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佐久間 芳樹
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  • 論文・発表

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研究論文 TSV

2018
  1. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Yoshiki Sakuma. Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers. ACS Omega. 3 [11] (2018) 15592-15597 10.1021/acsomega.8b02359
  2. Martin Elborg, Yuanzhao Yao, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Raman Bekarevich, Kazutaka Mitsuishi. Carrier Transfer in Closely Stacked GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Using Droplet Epitaxy. Journal of the Korean Physical Society. 72 [11] (2018) 1356-1363 10.3938/jkps.72.1356
  3. T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma. Optical AND operation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor. Applied Physics Letters. 112 [7] (2018) 072101 10.1063/1.5010845
  4. FUJIWARA Mikio, TAKEMOTO Kazuya, NAMBU Yoshihiro, MIYAZAWA Toshiyuki, MIKI Shigehito, YAMASHITA Taro, TERAI Hirotaka, SASAKI Masahide, SAKUMA, Yoshiki, TAKATSU Motomu, YAMAMOTO Tsuyoshi, YOROZU Shinichi, ARAKAWA Yasuhiko. 量子ドットを用いた単一光子源と量子暗号通信応用. 光学. 47 [2] (2018) 54-59
2016
  1. Neul Ha, Takaaki Mano, Yu-Nien Wu, Ya-Wen Ou, Shun-Jen Cheng, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Takashi Kuroda. Wavelength extension beyond 1.5 µm in symmetric InAs quantum dots grown on InP(111)A using droplet epitaxy. Applied Physics Express. 9 [10] (2016) 101201 10.7567/apex.9.101201
  2. T. Miyazawa, K. Takemoto, Y. Nambu, S. Miki, T. Yamashita, H. Terai, M. Fujiwara, M. Sasaki, Y. Sakuma, M. Takatsu, T. Yamamoto, Y. Arakawa. Single-photon emission at 1.5 μm from an InAs/InP quantum dot with highly suppressed multi-photon emission probabilities. Applied Physics Letters. 109 [13] (2016) 132106 10.1063/1.4961888
  3. Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Neul Ha, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Growth of Metamorphic InGaAs on GaAs (111)A: Counteracting Lattice Mismatch by Inserting a Thin InAs Interlayer. Crystal Growth & Design. 16 [9] (2016) 5412-5417 10.1021/acs.cgd.6b00899
  4. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Effects of Ga deposition rate and Sb flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs. physica status solidi (c). (2016) 10.1002/pssc.201600109
  5. M. Elborg, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma. Optical transitions in GaNAs quantum wells with variable nitrogen content embedded in AlGaAs. AIP Advances. 6 [6] (2016) 065208 10.1063/1.4953894
  6. T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma, H. Sakaki. Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy. AIP Advances. 6 [4] (2016) 045312 10.1063/1.4947464
  7. Maidhily Manikandan, Toyokazu Tanabe, Gubbala V. Ramesh, Rajesh Kodiyath, Shigenori Ueda, Yoshiki Sakuma, Yusaku Homma, Arivuoli Dakshanamoorthy, Katsuhiko Ariga, Hideki Abe. Tailoring the surface-oxygen defects of a tin dioxide support towards an enhanced electrocatalytic performance of platinum nanoparticles. Physical Chemistry Chemical Physics. 18 [8] (2016) 5932-5937 10.1039/c5cp04714e
2015
  1. Kazuya Takemoto, Yoshihiro Nambu, Toshiyuki Miyazawa, Yoshiki Sakuma, Tsuyoshi Yamamoto, Shinichi Yorozu, Yasuhiko Arakawa. Quantum key distribution over 120 km using ultrahigh purity single-photon source and superconducting single-photon detectors. Scientific Reports. 5 [1] (2015) 10.1038/srep14383
  2. Nobuyuki Ishida, Masafumi Jo, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Takeshi Noda, Daisuke Fujita. Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using scanning tunneling microscopy. Nanoscale. 7 [40] (2015) 16773-16780 10.1039/c5nr04193g
  3. Neul Ha, Takaaki Mano, Ying-Lin Chou, Yu-Nien Wu, Shun-Jen Cheng, Juanita Bocquel, Paul M. Koenraad, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Takashi Kuroda. Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion. Physical Review B. 92 [7] (2015) 10.1103/physrevb.92.075306
  4. Neul Ha, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Kazutaka Mitsuishi, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Droplet epitaxy growth of telecom InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs(111)A. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH07 10.7567/jjap.54.04dh07
  5. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH01 10.7567/jjap.54.04dh01
  6. Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Masafumi Jo, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Liyuan Han. Voltage dependence of two-step photocurrent generation in quantum dot intermediate band solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells. 134 (2015) 108-113 10.1016/j.solmat.2014.11.038
  7. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination. Applied Physics Letters. 106 [2] (2015) 022103 10.1063/1.4905661
2014
  1. Rajesh Kodiyath, Maidhily Manikandan, Lequan Liu, Gubbala V. Ramesh, Satoshi Koyasu, Masahiro Miyauchi, Yoshiki Sakuma, Toyokazu Tanabe, Takao Gunji, Thang Duy Dao, Shigenori Ueda, Tadaaki Nagao, Jinhua Ye, Hideki Abe. Visible-light photodecomposition of acetaldehyde by TiO2-coated gold nanocages: plasmon-mediated hot electron transport via defect states. Chem. Commun.. 50 [98] (2014) 15553-15556 10.1039/c4cc06229a
  2. Xiangming Liu, Neul Ha, Hideaki Nakajima, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Bernhard Urbaszek, Hidekazu Kumano, Ikuo Suemune, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Vanishing fine-structure splittings in telecommunication-wavelength quantum dots grown on (111)A surfaces by droplet epitaxy. Physical Review B. 90 [8] (2014) 10.1103/physrevb.90.081301
  3. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 12 [0] (2014) 304-306 10.1380/ejssnt.2014.304
  4. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb and AlSb quantum dots on high-index GaAs substrates. Applied Physics Express. 7 [5] (2014) 055502 10.7567/apex.7.055502
  5. Neul Ha, Xiangming Liu, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Kazutaka Mitsuishi, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Droplet epitaxial growth of highly symmetric quantum dots emitting at telecommunication wavelengths on InP(111)A. Applied Physics Letters. 104 [14] (2014) 143106 10.1063/1.4870839
  6. M. Jo, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda. Tight-binding analysis of the electronic states in AlAs with N isoelectronic impurities. Journal of Applied Physics. 115 [12] (2014) 123501 10.1063/1.4869261
  7. P. St-Jean, G. Éthier-Majcher, Y. Sakuma, S. Francoeur. Recombination dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers inδ-doped GaP. Physical Review B. 89 [7] (2014) 10.1103/physrevb.89.075308
2013
  1. Masafumi Jo, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Size-dependent contact angle of Ga droplets on GaAs. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 5-7 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.129
  2. Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Masafumi Jo, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Self-assembly of Ga droplets attached to GaAs quantum dots. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 53-56 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.155
  3. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 475-479 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.020
  4. M. Jo, Y. Ding, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda, L. Han, H. Sakaki. Impacts of ambipolar carrier escape on current-voltage characteristics in a type-I quantum-well solar cell. Applied Physics Letters. 103 [6] (2013) 061118 10.1063/1.4818510
