- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
量子情報通信、等電子トラップ、MOCVD、遷移金属ダイカルコゲナイド
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438 10.1002/advs.202004438 Open Access
- Yoshiki Sakuma, Keisuke Atsumi, Takanobu Hiroto, Jun Nara, Akihiro Ohtake, Yuki Ono, Takashi Matsumoto, Yukihiro Muta, Kai Takeda, Emi Kano, Toshiki Yasuno, Xu Yang, Nobuyuki Ikarashi, Asato Suzuki, Michio Ikezawa, Shuhong Li, Tomonori Nishimura, Kaito Kanahashi, Kosuke Nagashio. Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics. Nature Communications. 17 [1] (2026) 602 10.1038/s41467-026-68320-8 Open Access
- Akihiro Ohtake, Jun Nara, Yoshiki Sakuma. Epitaxial configuration of unidirectionally aligned MoS2 monolayer on sapphire. Journal of Applied Physics. 139 [2] (2026) 024303 10.1063/5.0303598 Open Access
書籍
- 佐久間 芳樹. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. , 2011, 67-88.
- 佐久間 芳樹. CVD成長膜. ナノテクノロジー大事典（工業調査会）. , 2003, 185-200.
- 佐久間 芳樹. 量子ドットとエピタキシー. エピタキシャル成長のフロンティア (共立出版）. , 2002, 52-72.
会議録
- 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. (2014) 304-306 10.1380/ejssnt.2014.304
- Takaaki Mano, Masafumi Jo, Takashi Kuroda, Martin Elborg, Takeshi Noda, Yoshimasa Sugimoto, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Nitrogen-Concentration Control in GaNAs/AlGaAs Quantum Wells Using Nitrogen δ-doping Technique. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. (2014) 10.1063/1.4878293
口頭発表
- SAKUMA, Yoshiki, HIROTO, Takanobu, NARA, Jun, OHTAKE, Akihiro, 小野 祐樹, 松本 貴士. Grain Boundary-mediated Self-aligned Single Crystallization of MoS2 Monolayers on Sapphire Substrates in MOCVD. RPGR 2025 (The 16th International Conference on Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research). 2025
- J. Chang, S. Li, H. Maekawa, T. Nishimura, SAKUMA, Yoshiki, NAGATA, Takahiro, K. Nagashio. Interface Engineering of MOCVD-Grown MoS2 on Sapphire for High On/Off Ratio FETs. The 16th International Conference on Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research (RPGR2025). 2025
- OHTAKE, Akihiro, NARA, Jun, SAKUMA, Yoshiki. Epitaxial orientation of monolayer MoS2(0001) on sapphire. RPGR 2025 (The 16th International Conference on Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research). 2025
その他の文献
- 藤原幹生, 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 量子ドットを用いた単一光子源と量子暗号通信応用. 光学. 47 [2] (2018) 54-59
- Yoshiki Sakuma, Michio Ikezawa, Liao Zhang. Single-Photon Generation from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Micro- and Nanophotonic Technologies (WILEY-VCH). (2017) 125-141 10.1002/9783527699940.ch7
- 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
公開特許出願
- 半導体製造装置 (2008)
- 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2008)
- 電子素子 (2009)
所属学会
応用物理学会
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