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佐久間 芳樹

佐久間 芳樹 (SAKUMA, Yoshiki) 0000-0001-6804-7217

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305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]

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論文 TSV

2024
  1. Masanobu Iwanaga, Xu Yang, Vasilios Karanikolas, Takashi Kuroda, Yoshiki Sakuma. Prominently enhanced luminescence from a continuous monolayer of transition metal dichalcogenide on all-dielectric metasurfaces. Nanophotonics. 13 [1] (2024) 95-105 10.1515/nanoph-2023-0672 Open Access
2023
  1. Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Scalable growth of atomically thin MoS2 layers in a conventional MOCVD system using molybdenum dichloride dioxide as the molybdenum source. Applied Surface Science. 636 (2023) 157756 10.1016/j.apsusc.2023.157756
  2. Takayuki Ishida, Yoshiki Sakuma, Michio Ikezawa. Demonstrating long-term stable optical coupling between single-mode optical fibers and well-defined energy photons emitted from nitrogen impurity centers in GaAs flakes. Japanese Journal of Applied Physics. 62 [11] (2023) 112003 10.35848/1347-4065/ad034e
  3. Takuya Kawazu, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma. Conduction characteristics of n-InAs/n-GaAs heterojunctions with misfit dislocations. Japanese Journal of Applied Physics. 62 [7] (2023) 074001 10.35848/1347-4065/acdd3c
  4. Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Takuya Kawazu, Hideki T. Miyazaki, Yoshiki Sakuma. Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface. ACS Applied Materials & Interfaces. 15 [24] (2023) 29636-29642 10.1021/acsami.3c05725
2022
  1. Xu Yang, Shisheng Li, Yoshiki Sakuma. Highly Efficient Deposition of Centimeter‐Scale MoS 2 Monolayer Film on Dragontrail Glass with Large Single‐Crystalline Domains. Small Methods. 6 [12] (2022) 2201079 10.1002/smtd.202201079
  2. Taketo Aihara, Ruoxi Wang, Xu Yang, Yoshiki Sakuma, Ayako Omura Okano, Michio Ikezawa. Observation of strain relaxing in nanoscale WS2 monolayers grown on SiO2/Si by organic solvent treatment. Japanese Journal of Applied Physics. 61 [7] (2022) 071003 10.35848/1347-4065/ac78af
  3. Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Yoshiki Sakuma. Oxide Scale Sublimation Chemical Vapor Deposition for Controllable Growth of Monolayer MoS 2 Crystals. Small Methods. 6 [2] (2022) 2101107 10.1002/smtd.202101107
2021
  1. Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438 10.1002/advs.202004438 Open Access
  2. Shisheng Li, Yung-Chang Lin, Jinhua Hong, Bo Gao, Hong En Lim, Xu Yang, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Kazuhito Tsukagoshi, Yoshiki Sakuma, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Mixed-Salt Enhanced Chemical Vapor Deposition of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides. Chemistry of Materials. 33 [18] (2021) 7301-7308 10.1021/acs.chemmater.1c01652
  3. Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
  4. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Two-Dimensional WSe2/MoSe2 Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 125 [20] (2021) 11257-11261 10.1021/acs.jpcc.1c02780
2020
  1. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma. Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates. Scientific Reports. 10 [1] (2020) 4606 10.1038/s41598-020-61527-9 Open Access
  2. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 124 [9] (2020) 5196-5203 10.1021/acs.jpcc.9b11278
  3. Ruoxi Wang, Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Takeda, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Kazuaki Sakoda, Yuuta Yamada, Yasuaki Masumoto. Enhanced Spontaneous Emission Rates for Single Isoelectronic Luminescence Centers in Photonic Crystal Cavities. ACS Photonics. 7 [2] (2020) 321-326
  4. Ruoxi Wang, Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Takeda, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Kazuaki Sakoda, Yuuta Yamada, Yasuaki Masumoto. Enhanced Spontaneous Emission Rates for Single Isoelectronic Luminescence Centers in Photonic Crystal Cavities. ACS Photonics. 7 [2] (2020) 321-326 10.1021/acsphotonics.9b00616