  5. Takashi Kuroda, Takaaki Mano, Neul Ha, Hideaki Nakajima, Hidekazu Kumano, Bernhard Urbaszek, Masafumi Jo, Marco Abbarchi, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Ikuo Suemune, Xavier Marie, Thierry Amand. Symmetric quantum dots as efficient sources of highly entangled photons: Violation of Bell's inequality without spectral and temporal filtering. Physical Review B. 88 [4] (2013) 10.1103/physrevb.88.041306
  6. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Photo-induced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels driven by local illumination at the edge regions of Hall bar. Applied Physics Letters. 102 [25] (2013) 252104 10.1063/1.4812293
  7. Liao Zhang, Michio Ikezawa, Tatsuya Mori, Shintaro Umehara, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Yasuaki Masumoto. Single Photon Generation from an Impurity Center with Well-Defined Emission Energy in GaAs. Japanese Journal of Applied Physics. 52 [4S] (2013) 04CG11 10.7567/jjap.52.04cg11
  8. M. Jo, T. Mano, T. Kuroda, Y. Sakuma, K. Sakoda. Visible single-photon emission from a nitrogen impurity center in AlAs. Applied Physics Letters. 102 [6] (2013) 062107 10.1063/1.4792315
2012
  1. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Effects of Sb/As Interdiffusion on Optical Anisotropy of GaSb Quantum Dots in GaAs Grown by Droplet Epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 51 [11R] (2012) 115201 10.7567/jjap.51.115201
  2. M. Jo, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda. Extremely high-density GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. Applied Physics Letters. 100 [21] (2012) 212113 10.1063/1.4721663
  3. Masafumi Jo, Takaaki Mano, Marco Abbarchi, Takashi Kuroda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Self-Limiting Growth of Hexagonal and Triangular Quantum Dots on (111)A. Crystal Growth & Design. 12 [3] (2012) 1411-1415 10.1021/cg201513m
  4. JO, Masafumi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. 液滴エピタキシーを用いた高均一量子ドット形成と赤色量子ドットレーザーへの展開. O Plus E. 34 [3] (2012) 266-269
  5. Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Liao Zhang, Yosinori Sone, Tatsuya Mori, Takenobu Hamano, Masato Watanabe, Kazuaki Sakoda, Yasuaki Masumoto. Single-photon generation from a nitrogen impurity center in GaAs. Applied Physics Letters. 100 [4] (2012) 042106 10.1063/1.3679181
  6. Hiroki Tojinbara, Motoki Takahashi, Nobuhiro Tsumori, Dai Mizuno, Ryosuke Kubota, Yoshiki Sakuma, Toshiharu Saiki. Lateral variation of interface disorder in wetting layer on formation of InAs/InP quantum dots visualized by near-field imaging spectroscopy. Journal of Nanophotonics. 6 [1] (2012) 063521 10.1117/1.jnp.6.063521
2011
  1. Takuya Kawazu, Yoshihiro Akiyama, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Optical anisotropy of GaSb type-II nanorods on vicinal (111)B GaAs. Applied Physics Letters. 99 [23] (2011) 231901 10.1063/1.3665394
  2. Takaaki Mano, Masafumi Jo, Kazutaka Mitsuishi, Martin Elborg, Yoshimasa Sugimoto, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Fabrication of GaNAs/AlGaAs Heterostructures with Large Band Offset Using Periodic Growth Interruption. Applied Physics Express. 4 [12] (2011) 125001 10.1143/apex.4.125001
  3. Nobuhiro Tsumori, Motoki Takahashi, Yoshiki Sakuma, Toshiharu Saiki. Experimental study of near-field light collection efficiency of aperture fiber probe at near-infrared wavelengths. Applied Optics. 50 [29] (2011) 5710 10.1364/ao.50.005710
  4. Yasuaki Masumoto, Seitaro Yoshida, Michio Ikezawa, Shinichi Tomimoto, Yoshiki Sakuma. The enhanced binding energy for biexcitons in InAs quantum dots. Applied Physics Letters. 98 [6] (2011) 061905 10.1063/1.3554425
  5. T. Miyazawa, K. Takemoto, T. Nakaoka, T. Saito, S. Hirose, Y. Sakuma, N. Yokoyama, Y. Arakawa. Effect of electronic structure on single-photon emission in InAs/InP quantum dot with quasi-resonant excitation. physica status solidi (c). 8 [2] (2011) 417-419 10.1002/pssc.201000590
2010
  1. Kazuya Takemoto, Yoshihiro Nambu, Toshiyuki Miyazawa, Kentaro Wakui, Shinichi Hirose, Tatsuya Usuki, Motomu Takatsu, Naoki Yokoyama, Ken'ichiro Yoshino, Akihisa Tomita, Shinichi Yorozu, Yoshiki Sakuma, Yasuhiko Arakawa. Transmission Experiment of Quantum Keys over 50 km Using High-Performance Quantum-Dot Single-Photon Source at 1.5 µm Wavelength. Applied Physics Express. 3 [9] (2010) 092802 10.1143/apex.3.092802
  2. Yasuaki Masumoto, Ken Goto, Seitaro Yoshida, Yoshiki Sakuma, Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui. One- and two-dimensional spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires. Physical Review B. 82 [7] (2010) 10.1103/physrevb.82.075313
2009
  1. Yoshihiro Irokawa, Nobuyuki Matsuki, Masatomo Sumiya, Yoshiki Sakuma, Takashi Sekiguchi, Toyohiro Chikyo, Yasunobu Sumida, Yoshitaka Nakano. Low-frequency capacitance-voltage study of hydrogen interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky barrier diodes. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 3 [7-8] (2009) 266-268 10.1002/pssr.200903204
  2. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, WATANABE Masato, MASUMOTO Yasuaki. Observation of a New Isoelectronic Trap Luminescence in Nitrogen δ-doped GaP. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 48 [4] (2009) 04C158-1-04C158-3
  3. T. Nagata, M. Haemori, Y. Sakuma, T. Chikyow, J. Anzai, T. Uehara. Hydrogen effect on near-atmospheric nitrogen plasma assisted chemical vapor deposition of GaN film growth. Journal of Applied Physics. 105 [6] (2009) 066106 10.1063/1.3086715
2008
  1. Hanako Okuno, Masaki Takeguchi, Kazutaka Mitsuishi, Yoshihiro Irokawa, Yoshiki Sakuma, Kazuo Furuya. Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF-STEM. Surface and Interface Analysis. 40 [13] (2008) 1660-1663 10.1002/sia.2960
  2. Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Masamitsu Haemori, Kiyomi Nakajima, Reo Kometani, Kazuhiro Kanda, Shinji Matsui, Toyohiro Chikyow. Effect of Annealing on Implanted Ga of Diamond-Like Carbon Thin Films Fabricated by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 47 [12] (2008) 9010-9012 10.1143/jjap.47.9010
  3. SAKUMA, Yoshiki. 量子構造・ナノ構造成長. 薄膜ハンドブック(第2版) (株式会社オーム社). (2008) 254-255
  4. Yongzhao Yao, Takashi Sekiguchi, Yoshiki Sakuma, Naoki Ohashi, Yutaka Adachi, Hanako Okuno, Masaki Takeguchi. InN Growth by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy with Indium Monolayer Insertion. Crystal Growth & Design. 8 [3] (2008) 1073-1077 10.1021/cg700947g
  5. SAKUMA, Yoshiki. III-V族半藤対中のドーピング原子からエネルギーのそろった単一光子の発生に成功. 電子情報通信学会誌(ニュース欄). 91 [1] (2008) 70-71
2007
  1. Yoshihiro Irokawa, Yoshiki Sakuma, Takashi Sekiguchi. Effect of Dielectrics on Hydrogen Detection Sensitivity of Metal–Insulator–Semiconductor Pt–GaN Diodes. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [12] (2007) 7714-7716 10.1143/jjap.46.7714
  2. T. Kuroda, Y. Sakuma, K. Sakoda, K. Takemoto, T. Usuki. Single-photon interferography in InAs∕InP quantum dots emitting at 1300nm wavelength. Applied Physics Letters. 91 [22] (2007) 223113 10.1063/1.2819529
  3. Shinichi Tomimoto, Atsushi Kurokawa, Yoshiki Sakuma, Tatsuya Usuki, Yasuaki Masumoto. Radiative recombination of excitons in disk-shapedInAs∕InPquantum dots. Physical Review B. 76 [20] (2007) 10.1103/physrevb.76.205317
  4. Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Yasuaki Masumoto. Single Photon Emission from Individual Nitrogen Pairs in GaP. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [No. 36] (2007) L871-L873 10.1143/jjap.46.l871
