- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
量子情報通信、等電子トラップ、MOCVD、遷移金属ダイカルコゲナイド
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438-1-2004438-8
- Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Yoshiki Sakuma. Oxide Scale Sublimation Chemical Vapor Deposition for Controllable Growth of Monolayer MoS <sub>2</sub> Crystals. Small Methods. 6 [2] (2022) 2101107 10.1002/smtd.202101107
- Shisheng Li, Yung-Chang Lin, Jinhua Hong, Bo Gao, Hong En Lim, Xu Yang, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Kazuhito Tsukagoshi, Yoshiki Sakuma, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Mixed-Salt Enhanced Chemical Vapor Deposition of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides. Chemistry of Materials. 33 [18] (2021) 7301-7308 10.1021/acs.chemmater.1c01652
書籍
- 佐久間 芳樹. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. , 2011, 67-88.
- 佐久間 芳樹. CVD成長膜. ナノテクノロジー大事典（工業調査会）. , 2003, 185-200.
- 佐久間 芳樹. 量子ドットとエピタキシー. エピタキシャル成長のフロンティア (共立出版）. , 2002, 52-72.
会議録
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019, SIIB05-1-SIIB05-5
- 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. 2015, 14-18
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2014, 304-306
口頭発表
- 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹. InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
- 楊 旭, 李 世勝, 池田 直樹, 佐久間 芳樹. Oxide Scale Sublimation Chemical Vapor Deposition: Controllable Growth of Monolayer MoS2. 2021 MRS Fall Meeting. 2021
- 楊 旭, 佐久間 芳樹. New CVD techniques for synthesizing monolayer transition metal dichalcogenides and prospects toward future nanophotonics. 2021 Materials Research Society-Taiwan International Conference (2021 MRSTIC). 2021
その他の文献
- 藤原幹生, 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 量子ドットを用いた単一光子源と量子暗号通信応用. 光学. 47 [2] (2018) 54-59
- Yoshiki Sakuma, Michio Ikezawa, Liao Zhang. Single-Photon Generation from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Micro- and Nanophotonic Technologies (WILEY-VCH). (2017) 125-141 10.1002/9783527699940.ch7
- 佐久間 芳樹. III-V族半藤対中のドーピング原子からエネルギーのそろった単一光子の発生に成功. 電子情報通信学会誌（ニュース欄）. (2008) 70-71
特許
- 特許第5071703号 半導体製造装置 (2012)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特許第4873705号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2011)
- 特開2008053589号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2008)
- 特開2008042002号 半導体製造装置 (2008)
- 特開2009054814号 電子素子 (2009)
所属学会
応用物理学会