  5. Neul Ha, Takaaki Mano, Samuel Dubos, Takashi Kuroda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Single photon emission from droplet epitaxial quantum dots in the standard telecom window around a wavelength of 1.55 μm. Applied Physics Express. 13 [2] (2020) 025002 10.35848/1882-0786/ab6e0f Open Access
2019
  1. Shisheng Li, Yung-Chang Lin, Xu-Ying Liu, Zehua Hu, Jing Wu, Hideaki Nakajima, Song Liu, Toshiya Okazaki, Wei Chen, Takeo Minari, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi, Minoru Osada. Wafer-scale and deterministic patterned growth of monolayer MoS2via vapor–liquid–solid method. Nanoscale. 11 [34] (2019) 16122-16129 10.1039/c9nr04612g
  2. Neul Ha, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Current-injection quantum-entangled-pair emitter using droplet epitaxial quantum dots on GaAs(111)A. Applied Physics Letters. 115 [8] (2019) 083106 10.1063/1.5103217
  3. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SI] (2019) SIIB05 10.7567/1347-4065/ab0c76
  4. Takaaki Mano, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Double-Sided Nonalloyed Ohmic Contacts to Si-doped GaAs for Plasmoelectronic Devices. ACS Omega. 4 [4] (2019) 7300-7307 10.1021/acsomega.8b03260 Open Access
  5. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Heteroepitaxy of MoSe2 on Si(111) substrates: Role of surface passivation. Applied Physics Letters. 114 [5] (2019) 053106 10.1063/1.5083974
2018
  1. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Yoshiki Sakuma. Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers. ACS Omega. 3 [11] (2018) 15592-15597 10.1021/acsomega.8b02359 Open Access
  2. Martin Elborg, Yuanzhao Yao, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Raman Bekarevich, Kazutaka Mitsuishi. Carrier Transfer in Closely Stacked GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Using Droplet Epitaxy. Journal of the Korean Physical Society. 72 [11] (2018) 1356-1363 10.3938/jkps.72.1356
  3. T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma. Optical AND operation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor. Applied Physics Letters. 112 [7] (2018) 072101 10.1063/1.5010845
2017
  1. Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Yuanzhao Yao, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Self-assembly of vertically aligned quantum ring-dot structure by Multiple Droplet Epitaxy. Journal of Crystal Growth. 477 (2017) 239-242 10.1016/j.jcrysgro.2017.03.023
  2. Michio Ikezawa, Liao Zhang, Yoshiki Sakuma, Yasuaki Masumoto. Quantum interference of two photons emitted from a luminescence center in GaAs:N. Applied Physics Letters. 110 [15] (2017) 152102 10.1063/1.4979520
  3. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Photoinduced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor driven by local illumination in edge regions of Schottky metal gate. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [4S] (2017) 04CG04 10.7567/jjap.56.04cg04
  4. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Evolution of Surface and Interface Structures in Molecular-Beam Epitaxy of MoSe2 on GaAs(111)A and (111)B. Crystal Growth & Design. 17 [1] (2017) 363-367 10.1021/acs.cgd.6b01605
  5. Martin Elborg, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Open-Circuit Voltage in AlGaAs Solar Cells With Embedded GaNAs Quantum Wells of Varying Confinement Depth. IEEE Journal of Photovoltaics. 7 [1] (2017) 162-168 10.1109/jphotov.2016.2617040 Open Access
2016
  1. Neul Ha, Takaaki Mano, Yu-Nien Wu, Ya-Wen Ou, Shun-Jen Cheng, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Takashi Kuroda. Wavelength extension beyond 1.5 µm in symmetric InAs quantum dots grown on InP(111)A using droplet epitaxy. Applied Physics Express. 9 [10] (2016) 101201 10.7567/apex.9.101201 Open Access
  2. T. Miyazawa, K. Takemoto, Y. Nambu, S. Miki, T. Yamashita, H. Terai, M. Fujiwara, M. Sasaki, Y. Sakuma, M. Takatsu, T. Yamamoto, Y. Arakawa. Single-photon emission at 1.5 μm from an InAs/InP quantum dot with highly suppressed multi-photon emission probabilities. Applied Physics Letters. 109 [13] (2016) 132106 10.1063/1.4961888