  5. Kazuya Takemoto, Motomu Takatsu, Shinichi Hirose, Naoki Yokoyama, Yoshiki Sakuma, Tatsuya Usuki, Toshiyuki Miyazawa, Yasuhiko Arakawa. An optical horn structure for single-photon source using quantum dots at telecommunication wavelength. Journal of Applied Physics. 101 [8] (2007) 081720 10.1063/1.2723177
  6. Y. Akanuma, I. Yamakawa, Y. Sakuma, T. Usuki, A. Nakamura. Scanning tunneling microscopy study of interfacial structure of InAs quantum dots on InP(001) grown by a double-cap method. Applied Physics Letters. 90 [9] (2007) 093112 10.1063/1.2710470
  7. Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Tsuyoshi Uehara, Toyohiro Chikyow. GaN Film Fabrication by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [No. 2] (2007) L43-L45 10.1143/jjap.46.l43
2006
  1. H. Z. Song, T. Usuki, T. Ohshima, Y. Sakuma, M. Kawabe, Y. Okada, K. Takemoto, T. Miyazawa, S. Hirose, Y. Nakata, M. Takatsu, N. Yokoyama. Site-controlled quantum dots fabricated using an atomic-force microscope assisted technique. Nanoscale Research Letters. 1 [2] (2006) 160-166 10.1007/s11671-006-9012-x
  2. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価. BULLETIN OF THE JAPAN ELECTRONIC MATERIALS SOCIETY(日本電子材料技術協会会報). 37 (2006) 37-39
  3. Yongzhao Yao, Takashi Sekiguchi, Yoshiki Sakuma, Makoto Miyamura, Yasuhiko Arakawa. Cathodoluminescence characterization of GaN quantum dots grown on 6H–SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition. Scripta Materialia. 55 [8] (2006) 679-682 10.1016/j.scriptamat.2006.06.031
  4. H. Amekura, N. Umeda, Y. Sakuma, O. A. Plaksin, Y. Takeda, N. Kishimoto, Ch. Buchal. Zn and ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation, and the defect-free luminescence. Applied Physics Letters. 88 [15] (2006) 153119 10.1063/1.2193327
2005
  1. Y. Sakuma, M. Takeguchi, K. Takemoto, S. Hirose, T. Usuki, N. Yokoyama. Role of thin InP cap layer and anion exchange reaction on structural and optical properties of InAs quantum dots on InP (001). Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 23 [4] (2005) 1741 10.1116/1.1949216
  2. H. Amekura, N. Umeda, Y. Sakuma, N. Kishimoto, Ch. Buchal. Fabrication of ZnO nanoparticles in SiO2 by ion implantation combined with thermal oxidation. Applied Physics Letters. 87 [1] (2005) 013109 10.1063/1.1989442
  3. T. Nagata, P. Ahmet, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, T. Chikyow. GaN nanostructure fabrication by focused-ion-beam-assisted chemical vapor deposition. Applied Physics Letters. 87 [1] (2005) 013103 10.1063/1.1968435
  4. 宮澤俊之, 竹本一矢, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 高津求, 荒川泰彦. Single-Photon Generation in the 1.55μm Optical-Fiber Band from an InAs/InP Quantum Dot. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 44 [20-23] (2005) L620-L622
  5. X. L. Yuan, T. Sekiguchi, J. Niitsuma, Y. Sakuma, S. Ito, S. G. Ri. Inhomogeneous distribution of dislocations in a SiGe graded layer and its influence on surface morphology and misfit dislocations at the interface of strained Si∕Si0.8Ge0.2. Applied Physics Letters. 86 [16] (2005) 162102 10.1063/1.1905802
  6. H. Z. Song, T. Usuki, S. Hirose, K. Takemoto, Y. Nakata, N. Yokoyama, Y. Sakuma. Site-controlled photoluminescence at telecommunication wavelength from InAs∕InP quantum dots. Applied Physics Letters. 86 [11] (2005) 113118 10.1063/1.1887826
2004
  1. Kazuya Takemoto, Yoshiki Sakuma, Shinichi Hirose, Tatsuya Usuki, Naoki Yokoyama, Toshiyuki Miyazawa, Motomu Takatsu, Yasuhiko Arakawa. Non-classical Photon Emission from a Single InAs/InP Quantum Dot in the 1.3-µm Optical-Fiber Band. Japanese Journal of Applied Physics. 43 [No. 7B] (2004) L993-L995 10.1143/jjap.43.l993
  2. Kazuya Takemoto, Yoshiki Sakuma, Shinichi Hirose, Tatsuya Usuki, Naoki Yokoyama. Observation of Exciton Transition in 1.3-1.55 µm Band from Single InAs/InP Quantum Dots in Mesa Structure. Japanese Journal of Applied Physics. 43 [No. 3A] (2004) L349-L351 10.1143/jjap.43.l349

書籍 TSV

2011
  1. 佐久間 芳樹. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. 2011 , 67-88

会議録 TSV

2015
  1. MIYAZAWA Toshiyuki, TAKEMOTO Kazuya, NAMBU Yoshihiro, MIKI Shigehito, TAMASHITA Taro, TERAI Hirotaka, FUJIWARA Mikio, SASAKI Masahide, SAKUMA, Yoshiki, TAKATSU Motomu, YAMAMOTO Tsuyoshi, ARAKAWA Yasuhiko. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. 2015, 14-18
2010
  1. IROKAWA, Yoshihiro, MATSUKI, Nobuyuki, SUMIYA, Masatomo, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro, Sumida Yasunobu, Yoshitaka Nakano. Anomalous Capacitance-Voltage Characteristics of Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2010, 1928-1930
2009
  1. KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, TAKEMOTOKazuya, USUKITatsuya. Decoherence of single photons from an InAs/InP quantum dot emitting at a 1.3 μm wavelength. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2009, 944-947
  2. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Electron Holography Observation of AlInGaN/GaN Heterointerfaces. Proceedings of The 9th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy. 2009, 255-256
  3. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, Watanabe Masato, MASUMOTO Yasuaki. Single NN Pair Luminescence and Single Photon Generation in Nitrogen δ-doped GaP. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2009, 362-365
2008
  1. Hanako Okuno, Masaki Takeguchi, Kazutaka Mitsuishi, Yoshihiro Irokawa, Yoshiki Sakuma, Kazuo Furuya. Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF-STEM. SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS. 2008, 1660-1663
  2. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Electron holography observation of AlGaN/GaN and AlInGaN/GaN heterointerfaces. the Activity Report of the JSPS 141st Committee. 2008, 1-3
  3. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN heterostructures. AMTC Letters. 2008, 66-67
  4. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Characterization of AlInGaN/GaN heterointerface by HAADF-STEM and electron holography. MICROSCOPY AND MICROANALYSIS. 2008, 438-439
  5. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, Watanabe Masato, MASUMOTO Yasuaki. Observation of a New Isoelectronic Trap Luminescence in Nitrogen δ-doped GaP. Extended Abstracts of the 2008 SSDM. 2008, 188-189
  6. TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, TATATSU Motomu, YOKOYAMA Naoki, SAKUMA, Yoshiki, USUKI Tatsuya, MIYAZAWA Toshiyuki, ARAKAWA Yasuhiko. Telecom single-photon source with horn structure. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2008, 2699-2703
  7. SAKUMA, Yoshiki, IKEZAWA Michio, Watanabe Masato, MASUMOTO Yasuaki. Isoelectronic Nitrogen δ-doping in GaP and Single-photon Emission from Individual Nitrogen Pairs. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2008, 4790-4794
  8. T.Yo, H.Tanaka, K.Koreyama, NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, NAKAJIMA, Kiyomi, CHIKYOW, Toyohiro, Jun Yanagisawa, A.Sakai. Characterization of Deposited Materials Formed by FocusedIon Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using anAuSi Alloyed Metal Source. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2008, 5018-5021
  9. IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi. Effects of surface states on hydrogen sensing performance of Pt-GaN Schottky diodes. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2008, 2985-2987
2007
  1. OKUNO, Hanako, TAKEGUCHI, Masaki, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF-STEM. The activity Report of the JS`S 141st Commitee. 2007, TuP-19- TuP-19
