- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
量子情報通信、等電子トラップ、MOCVD、遷移金属ダイカルコゲナイド
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma. Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates. Scientific Reports. 10 [1] (2020) 10.1038/s41598-020-61527-9
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 124 [9] (2020) 5196-5203 10.1021/acs.jpcc.9b11278
- Ruoxi Wang, Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Takeda, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Kazuaki Sakoda, Yuuta Yamada, Yasuaki Masumoto. Enhanced Spontaneous Emission Rates for Single Isoelectronic Luminescence Centers in Photonic Crystal Cavities. ACS Photonics. 7 [2] (2020) 321-326 10.1021/acsphotonics.9b00616
書籍
- 佐久間 芳樹. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. , 2011, 67-88.
- 佐久間 芳樹. CVD成長膜. ナノテクノロジー大事典（工業調査会）. , 2003, 185-200.
- 佐久間 芳樹. 量子ドットとエピタキシー. エピタキシャル成長のフロンティア (共立出版）. , 2002, 52-72.
会議録
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019, SIIB05-1-SIIB05-5
- 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. 2015, 14-18
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2014, 304-306
口頭発表
- 間野 高明, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 迫田 和彰, 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
- YANG, Xu, IKEDA, Naoki, SAKUMA, Yoshiki. OSS-CVD for MoS2 Monolayers: A New Approach Utilizing Oxide-Scale Sublimation of Molybdenum. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
- 松山 享平, 佐久間 芳樹, 池沢 道男. 真空中でのUV 光照射による単層WS2 の発光増大効果. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
その他の文献
- 藤原幹生, 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 量子ドットを用いた単一光子源と量子暗号通信応用. 光学. 47 [2] (2018) 54-59
- Yoshiki Sakuma, Michio Ikezawa, Liao Zhang. Single-Photon Generation from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Micro- and Nanophotonic Technologies (WILEY-VCH). (2017) 125-141 10.1002/9783527699940.ch7
- 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームＣＶＤ法によるＧａＮ立体構造の作製と評価. BULLETIN OF THE JAPAN ELECTRONIC MATERIALS SOCIETY(日本電子材料技術協会会報). 37 (2006) 37-39
特許
- 特許第5071703号 半導体製造装置 (2012)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特許第4873705号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2011)
所属学会
応用物理学会