  3. Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Neul Ha, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Growth of Metamorphic InGaAs on GaAs (111)A: Counteracting Lattice Mismatch by Inserting a Thin InAs Interlayer. Crystal Growth & Design. 16 [9] (2016) 5412-5417 10.1021/acs.cgd.6b00899
  4. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Effects of Ga deposition rate and Sb flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs. physica status solidi (c). (2016) 10.1002/pssc.201600109
  5. ELBORG, Martin. Optical transitions in GaNAs quantum wells with variable nitrogen content embedded in AlGaAs. AIP Advances. 6 [6] (2016) 065208 10.1063/1.4953894 Open Access
  6. M. Elborg, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma. Optical transitions in GaNAs quantum wells with variable nitrogen content embedded in AlGaAs. AIP Advances. 6 [6] (2016) 065208
  7. T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma, H. Sakaki. Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy. AIP Advances. 6 [4] (2016) 045312 10.1063/1.4947464 Open Access
  8. Maidhily Manikandan, Toyokazu Tanabe, Gubbala V. Ramesh, Rajesh Kodiyath, Shigenori Ueda, Yoshiki Sakuma, Yusaku Homma, Arivuoli Dakshanamoorthy, Katsuhiko Ariga, Hideki Abe. Tailoring the surface-oxygen defects of a tin dioxide support towards an enhanced electrocatalytic performance of platinum nanoparticles. Physical Chemistry Chemical Physics. 18 [8] (2016) 5932-5937 10.1039/c5cp04714e
2015
  1. Kazuya Takemoto, Yoshihiro Nambu, Toshiyuki Miyazawa, Yoshiki Sakuma, Tsuyoshi Yamamoto, Shinichi Yorozu, Yasuhiko Arakawa. Quantum key distribution over 120 km using ultrahigh purity single-photon source and superconducting single-photon detectors. Scientific Reports. 5 [1] (2015) 14383 10.1038/srep14383 Open Access
  2. Nobuyuki Ishida, Masafumi Jo, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Takeshi Noda, Daisuke Fujita. Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using scanning tunneling microscopy. Nanoscale. 7 [40] (2015) 16773-16780 10.1039/c5nr04193g
  3. Neul Ha, Takaaki Mano, Ying-Lin Chou, Yu-Nien Wu, Shun-Jen Cheng, Juanita Bocquel, Paul M. Koenraad, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Takashi Kuroda. Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion. Physical Review B. 92 [7] (2015) 075306 10.1103/physrevb.92.075306
  4. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH01 10.7567/jjap.54.04dh01
  5. Neul Ha, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Kazutaka Mitsuishi, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Droplet epitaxy growth of telecom InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs(111)A. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH07 10.7567/jjap.54.04dh07
  6. Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Masafumi Jo, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Liyuan Han. Voltage dependence of two-step photocurrent generation in quantum dot intermediate band solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells. 134 (2015) 108-113 10.1016/j.solmat.2014.11.038
  7. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination. Applied Physics Letters. 106 [2] (2015) 022103 10.1063/1.4905661
2014
  1. Rajesh Kodiyath, Maidhily Manikandan, Lequan Liu, Gubbala V. Ramesh, Satoshi Koyasu, Masahiro Miyauchi, Yoshiki Sakuma, Toyokazu Tanabe, Takao Gunji, Thang Duy Dao, Shigenori Ueda, Tadaaki Nagao, Jinhua Ye, Hideki Abe. Visible-light photodecomposition of acetaldehyde by TiO2-coated gold nanocages: plasmon-mediated hot electron transport via defect states. Chem. Commun.. 50 [98] (2014) 15553-15556 10.1039/c4cc06229a
  2. Xiangming Liu, Neul Ha, Hideaki Nakajima, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Bernhard Urbaszek, Hidekazu Kumano, Ikuo Suemune, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Vanishing fine-structure splittings in telecommunication-wavelength quantum dots grown on (111)A surfaces by droplet epitaxy. Physical Review B. 90 [8] (2014) 081301 10.1103/physrevb.90.081301