  2. AMEKURA, Hiroshi, SAKUMA, Yoshiki, YOSHITAKE, Michiko, TAKEDA, Yoshihiko, KISHIMOTO, Naoki, Ch. Buchal. Defect-band-free luminescence from ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation and thermal oxidation. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 2007, 64-67
  3. AKANUMA Yasuhiko, YAMAKAWA Ichiro, SAKUMA, Yoshiki, USUKI Tatsuya, NAKAMURA Arao. Sharp Interfacial Structure of InAs/InP Quantum Dots Grown by Double-Cap Method: A Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy Study. AIP Conference Proceedings (Physics of Semiconductors). 2007, 107-108
  4. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, ANZAI Jyunichiro, KUNUGI Syunsuke, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. Low Temperature Growth of GaN film by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN. 2007, 489-492
  5. YAO, Yongzhao, SEKIGUCHI, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, OHASHI, Naoki. The influence of indium monolayer insertion on the InN epifilm grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2007, 521-524
2005
  1. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. Precise Control of InAs/InP Self-Assembled Quantum Dots Formed by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Extended Abstracts of EW-MOVPE XI. 2005, 35-37
  2. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. Role of thin cap layer and anion exchange reaction on structural and optical properties of InAs quantum dots on InP(001). The Conference Proceedings of PCSI-32. 2005, -
  3. 竹本一矢, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. Single InAs/InP Quantum Dot Spectroscopy in 1.3-1.55μm Telecommunication Band. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2005, 185-189
  4. SAKUMA, Yoshiki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. Controlling Emission Wavelength from InAs Self-Assembled Quantum Dots on InP(001) during MOCVD. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2005, 81-85
  5. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam Assisted Methods. Proceedings of the 10th International Symposium on Advanced Physical Fields. 2005, 123-125
2004
  1. 竹本一矢, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 高津求, 荒川泰彦. Ultranarrow Photoluminescence Line in 1.3-1.55μm of Single InAs/InP Quantum Dots. ICPS-27 Conference Proceedings. 2004, 292-

口頭発表 TSV

2018
  1. KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Temperature Dependence of Schottky Photocurrent for Local Gate Edge Illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction Field-Effect Transistor. ACSIN-14. 2018
  2. 佐久間 芳樹, 池田 直樹, 大竹 晃浩, 間野 高明. WOCl4をプリカーサに用いたWS2単層膜のガス原料CVD. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. 間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  4. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製した InGaAs量子細線列の光学異方性. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  5. MANO, Takaaki, MIYAZAKI, Hideki, KASAYA, Takeshi, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Nonalloyed Ohmic Contacts to Buried n-GaAs Appearing After Reversed Wafer Transfer Process. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2018
  6. SAKUMA, Yoshiki, IKEDA, Naoki, MANO, Takaaki, OHTAKE, Akihiro. Scalable growth of high-quality MoS2 and WS2 atomic layers using oxychloride sources in MOCVD reactor. ICMOVPE-XIX. 2018
  7. 間野 高明, 宮崎 英樹, 笠谷 岳士, 野田 武司, 佐久間 芳樹. メタ表面赤外線検出器のためのn-GaAsへのノンアロイオーミック接合. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  8. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおける光AND演算動作. 第65回応用物理学会春季学術講演会 . 2018
2017
  1. MANO, Takaaki, OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. A New Route to Grow Highly-Mismatched InGaAs on GaAs (111)A by Inserting Atomically Thin InAs Layers. Semicon Nano 2017. 2017
  2. 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. ATLAS法により作製したInxGa1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析. 第78回応用物理学会 秋季学術講演会. 2017
  3. 王 若曦, 松山 享平, 佐久間 芳樹, 池沢 道男, 舛本 泰章. 窒素をデルタドープしたGaAs(111)A 面上の発光中心の偏光異方性. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  4. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタの ショットキーゲート端照射による光電流生成. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  5. ELBORG, Martin, YAO, Yuanzhao, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Coupled GaAs/AlGaAs quantum Ring+Dot structures by Multiple Droplet Epitaxy. Moscow State University - NIMS workshop. 2017
  6. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, YAO, Yuanzhao, SAKUMA, Yoshiki. Luminescence characteristics of coupled GaAs/AlGaAs quantum ring+dot structure under applied electric field . Compound Semiconductor Week 2017. 2017
  7. 王 若曦, 池沢 道男, 山田 雄太, 佐久間 芳樹, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本 泰章. 等電子トラップを埋め込んだフォトニック結晶共振器による単一光子発生と発光寿命制御. 第72回年次大会(2017年). 2017
  8. 王 若曦, 池沢 道男, 山田 雄太, 佐久間 芳樹, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本 泰章. フォトニック結晶共振器による単一等電子発光中心の発光寿命制御. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  9. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Capacitance spectroscopy on quantum hetero structure embedded Intermediate Band Solar Cells. MANA International Symposium 2017. 2017
2016
  1. 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 量子暗号向け通信波長帯単一光子源. 応用電子物性分科会. 2016
  2. 王 若曦, 池沢 道男, 張 遼, 山田 雄太, 佐久間 芳樹, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本 泰章. GaAs中の窒素不純物を利用した明るい単一光子源. 第2回TIA光・量子計測シンポジウム. 2016
  3. KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Photo-induced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor driven by local illumination at edge regions of Schottky metal gate. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2016
  4. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 大竹 晃浩. ガス状プリカーサーを用いたMoS2単層膜のスケーラブルなCVD成長. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  5. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. GaAs{111}A, B表面上でのMoSe2単層膜成長. 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  6. 間野 高明, 三石 和貴, 大竹 晃浩, ハ ヌル, カステラーノ アンドレア, ステファノ サングイネッティ, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  7. ハ ヌル, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. Entangled photon emitting diode based on GaAs droplet quantum dots. 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  8. 黒田 隆, 間野 高明, ハ ヌル, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 量子ドットもつれ光子源の安定性について. 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  9. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Ga堆積速度およびSb分子線圧のGaSb量子ドット形成への影響. 第77回応用物理学会秋季学術講演会 . 2016
  10. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, KURODA, Takashi, YAO, Yongzhao, SAKUMA, Yoshiki. Growth and optical properties of quantum ring-dot molecules grown by Multiple-Droplet Epitaxy process. 19th International Conference on Molecular Beam Ep. 2016
  11. ISHIDA, Nobuyuki, Masafumi Jo, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, FUJITA, Daisuke. Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using scanning tunneling microscopy. IVC20 第20回 国際真空学術会議・展示会. 2016
  12. KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKAKI, Hiroyuki. Effects of Ga deposition rate and antimony flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs. The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor. 2016
  13. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, YAO, Yongzhao, SAKUMA, Yoshiki. Droplet epitaxy quantum dots in ultra-high efficiency solar cells. 9th International Conference on Quantum Dots. 2016
