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研究内容
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量子情報通信、等電子トラップ、MOCVD、遷移金属ダイカルコゲナイド
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma. Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates. Scientific Reports. 10 [1] (2020) 10.1038/s41598-020-61527-9
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 124 [9] (2020) 5196-5203 10.1021/acs.jpcc.9b11278
- Ruoxi Wang, Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Takeda, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Kazuaki Sakoda, Yuuta Yamada, Yasuaki Masumoto. Enhanced Spontaneous Emission Rates for Single Isoelectronic Luminescence Centers in Photonic Crystal Cavities. ACS Photonics. 7 [2] (2020) 321-326 10.1021/acsphotonics.9b00616
書籍
- SAKUMA, Yoshiki. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. 2011 , 67-88
- SAKUMA, Yoshiki. CVD成長膜. ナノテクノロジー大事典（工業調査会）. 2003 , 185-200
- SAKUMA, Yoshiki. 量子ドットとエピタキシー. エピタキシャル成長のフロンティア (共立出版）. 2002 , 52-72
会議録
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019, SIIB05-1-SIIB05-5
- KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, TAKEMOTOKazuya, USUKITatsuya. Decoherence of single photons from an InAs/InP quantum dot emitting at a 1.3 μm wavelength. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2009, 944-947
- TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN heterostructures. AMTC Letters. 2008, 66-67
口頭発表
- 竹本一矢, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. 2段階キャップInAs/InP単一量子ドットからの1.3-1.55μm帯単一励起子発光. 第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
- HA, Neul, MANO, Takaaki, LIU, Xiangming, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, OHTAKE, Akihiro, CASTELLANO, Andrea, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
- NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. GaN Film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第16回日本MRS学術シンポジウム(国際シンポジウム) . 2005
特許
- 特許第5071703号 半導体製造装置 (2012)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特許第4873705号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2011)
所属学会
応用物理学会
第二期開発予定
第二期開発予定