  3. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb and AlSb quantum dots on high-index GaAs substrates. Applied Physics Express. 7 [5] (2014) 055502 10.7567/apex.7.055502
  4. Neul Ha, Xiangming Liu, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Kazutaka Mitsuishi, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Droplet epitaxial growth of highly symmetric quantum dots emitting at telecommunication wavelengths on InP(111)A. Applied Physics Letters. 104 [14] (2014) 143106 10.1063/1.4870839
  5. M. Jo, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda. Tight-binding analysis of the electronic states in AlAs with N isoelectronic impurities. Journal of Applied Physics. 115 [12] (2014) 123501 10.1063/1.4869261
  6. P. St-Jean, G. Éthier-Majcher, Y. Sakuma, S. Francoeur. Recombination dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers inδ-doped GaP. Physical Review B. 89 [7] (2014) 075308 10.1103/physrevb.89.075308
2013
  1. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 475-479 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.020
  2. Masafumi Jo, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Size-dependent contact angle of Ga droplets on GaAs. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 5-7 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.129
  3. Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Masafumi Jo, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Self-assembly of Ga droplets attached to GaAs quantum dots. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 53-56 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.155
  4. M. Jo, Y. Ding, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda, L. Han, H. Sakaki. Impacts of ambipolar carrier escape on current-voltage characteristics in a type-I quantum-well solar cell. Applied Physics Letters. 103 [6] (2013) 061118 10.1063/1.4818510
  5. Takashi Kuroda, Takaaki Mano, Neul Ha, Hideaki Nakajima, Hidekazu Kumano, Bernhard Urbaszek, Masafumi Jo, Marco Abbarchi, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Ikuo Suemune, Xavier Marie, Thierry Amand. Symmetric quantum dots as efficient sources of highly entangled photons: Violation of Bell's inequality without spectral and temporal filtering. Physical Review B. 88 [4] (2013) 041306 10.1103/physrevb.88.041306
  6. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Photo-induced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels driven by local illumination at the edge regions of Hall bar. Applied Physics Letters. 102 [25] (2013) 252104 10.1063/1.4812293
  7. Liao Zhang, Michio Ikezawa, Tatsuya Mori, Shintaro Umehara, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Yasuaki Masumoto. Single Photon Generation from an Impurity Center with Well-Defined Emission Energy in GaAs. Japanese Journal of Applied Physics. 52 [4S] (2013) 04CG11 10.7567/jjap.52.04cg11
  8. M. Jo, T. Mano, T. Kuroda, Y. Sakuma, K. Sakoda. Visible single-photon emission from a nitrogen impurity center in AlAs. Applied Physics Letters. 102 [6] (2013) 062107 10.1063/1.4792315
2012
  1. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Effects of Sb/As Interdiffusion on Optical Anisotropy of GaSb Quantum Dots in GaAs Grown by Droplet Epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 51 [11R] (2012) 115201 10.1143/jjap.51.115201
  2. M. Jo, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda. Extremely high-density GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. Applied Physics Letters. 100 [21] (2012) 212113 10.1063/1.4721663
  3. Masafumi Jo, Takaaki Mano, Marco Abbarchi, Takashi Kuroda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Self-Limiting Growth of Hexagonal and Triangular Quantum Dots on (111)A. Crystal Growth & Design. 12 [3] (2012) 1411-1415 10.1021/cg201513m
  4. 定 昌史, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシーを用いた高均一量子ドット形成と赤色量子ドットレーザーへの展開. O Plus E. 34 [3] (2012) 266-269