  14. IKEZAWA Michio, LIAO Zhang, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, MASUMOTO Yasuaki. Study on coherence time and indistinguishability of single photons from nitrogen impurity centers in GaAs. QD 2016. 2016
  15. KURODA, Takashi, HA, Neul, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Robustness characterization of entangled-photon emitters based on naturally-symmetric droplet quantum dots. The 9th Int Conf on Quantum Dots (QD2016). 2016
  16. HA, Neul, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, KURODA, Takashi. Droplet epitaxial growth of highly symmetric InAs quantum dots on InAlGaAs/InP(111)A emitting at telecom 1.55 micron-m wavelength. The 9th Int Conf on Quantum Dots (QD2016). 2016
  17. MIYAZAWA Toshiyuki, TAKEMOTO Kazuya, NAMBU Yoshihiro, MIKI Shigehito, YAMASHITA Taro, TERAI Hirotaka, FUJIWARA Mikio, SASAKI Masahide, SAKUMA, Yoshiki, TAKATSU Motomu, YAMAMOTO Tsuyoshi, ARAKAWA Yasuhiko. Ultralow g(2)(0) single-photon emission from 1.5μm-quantum dot using cryogen-free refrigerator system. PLMCN-17. 2016
  18. 張遼, 池沢道男, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs中の窒素発光中心から発生した光子の量子干渉. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  19. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したGaSbタイIIナノロッドの光学異方性. 第63回応用物理学会春季学術講演会 . 2016
  20. 竹本一矢, 宮澤俊之, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 長距離量子暗号通信を実現する単一光子源技術. 新しい光源技術と応用的研究・開発. 2016
  21. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Growth of Coupled Quantum Dot-Ring structures by Multiple-Droplet Epitaxy Process. MANA International Symposium 2016. 2016
  22. ISHIDA, Nobuyuki, Masafumi Jo, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, FUJITA, Daisuke. Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using cross-sectional scanning tunneling microscopy. ISPlasma2016/IC-PLANTS2016. 2016
2015
  1. 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. (111)A基板上の格子不整合系エピタキシーの諸現象:ドット形成と歪み緩和の理解と制御にむけて. 第11回量子ナノ材料セミナー. 2015
  2. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Dependence of open-circuit voltage in GaNAs/AlGaAs quantum structure solar cells on N concentration. 25th International Photovoltaic Science and Engineering Confere. 2015
  3. IKEZAWA Michio, YASUDA Naoto, LIAO Zhang, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, MASUMOTO Yasuaki. Resonant Excitation of Single Luminescence Centers in GaAs:N. SSDM 2015. 2015
  4. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki. Droplet Epitaxy GaAs/AlGaAs Quantum Dot Embedded Solar Cells with Enhanced Sub-Band Gap Light Absorption. German MBE-Workshop 2015. 2015
  5. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Probing carrier transport by surface excitation of GaNAs/GaAs quantum structure embedded solar cells with zero valance band offset. European PV Solar Energy Conference. 2015
  6. 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. He循環型冷凍機を用いた超高純度1.5μm帯単一光子発生器. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  7. ハ ヌル, 間野 高明, 黒田 隆, Shun-Jen Cheng, Paul M. Koenraad, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. The 76th JSAP Autumn Meeting. 2015
  8. 間野 高明, 黒田 隆, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. GaAs(111)A基板上の高対称性量子ドットLEDの作製. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  9. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの面内電流生成. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  10. 池沢道男, 張遼, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs中の窒素発光中心を利用した単一光子源. 光・量子計測シンポジウム. 2015
  11. IKEZAWA Michio, YAMADA Yuta, SAKUMA, Yoshiki, LIAO Zhang, TAKEDA, Hiroyuki, IKEDA, Naoki, SUGIMOTO, Yoshimasa, SAKODA, Kazuaki, MASUMOTO Yasuaki. Non-classical Light Generation from Isoelectronic Traps Embedded in Photonic Crystal Microcavities. EP2DS-21/MSS-17. 2015
  12. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Prospects for high efficiency Intermediate Band Solar Cells using dilute nitride III-V semiconductors. International Seminar on Renewable Energy and Sustainable Develo. 2015
  13. IKEZAWA Michio, LIAO Zhang, SAKUMA, Yoshiki, TAKEDA, Hiroyuki, IKEDA, Naoki, SUGIMOTO, Yoshimasa, SAKODA, Kazuaki, MASUMOTO Yasuaki. Single Photon Gneration from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Korea-Japan Joint Symp. on Semiconductor Physics and Technology. 2015
  14. 劉 祥明, 黒田 隆, 間野 高明, 中島 秀朗, 熊野 英和, 末宗 幾夫, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Entangled photon emission at temperatures up to 60 K from droplet epitaxial quantum dots. 第62回応用物理学会春季学術講演会 . 2015
  15. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaSb/GaAs量子ドットの光学異方性における後熱処理の効果. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  16. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki. Open-circuit voltage recovery in dilute-N GaAs/AlGaAs quantum structure solar cells. MANA International Symposium 2015. 2015
2014
  1. ISHIDA, Nobuyuki, Masafumi Jo, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, FUJITA, Daisuke. Direct visualization of N impurity state in GaAs using STM. 22nd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy. 2014
  2. IKEZAWA Michio, YAMADA Yuta, SAKUMA, Yoshiki, LIAO Zhang, TAKEDA, Hiroyuki, IKEDA, Naoki, SUGIMOTO, Yoshimasa, SAKODA, Kazuaki, MASUMOTO Yasuaki. Non-classical Light Generation from Isoelectronic Centers Embedded in Photonic Crystal Microcavities. Recent Progress of Photonic Devices and Materials. 2014
  3. ISHIDA, Nobuyuki, Masafumi Jo, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, FUJITA, Daisuke. Direct visualization of N impurity state in GaAs using STM. The 7th International Symposium on Surface Science. 2014
  4. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  5. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  6. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  7. 山田雄太, 張遼, 池沢道男, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. フォトニック結晶共振器に埋め込まれた等電子トラップからの非古典光発生. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  8. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 高指数面GaAs基板上のGaSbおよびAlSb量子ドットの成長. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  9. HA, Neul, MANO, Takaaki, LIU, Xiangming, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, OHTAKE, Akihiro, CASTELLANO, Andrea, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
  10. KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKAKI, Hiroyuki. Growth and Optical Properties of GaSb/GaAs type-II Quantum Dots with and without Wetting Layer. SSDM2014. 2014
  11. 山田雄太, 張遼, 池沢道男, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 等電子トラップを埋め込んだフォトニック結晶共振器の光学特性. 日本物理学会 2014年秋季大会. 2014
  12. 張遼, 池沢道男, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 発光エネルギーの揃ったGaAs中の窒素発光中心の位相緩和. 日本物理学会 2014年秋季大会. 2014
  13. JO, Masafumi, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Yellow single-photon emission from nitrogen impurity centers in AlAs. SPIE.2014 Optics+Photonics Nanoscience+Engineering . 2014
  14. LIU, Xiangming, HA, Neul, KURODA, Takashi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Multi-exciton binding in droplet epitaxially grown InAs/InP(111)A quantum dots at telecommunication wavelengths. ICPS 2014. 2014
  15. ISHIDA, Nobuyuki, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, HAN, Liyuan, FUJITA, Daisuke. Characterization of potential profile in multiple quantum well solar cell by using cross-sectional Kelvin probe force microscopy. Non-contact atomic force microscopy 2014. 2014
  16. 佐久間 芳樹, 間野 高明. 自己形成による量子ドットの作製技術・光学特性とその応用. 量子ドットの作製技術・構造制御と応用. 2014
