信、等電子トラップ、MOCVD、遷移金属ダイカルコゲナイド
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438
- Xu Yang, Shisheng Li, Yoshiki Sakuma. Highly Efficient Deposition of Centimeter‐Scale MoS 2 Monolayer Film on Dragontrail Glass with Large Single‐Crystalline Domains. Small Methods. 6 [12] (2022) 2201079 10.1002/smtd.202201079
- Taketo Aihara, Ruoxi Wang, Xu Yang, Yoshiki Sakuma, Ayako Omura Okano, Michio Ikezawa. Observation of strain relaxing in nanoscale WS2 monolayers grown on SiO2/Si by organic solvent treatment. Japanese Journal of Applied Physics. 61 [7] (2022) 071003 10.35848/1347-4065/ac78af
書籍
- SAKUMA, Yoshiki. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. , 2011, 67-88.
- SAKUMA, Yoshiki. CVD成長膜. ナノテクノロジー大事典（工業調査会）. , 2003, 185-200.
- SAKUMA, Yoshiki. 量子ドットとエピタキシー. エピタキシャル成長のフロンティア (共立出版）. , 2002, 52-72.
会議録
- MIYAZAWA Toshiyuki, TAKEMOTO Kazuya, NAMBU Yoshihiro, MIKI Shigehito, TAMASHITA Taro, TERAI Hirotaka, FUJIWARA Mikio, SASAKI Masahide, SAKUMA, Yoshiki, TAKATSU Motomu, YAMAMOTO Tsuyoshi, ARAKAWA Yasuhiko. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. (2014) 304-306 10.1380/ejssnt.2014.304
- Takaaki Mano, Masafumi Jo, Takashi Kuroda, Martin Elborg, Takeshi Noda, Yoshimasa Sugimoto, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Nitrogen-Concentration Control in GaNAs/AlGaAs Quantum Wells Using Nitrogen δ-doping Technique. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. (2014) 10.1063/1.4878293
口頭発表
- 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2 – WSe2多層積層構造のMBE成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
- 佐久間 芳樹, 楊 旭, 池田 直樹. オキシクロライドCVD法によるサファイア基板上WS2のリモート触媒成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
- 石田 峻之, 楊 旭, 王 若曦, 相原 健人, 佐久間 芳樹, 池沢 道男, 天野 浩. AlN上多層hBN膜中の欠陥からの室温における単一光子発生. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
その他の文献
- FUJIWARA Mikio, TAKEMOTO Kazuya, NAMBU Yoshihiro, MIYAZAWA Toshiyuki, MIKI Shigehito, YAMASHITA Taro, TERAI Hirotaka, SASAKI Masahide, SAKUMA, Yoshiki, TAKATSU Motomu, YAMAMOTO Tsuyoshi, YOROZU Shinichi, ARAKAWA Yasuhiko. 量子ドットを用いた単一光子源と量子暗号通信応用. 光学. 47 [2] (2018) 54-59
- Yoshiki Sakuma, Michio Ikezawa, Liao Zhang. Single-Photon Generation from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Micro- and Nanophotonic Technologies (WILEY-VCH). (2017) 125-141 10.1002/9783527699940.ch7
- MIYAZAWA Toshiyuki, TAKEMOTO Kazuya, NAMBU Yoshihiro, MIKI Shigehito, TAMASHITA Taro, TERAI Hirotaka, FUJIWARA Mikio, SASAKI Masahide, SAKUMA, Yoshiki, TAKATSU Motomu, YAMAMOTO Tsuyoshi, ARAKAWA Yasuhiko. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
特許
- 特許第7002126号 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子 (2022)
- 特許第5071703号 半導体製造装置 (2012)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特開2008053589号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2008)
- 特開2008042002号 半導体製造装置 (2008)
- 特開2009054814号 電子素子 (2009)
所属学会
応用物理学会