  5. Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Liao Zhang, Yosinori Sone, Tatsuya Mori, Takenobu Hamano, Masato Watanabe, Kazuaki Sakoda, Yasuaki Masumoto. Single-photon generation from a nitrogen impurity center in GaAs. Applied Physics Letters. 100 [4] (2012) 042106 10.1063/1.3679181
  6. Hiroki Tojinbara, Motoki Takahashi, Nobuhiro Tsumori, Dai Mizuno, Ryosuke Kubota, Yoshiki Sakuma, Toshiharu Saiki. Lateral variation of interface disorder in wetting layer on formation of InAs/InP quantum dots visualized by near-field imaging spectroscopy. Journal of Nanophotonics. 6 [1] (2012) 063521 10.1117/1.jnp.6.063521
2011
  1. Takuya Kawazu, Yoshihiro Akiyama, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Optical anisotropy of GaSb type-II nanorods on vicinal (111)B GaAs. Applied Physics Letters. 99 [23] (2011) 231901 10.1063/1.3665394
  2. Takaaki Mano, Masafumi Jo, Kazutaka Mitsuishi, Martin Elborg, Yoshimasa Sugimoto, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Fabrication of GaNAs/AlGaAs Heterostructures with Large Band Offset Using Periodic Growth Interruption. Applied Physics Express. 4 [12] (2011) 125001 10.1143/apex.4.125001
  3. Nobuhiro Tsumori, Motoki Takahashi, Yoshiki Sakuma, Toshiharu Saiki. Experimental study of near-field light collection efficiency of aperture fiber probe at near-infrared wavelengths. Applied Optics. 50 [29] (2011) 5710 10.1364/ao.50.005710
  4. Yasuaki Masumoto, Seitaro Yoshida, Michio Ikezawa, Shinichi Tomimoto, Yoshiki Sakuma. The enhanced binding energy for biexcitons in InAs quantum dots. Applied Physics Letters. 98 [6] (2011) 061905 10.1063/1.3554425
  5. T. Miyazawa, K. Takemoto, T. Nakaoka, T. Saito, S. Hirose, Y. Sakuma, N. Yokoyama, Y. Arakawa. Effect of electronic structure on single‐photon emission in InAs/InP quantum dot with quasi‐resonant excitation. physica status solidi c. 8 [2] (2011) 417-419 10.1002/pssc.201000590
2010
  1. Kazuya Takemoto, Yoshihiro Nambu, Toshiyuki Miyazawa, Kentaro Wakui, Shinichi Hirose, Tatsuya Usuki, Motomu Takatsu, Naoki Yokoyama, Ken'ichiro Yoshino, Akihisa Tomita, Shinichi Yorozu, Yoshiki Sakuma, Yasuhiko Arakawa. Transmission Experiment of Quantum Keys over 50 km Using High-Performance Quantum-Dot Single-Photon Source at 1.5 µm Wavelength. Applied Physics Express. 3 [9] (2010) 092802 10.1143/apex.3.092802
  2. Yasuaki Masumoto, Ken Goto, Seitaro Yoshida, Yoshiki Sakuma, Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui. One- and two-dimensional spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires. Physical Review B. 82 [7] (2010) 075313 10.1103/physrevb.82.075313
2009
  1. Yoshihiro Irokawa, Nobuyuki Matsuki, Masatomo Sumiya, Yoshiki Sakuma, Takashi Sekiguchi, Toyohiro Chikyo, Yasunobu Sumida, Yoshitaka Nakano. Low-frequency capacitance-voltage study of hydrogen interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky barrier diodes. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 3 [7-8] (2009) 266-268 10.1002/pssr.200903204
  2. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, WATANABE Masato, MASUMOTO Yasuaki. Observation of a New Isoelectronic Trap Luminescence in Nitrogen δ-doped GaP. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 48 [4] (2009) 04C158-1-04C158-3
  3. T. Nagata, M. Haemori, Y. Sakuma, T. Chikyow, J. Anzai, T. Uehara. Hydrogen effect on near-atmospheric nitrogen plasma assisted chemical vapor deposition of GaN film growth. Journal of Applied Physics. 105 [6] (2009) 066106 10.1063/1.3086715
2008
  1. Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Masamitsu Haemori, Kiyomi Nakajima, Reo Kometani, Kazuhiro Kanda, Shinji Matsui, Toyohiro Chikyow. Effect of Annealing on Implanted Ga of Diamond-Like Carbon Thin Films. Japanese Journal of Applied Physics. 47 [12] (2008) 9010-9012 10.1143/jjap.47.9010
  2. SAKUMA, Yoshiki, IKEZAWA Michio, Watanabe Masato, MASUMOTO Yasuaki. Isoelectronic Nitrogen δ-doping in GaP and Single-photon Emission from Individual Nitrogen Pairs. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. (2008) 4790-4794
  3. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Characterization of AlInGaN/GaN heterointerface by HAADF-STEM and electron holography. MICROSCOPY AND MICROANALYSIS. (2008) 438-439