  17. MANO, Takaaki, HA, Neul, LIU, Xiangming, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, NODA, Takeshi, CASTELLANO, Andrea, Stefano Sanguinetti, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. InAs quantum dots formed on InP(111)A by droplet epitaxy. 8th International conference on Quantum Dots. 2014
  18. MANO, Takaaki, OHTAKE, Akihiro, KURODA, Takashi, HA, Neul, LIU, Xiangming, MITSUISHI, Kazutaka, Atsushi Hagiwara, Jun Nakamura, CASTELLANO, Andrea, Stefano, Sanguinetti, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100) . 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures. 2014
  19. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 韓 礼元. GaNAs/AlGaAs with Close-to-Ideal Absorption Energies for Intermediate Band Solar Cell Application. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  20. 池沢道男, 張遼, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 単一発光中心の共鳴励起による単一光子発生. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  21. ハ ヌル, 劉 祥明, 間野 高明, 黒田 隆, 三石 和貴, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドットの作製とその1.3μm 及び 1.55μm帯発光. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  22. 間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
2013
  1. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 三石 和貴, 田邉顕人, 前田辰郎, 太田裕之. ナノスケールヘテロ接合の形成とデバイス特性. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会. 2013
  2. HA, Neul, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, Juanita Bocquel, Paul Koenraad, Ying Lin Chou, Yu-Nien Wu, Shun-Jen Cheng, Stefano Sanguinetti, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Spectral broadening in height controlled single GaAs quantum dots formed by droplet epitaxy . 12th International Conference on ACSIN. 2013
  3. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 黒田 隆, 池沢道男. NIMSにおける量子ナノ構造研究の進展 −液滴量子ドットと等電子トラップを中心に−. 第9回量子ナノ材料セミナー. 2013
  4. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, HAN, Liyuan. Two-Step Photocurrent Generation in Lattice-Matched GaAs/AlGaAs QD-IBSCs at Room Temperature. PVSEC-23. 2013
  5. ハヌル, カステラーノ アンドレア, 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. GaAs(111)A 基板上の歪み緩和InGaAs 成長. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  6. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 韓 礼元, 迫田 和彰. 液滴エピタキシーで作製したGaAs/AlGaAs量子ドット太陽電池における2ステップ光電流. 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  7. 間野 高明, 定 昌史, 黒田 隆, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による格子整合系量子ナノ構造の自己形成とその光物性. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  8. 南部芳弘, 竹本一矢, 宮澤俊之, 佐久間 芳樹, 萬伸一, 山本剛之, 荒川泰彦. 1.5μm帯量子ドット単一光子源を用いた100km量子鍵配布. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  9. 宮澤俊之, 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 宋海智, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 共鳴励起準位の選択による量子ドット単一光子発生器の純度改善. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  10. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 試料端局所照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの光電流. 2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会. 2013
  11. SAKUMA, Yoshiki, Ikezawa Michio, Zhang Liao, Umehara Shintaro, Masumoto Yasuaki, SAKODA, Kazuaki. Formation of Isoelectronic Localized States with Well-defined Emission Energy in δ-doped GaAs:N. EWMOVPE 2013. 2013
  12. Miyazawa Toshiyuki, Takemoto Kazuya, SAKUMA, Yoshiki, Song Haizhi, Takatsu Motomu, Yamamoto Tsuyoshi, Arakawa Yasuhiko. Suppression of multi-photon emission in 1.5μm quantum-dot single-photon source. IPRM 2013. 2013
  13. 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井裕高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 王鎮, 宮澤俊之, 佐久間 芳樹, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. SSPDによる量子情報通信向け単一光子源の特性評価. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  14. 森達哉, 池沢道男, 張遼, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 超コヒーレントな単一光子発生のための単一発光中心の共鳴励起. 第68回日本物理学会年次大会. 2013
  15. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs:N中の単一不純物発光中心のフーリエ分光測定. 第68回日本物理学会年次大会. 2013
2012
  1. JO, Masafumi, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxy in lattice-mismatched systems. Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG). 2012
  2. JO, Masafumi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Size-dependent contact angle of Ga droplets on GaAs. The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  3. JO, Masafumi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Evolution from isoelectronic impurities to an impurity band in N delta-doped AlAs grown by molecular beam epitaxy. The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  4. MANO, Takaaki, JO, Masafumi, KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxy of nanostructures and their applications. The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  5. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, JO, Masafumi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Self-assembly of Ga droplets attached to GaAs quantum dots. 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  6. Liao Zhang, Ikezawa Michio, Mori Tatsuya, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, Masumoto Yasuaki. Homogeneous linewidth of the nitrogen impurity single photon source in GaAs. IUMRS-ICEM 2012. 2012
  7. KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKAKI, Hiroyuki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A. International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012). 2012
  8. Liao Zhang, Ikezawa Michio, Mori Tatsuya, Umehara Shintaro, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, Masumoto Yasuaki. Single photon generation from an impurity center with well-defined emission energy in GaAs. 2012 SSDM. 2012
  9. 定 昌史, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 高密度GaAs量子ドットにおける面内キャリア移動の観測. 第73回応用物理学学術講演会. 2012
  10. 間野 高明, 黒田 隆, 定 昌史, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドット形状の液滴サイズ依存性. 第73回応用物理学学術講演会. 2012
  11. 定 昌史, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. AlAs中のN等電子中心. 第73回応用物理学学術講演会. 2012
  12. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 梅原晋太郎, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs:N中のエネルギーが揃った発光中心からの単一光子の発生. 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  13. ELBORG, Martin, YAO, Yuanzhao, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, JO, Masafumi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Vertical coupling of GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy. 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  14. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長. 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  15. JO, Masafumi, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Nitrogen isoelectronic impurity centers in AlAs. 31st International Symposium on the Physics of Semiconductors. 2012
  16. 定 昌史, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシを用いた超高密度量子ドットの作製. 第31回電子材料シンポジウム. 2012
  17. Ikezawa Michio, Liao Zhang, Sone Yoshinori, Mori Tatsuya, Hamano Takenobu, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, Masumoto Yasuaki. Optical spectroscopy of individual nitrogen impurity centers in GaAs and single photon emission from a bright center. 7th International Conference on Quantum Dots (QD2012). 2012
  18. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs:N中の単一発光中心のフーリエ分光による発光均一幅の測定. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
