- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
量子情報通信、等電子トラップ、MOCVD、遷移金属ダイカルコゲナイド
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438 10.1002/advs.202004438
- Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Scalable growth of atomically thin MoS2 layers in a conventional MOCVD system using molybdenum dichloride dioxide as the molybdenum source. Applied Surface Science. 636 (2023) 157756 10.1016/j.apsusc.2023.157756
- Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Takuya Kawazu, Hideki T. Miyazaki, Yoshiki Sakuma. Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface. ACS Applied Materials & Interfaces. 15 [24] (2023) 29636-29642 10.1021/acsami.3c05725
書籍
- 佐久間 芳樹. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. , 2011, 67-88.
- 佐久間 芳樹. CVD成長膜. ナノテクノロジー大事典（工業調査会）. , 2003, 185-200.
- 佐久間 芳樹. 量子ドットとエピタキシー. エピタキシャル成長のフロンティア (共立出版）. , 2002, 52-72.
会議録
- 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. (2014) 304-306 10.1380/ejssnt.2014.304
- Takaaki Mano, Masafumi Jo, Takashi Kuroda, Martin Elborg, Takeshi Noda, Yoshimasa Sugimoto, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Nitrogen-Concentration Control in GaNAs/AlGaAs Quantum Wells Using Nitrogen δ-doping Technique. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. (2014) 10.1063/1.4878293
口頭発表
- YANG, Xu, LI, Shisheng, OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. Scalable growth of atomically-thin MoS2 layers in conventional MOCVD system using molybdenum oxychloride as the molybdenum source. ICCGE-20. 2023
- 佐久間 芳樹, 楊 旭, 池田 直樹. オキシクロライドCVD法によるサファイア基板上WS2のリモート触媒成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
- 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2 – WSe2多層積層構造のMBE成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
その他の文献
- 藤原幹生, 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 量子ドットを用いた単一光子源と量子暗号通信応用. 光学. 47 [2] (2018) 54-59
- Yoshiki Sakuma, Michio Ikezawa, Liao Zhang. Single-Photon Generation from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Micro- and Nanophotonic Technologies (WILEY-VCH). (2017) 125-141 10.1002/9783527699940.ch7
- 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
特許
- 特許第7002126号 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子 (2022)
- 特許第5071703号 半導体製造装置 (2012)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特開2008053589号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2008)
- 特開2008042002号 半導体製造装置 (2008)
- 特開2009054814号 電子素子 (2009)
所属学会
応用物理学会