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研究内容
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量子情報通信、等電子トラップ、MOCVD、遷移金属ダイカルコゲナイド
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Takaaki Mano, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Double-Sided Nonalloyed Ohmic Contacts to Si-doped GaAs for Plasmoelectronic Devices. ACS Omega. 4 [4] (2019) 7300-7307 10.1021/acsomega.8b03260
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Heteroepitaxy of MoSe2 on Si(111) substrates: Role of surface passivation. Applied Physics Letters. 114 [5] (2019) 053106 10.1063/1.5083974
- Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Yoshiki Sakuma. Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers. ACS Omega. 3 [11] (2018) 15592-15597 10.1021/acsomega.8b02359
書籍
- 佐久間 芳樹. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. 2011 , 67-88
- 佐久間 芳樹. CVD成長膜. ナノテクノロジー大事典（工業調査会）. 2003 , 185-200
- 佐久間 芳樹. 量子ドットとエピタキシー. エピタキシャル成長のフロンティア (共立出版）. 2002 , 52-72
会議録
- KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, TAKEMOTOKazuya, USUKITatsuya. Decoherence of single photons from an InAs/InP quantum dot emitting at a 1.3 μm wavelength. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2009, 944-947
- TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN heterostructures. AMTC Letters. 2008, 66-67
- IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi. Effects of surface states on hydrogen sensing performance of Pt-GaN Schottky diodes. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2008, 2985-2987
口頭発表
- 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. 2段階キャップInAs/InP単一量子ドットからの1.3-1.55μm帯単一励起子発光. 第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
- HA, Neul, MANO, Takaaki, LIU, Xiangming, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, OHTAKE, Akihiro, CASTELLANO, Andrea, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
- NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. GaN Film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第16回日本MRS学術シンポジウム(国際シンポジウム) . 2005
特許
- 特許第5071703号 半導体製造装置 (2012)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特許第4873705号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2011)
所属学会
応用物理学会
第二期開発予定
第二期開発予定