  19. 定 昌史, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシを用いた超高密度GaAs量子ドットの作製. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  20. 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 廣瀬真一, 佐久間 芳樹, 萬伸一, 荒川泰彦. 超電導単一光子検出器を用いた1.5μm帯量子ドット単一光子光源評価. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  21. 南部芳弘, 竹本一矢, 宮澤俊之, 廣瀬真一, 佐久間 芳樹, 萬伸一, 荒川泰彦. 1.55μm帯量子ドット単一光子源による量子鍵配布性能予測. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  22. 佐久間 芳樹, 池沢道男, 森達哉, 張遼, 舛本泰章, 迫田 和彰. MOCVD法により窒素をドープしたGaAsからのエネルギーの揃ったPL輝線発光. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  23. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs中の窒素不純物発光中心に束縛された励起子の位相緩和時間. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  24. 間野 高明, 定 昌史, 三石 和貴, 黒田 隆, エルボルグ マーティン, 野田 武司, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 周期的成長中断を用いたGaNAs三次元島状構造の作製. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  25. 川津 琢也, 秋山 芳弘, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 微傾斜GaAs(111)B基板上のGaSbタイプⅡナノロッドの自己形成. 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会. 2012
2011
  1. 張遼, 森達哉, 濱野毅信, 池沢道男, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaP:N中の二軸異方性単一窒素ペアの磁気光学. 日本物理学会 2011年秋季大会. 2011
  2. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの後熱処理効果. 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011
2008
  1. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 渡邉真人, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPの単一等電子トラップ分光 (II). 日本物理学会2008年秋季大会. 2008
  2. 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 竹本一矢, 臼杵達也. InAs/InP量子ドットの発光スペクトル形状. 応用物理学会2008年(平成20年)秋季講演会. 2008
  3. 佐久間 芳樹, 池沢道男, 渡邉真人, 舛本泰章. GaP中へのNドーピング技術と等電子トラップによる単一光子発生. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  4. 水野大, 久保田良輔, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs/InP量子ドットの光学特性における濡れ層局在電子の与える影響. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  5. 臼杵達哉, 佐久間 芳樹, 竹本一矢, 宮澤俊之, 横山直樹, 荒川泰彦. 単一量子ドットの励起子微細構造. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  6. 竹口 雅樹, 奥野 華子, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. AlInGaN/GaNのHAADF-STEMと電子線ホログラフィーによる評価. 日本顕微鏡学会第64回学術講演会. 2008
  7. Ryousuke Kubota, Kohji Nakashima, Dai Mizuno, Toshiharu Saiki, SAKUMA, Yoshiki, Tatsuya Usuki. Near-field Imaging Spectroscopy of Single InAs/InP Quantum Dots in Optical Telecommunication Wavelength Band. The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots. 2008
  8. YAO, Yongzhao, SEKIGUCHI, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, OHASHI, Naoki, ADACHI, Yutaka, OKUNO, Hanako, TAKEGUCHI, Masaki. InN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy with In monolayer insertion. The 4th international nanotechnology conference on communication. 2008
  9. 竹口 雅樹, 奥野 華子, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. AlGaN/GaNヘテロ界面における二次元電子ガスの電子線ホログラフィー観察. 第55回応用物理学会. 2008
  10. 渡邉真人, 池沢道男, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPにおけるNNペア空間分布の濃度依存性. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  11. 久保田良輔, 中島幸次, 水野大, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs直接励起におけるInAs/InP単一量子ドットの近接場イメージング分光. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  12. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 渡邉真人, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPにおける単一等電子トラップの高分解能発光測定. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  13. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 南風盛 将光, 中島 清美, 米谷玲皇, 神田一浩, 松井真二, 知京 豊裕. FIB-CVD法により堆積したDLC薄膜の熱処理による構造変化. 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 . 2008
  14. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 南風盛 将光, 安西純一郎, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長における水素添加の効果. 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 . 2008
  15. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 渡邉真人, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPの単一等電子トラップ分光. 日本物理学会第63回年次大会. 2008
2007
  1. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 上原剛, 知京 豊裕. The Hydrogen Effect on GaN film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第18回日本MRS学術シンポジウム . 2007
  2. SAKUMA, Yoshiki, IKEZAWA Michio, MASUMOTO Yasuaki. Nitrogen δ-Doping in GaP(001) and Single-Photon Emission from Individual Nitrogen Pair. MRS Fall Meeting 2007. 2007
  3. 佐久間 芳樹. 単一光子源にむけた量子ナノ構造の形成技術. 第11回名古屋大学VBLシンポジウム. 2007
  4. 奥野 華子, 竹口 雅樹, 三石 和貴, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. III族窒化物半導体のTEM/STEM観察. 平成19年度NIMSナノ計測センター研究成果発表会. 2007
  5. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, MASUMOTO Yasuaki. Photoluminescence Studies on Individual Nitrogen Impurity Centers in GaP. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007
  6. TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, TAKATSU Motomu, YOKOYAMA Naoki, SAKUMA, Yoshiki, USUKI Tatsuya, MIYAZAWA Toshiyuki, ARAKAWA Yasuhiko. Telecom Single-Photon Source with Horn Structure. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007
  7. SAKUMA, Yoshiki, IKEZAWA Michio, MASUMOTO Yasuaki. Nitrogen δ-Doping in GaP and Single-Photon Emisson from Individual Nitrogen Pair. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007
  8. IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi. Effects of Surface States on Hydrogen Sensing Performance of Pt-GaN Schottky Diodes. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007
  9. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. GaP中の単一窒素等電子トラップによる単一光子発生. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  10. 冨本慎一, 黒川篤, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. InAs/InP量子井戸及びディスク状量子ドットにおける励起子輻射再結合寿命. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  11. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, Jyunichiroh Anzai, Syunsuke Kunugi, Tsuyoshi Uehara, CHIKYOW, Toyohiro. Low Temperature Growth of GaN film by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. the 7th International Conference of Nitride Semiconductors. 2007
  12. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 神田一浩, 米谷玲皇, 松井 真二, 中島 清美, 知京 豊裕. FIB-CVD法によるDLC薄膜におけるアニール効果. JST ナノファクトリ領域全体会議. 2007
  13. 奥野 華子, 竹口 雅樹, 三石 和貴, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. III族窒化物半導体のHAADF-STEM観察. 2007年秋季 第68回学術講演会. 2007
  14. 久保田良輔, 中島幸次, 水野大, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs/InP量子ドットにおけるInAs濡れ層の近接場イメージング分光. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  15. 竹本一矢, 廣瀬真一, 高津求, 横山直樹, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 宮澤俊之, 荒川泰彦. ホーン型1.5μm単一光子発生器のPLE選択励起. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  16. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPにおける単一等電子トラップの顕微PLと単一光子発生. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  17. 佐久間 芳樹, 池沢道男, 舛本泰章. MOCVD法によるGaP(001)への窒素δドーピングと単一NNペアからの単一光子発生. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  18. 中島幸次, 久保田良輔, 水野大, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. 1.55μm帯発光InAs/InP単一量子ドットの近接場分光. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  19. OKUNO, Hanako, TAKEGUCHI, Masaki, MITSUISHI, Kazutaka, GUO, Xingjian, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Z-contrast imaging of GaN-based materials. NIMS conference. 2007
  20. 中村新男, 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. Double-cap法により成長したInP上InAs量子ドットの断面STM観察. 日本顕微鏡学会第63回学術講演会. 2007
  21. 中島幸次, 久保田良輔, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs/InP単一量子ドットの近接場分光. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  22. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長. 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 . 2007
  23. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, ANZAI Jyunichiro, KUNUGI Syunsuke, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. Low temperature growth of GaN films by near-atmospheric plasma-assisted chemical vapor deposition. 2nd International Advanced Materials Forum for Young Scientists. 2007
2006
  1. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. 大気圧プラズマCVDによる窒化物薄膜作製. 日本電子材料技術協会第43回秋期講演大会. 2006
  2. 黒川篤, 冨本慎一, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 舛本泰章. 原子層レベルの離散的高さ分布を持つディスク状InAs量子ドットの時間分解発光分光. 日本物理学会2006年度秋季大会. 2006
  3. USUKI Tatsuya, TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, TAKATSU Motomu, MIYAZAWA Toshiyuki, SAKUMA, Yoshiki, YOKOYAMA Naoki, ARAKAWA Yasuhiko. Single-Photon Generator For Telecom Applications. 2006 International Conference on SSDM. 2006
  4. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 赤沼泰彦, 山川市朗, 中村新男. ダブルキャップ法によるInP基板上のInAs量子ドットの制御と成長メカニズム. 第67回応用物理学学術講演会. 2006
  5. 冨本慎一, 黒川篤, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 舛本泰章. 原子層数で決まる離散的な高さ分布を持つディスク状InAs量子ドットの発光寿命測定. 第67回応用物理学学術講演会. 2006
  6. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜成長. 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  7. TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, TAKATSU Motomu, YOKOYAMA Naoki, SAKUMA, Yoshiki, USUKI Tatsuya, MIYAZAWA Toshiyuki, ARAKAWA Yasuhiko. A New Approach for Single-Photon Source using Quantum Dots at Telecommunication Wavelength. 28th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2006
  8. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, Takemoto Kazuya, Hirose Shin-ichi, Usuki Tatsuya. Growth of disk-shaped InAs quantum dots on InP (001). 4th International Conference on Semiconductor Quantum Dots. 2006
  9. 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 中村新男. Double cap法によるInAs/InP量子ドット界面構造の断面STM観察. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  10. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 高津求, 横山直樹, 臼杵達哉, 宮澤俊之, 荒川泰彦. 通信波長帯単一光子発生のためのInAs/InP量子ドットのPLE評価. 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  11. 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 中村新男. Double-cap成長法によるInP上InAs量子ドットの断面STM観察Ⅱ. 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  12. 長田 貴弘, 上原剛, 佐久間 芳樹, 知京 豊裕. 大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長. 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  13. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, Takemoto Kazuya, Hirose Shin-ichi, Usuki Tatsuya, Yokoyama Naoki. High-Quality InAs/InP Self-Assembled Quantum Dots Formed by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. Photonic Processes in Semiconductor Nanostructures. 2006
  14. YAO, Yongzhao, SEKIGUCHI, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, OHASHI, Naoki. Fabrication of GaN film by Molecular Beam Epitaxy for InN growth. 4th NIMS International Conference on Photonic Processes in Semic. 2006
2005
  1. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. GaN Film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第16回日本MRS学術シンポジウム(国際シンポジウム) . 2005
  2. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Nano rod fabrication of GaN by FIB assisted CVD. 2005 NIST-NIMS Combinatorial Nanomaterials Symposium. 2005
  3. Tatsuya Usuki, SAKUMA, Yoshiki, Shin-ichi Hirose, Kazuya Takemoto, Naoki Yokoyama, Toshiyuki Miyazawa, Motomu Takatsu, Yasuhiko Arakawa. Single photon generator in optical telecom wavelength. 2nd Joint Int. 2005
  4. Song Hai-Zhi, Tatsuya Usuki, Shin-ichi Hirose, Kazuya Takemoto, Yoshiaki Nakata, Naoki Yokoyama, SAKUMA, Yoshiki. Telecommunication Band Photoluminescence of Site-Controlled InAs/InP Quantum Dots. 2005 MRS Fall Meeting. 2005
  5. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価. 日本電子材料技術協会第42回秋期講演大会. 2005
  6. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. As/P 置換反応によるInAs/InP(001)量子ドットの形状・光学特性の変化. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  7. 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 中村新男. Double-cap成長法によるInP上InAs量子ドットの断面STM観察. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  8. 宮澤俊之, 竹本一矢, 廣瀬真一, 佐久間 芳樹, 高津求, 臼杵達哉, 横山直樹, 荒川泰彦. 1.55 µm帯量子ドットによる単一光子生成と単一光子伝送実験. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  9. 長田 貴弘, 上原剛, 佐久間 芳樹, 知京 豊裕. 大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の作製. 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  10. AMEKURA, Hiroshi, UMEDA, Naoki, SAKUMA, Yoshiki, KISHIMOTO, Naoki, Ch. Buchal. Defect-free luminescence from ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation and thermal oxidation. The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors. 2005
  11. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. High Quality InAs/InP Quantumn Dots Formation and its Application to Single-Photon Source for Quantum Cryptography. 第3回物質材料研究機構−マックスプランク研究所ミニワークショップ. 2005
  12. AMEKURA, Hiroshi, UMEDA, Naoki, SAKUMA, Yoshiki, KONO, Kenichiro, KISHIMOTO, Naoki, Ch. Buchal. ZnO nanoparticles embedded in SiO2 fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation. ICMAT2005/ICAM2005. 2005
  13. 佐久間 芳樹. MOCVD法によるInP(001)基板上へのInAs量子ドットの形成と波長制御技術. つくばナノ光量子科学ワークショップ. 2005
  14. 宋海智, 臼杵達哉, 廣瀬真一, 竹本一矢, 中田義昭, 横山直樹, 佐久間 芳樹. 位置制御されたInAs/InP単一ドットの通信波長帯発光. 第52回応用物理学関係連合講演会(H17年春季). 2005
  15. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. 量子暗号通信に向けた通信波長帯単一光子発生とその評価. 第52回応用物理学関係連合講演会(平成17年春季). 2005
  16. 雨倉 宏, 梅田 直樹, 佐久間 芳樹, 河野 健一郎, 岸本 直樹. イオン注入熱酸化法によるZnOナノ粒子の形成(Ⅱ). 2005年度春季第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  17. 佐久間 芳樹. 量子暗号用単一光子発生素子に向けた自己形成半導体量子ドットの形状・発光波長制御技術. 第46回光・半導体デバイス研究会. 2005
  18. 臼杵達哉, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 竹本一矢, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. Development of a Single-Photon Emitter in Optical Telecommunication Wavelength. International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 20. 2005
  19. 臼杵達哉, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 竹本一矢, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. 量子暗号通信のための単一光子発生器開発. 2005年暗号と情報セキュリティシンポジウム(SCIS2005). 2005
2004
  1. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam System. 1st International Symposium on the Functionality of Organized Na. 2004
  2. AMEKURA, Hiroshi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, KONO, Kenichiro, TAKEDA, Yoshihiko, KISHIMOTO, Naoki. Zinc oxide nanoparticles in SiO2 fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation. 1st International Symposium on the Functionality of Organized Na. 2004
  3. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. MOCVD法によるInP基板上のInAs量子ドットの形成メカニズムと発光波長制御. 第65回応用物理学関係連合講演会. 2004
  4. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. InAs/InP単一量子ドットからの通信波長帯単一光子放出. 第65回応用物理学会学術講演会. 2004
  5. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. 量子ドットを用いた通信波長帯単一光子光源の開発. 東京大学生産技術研究所公開シンポジウム. 2004
  6. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. MOCVD法によりInP(100)基板上に形成したInAs量子ドットの発光波長制御. 第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
  7. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. 2段階キャップInAs/InP単一量子ドットからの1.3-1.55μm帯単一励起子発光. 第51回応用物理学関係連合講演会. 2004

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第5294238号 電子素子 (2013)
  2. 特許第5071703号 半導体製造装置 (2012)
  3. 特許第4873705号 窒化インジウム(InN)あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム(InGaN)エピタキシャル薄膜の形成方法 (2011)
公開特許出願
  1. 特開2019153672号 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子 (2019)
  2. 特開2011033615号 水素ガス検知センサー装置及び水素ガス検知方法 (2011)
  3. 特開2009042213号 ガスセンサー素子 (2009)
  4. No. WO2008/018613 半導体製造装置 (2008)
外国特許
  1. No. EP2051286A4 SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS (2010)
  2. No. EP2051286A1 SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS (2009)
  3. No. WO2008018613A1 SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS (2008)

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