  4. T.Yo, H.Tanaka, K.Koreyama, NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, NAKAJIMA, Kiyomi, CHIKYOW, Toyohiro, Jun Yanagisawa, A.Sakai. Characterization of Deposited Materials Formed by FocusedIon Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using anAuSi Alloyed Metal Source. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. (2008) 5018-5021
  5. Yongzhao Yao, Takashi Sekiguchi, Yoshiki Sakuma, Naoki Ohashi, Yutaka Adachi, Hanako Okuno, Masaki Takeguchi. InN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy with indium monolayer insertion. Crystal Growth & Design. 8 [3] (2008) 1073-1077 10.1021/cg700947g
  6. 佐久間 芳樹. 量子構造・ナノ構造成長. 薄膜ハンドブック（第2版）　（株式会社オーム社）. (2008) 254-255
2007
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  2. T. Kuroda, Y. Sakuma, K. Sakoda, K. Takemoto, T. Usuki. Single-photon interferography in InAs/InP quantum dots emitting at 1300 nm wavelength. Applied Physics Letters. 91 [22] (2007) 223113 10.1063/1.2819529
  3. Shinichi Tomimoto, Atsushi Kurokawa, Yoshiki Sakuma, Tatsuya Usuki, Yasuaki Masumoto. Radiative　Recombination of Excitons in Disk-Shaped　InAs/InP　Quantum Dots. Physical Review B. 76 [20] (2007) 205317 10.1103/physrevb.76.205317
  4. Michio Ikezawa, Yoshiki Sakuma, Yasuaki Masumoto. Single Photon Emission from Individual Nitrogen Pairs in GaP. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [No. 36] (2007) L871-L873 10.1143/jjap.46.l871
  5. Kazuya Takemoto, Motomu Takatsu, Shinichi Hirose, Naoki Yokoyama, Yoshiki Sakuma, Tatsuya Usuki, Toshiyuki Miyazawa, Yasuhiko Arakawa. An Optical Horn Structure for Single-Photon Source using Quantum Dots at Telecommunication Wavelength. Journal of Applied Physics. 101 [8] (2007) 081720 10.1063/1.2723177
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  7. Y. Akanuma, I. Yamakawa, Y. Sakuma, T. Usuki, A. Nakamura. Scanning tunneling microscopy study of interfacial structure of InAs quantum dots on InP(001) grown by a double-cap method. Applied Physics Letters. 90 [9] (2007) 093112 10.1063/1.2710470
  8. Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Tsuyoshi Uehara, Toyohiro Chikyow. GaN Film Fabrication by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [No. 2] (2007) L43-L45 10.1143/jjap.46.l43
2006
  1. H. Z. Song, T. Usuki, T. Ohshima, Y. Sakuma, M. Kawabe, Y. Okada, K. Takemoto, T. Miyazawa, S. Hirose, Y. Nakata, M. Takatsu, N. Yokoyama. Site-controlled quantum dots fabricated using an atomic-force microscope assisted technique. Nanoscale Research Letters. 1 [2] (2006) 160-166 10.1007/s11671-006-9012-x Open Access
  2. Yongzhao Yao, Takashi Sekiguchi, Yoshiki Sakuma, Makoto Miyamura, Yasuhiko Arakawa. Cathodoluminescence characterization of GaN quantum dots grown on 6H–SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition. Scripta Materialia. 55 [8] (2006) 679-682 10.1016/j.scriptamat.2006.06.031
  3. H. Amekura, N. Umeda, Y. Sakuma, O. A. Plaksin, Y. Takeda, N. Kishimoto, Ch. Buchal. Zn and ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation, and the defect-free luminescence. Applied Physics Letters. 88 [15] (2006) 153119 10.1063/1.2193327
  4. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Three-Dimensional GaN Nano Structure Fabrication by Focused Ion Beam Chemical Vapor Deposition. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. (2006) 250-252
2005
  1. Y. Sakuma, M. Takeguchi, K. Takemoto, S. Hirose, T. Usuki, N. Yokoyama. Role of thin cap layer and anion exchange reaction on structural and optical properties of InAs quantum dots on InP (001). Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 23 [4] (2005) 1741 10.1116/1.1949216
  2. T. Nagata, P. Ahmet, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, T. Chikyow. GaN nanostructure fabrication by focused-ion-beam-assisted chemical vapor deposition . Applied Physics Letters. 87 [1] (2005) 013103 10.1063/1.1968435
  3. H. Amekura, N. Umeda, Y. Sakuma, N. Kishimoto, Ch. Buchal. Fabrication of ZnO nanoparticles in SiO2 by ion implantation combined with thermal oxidation . Applied Physics Letters. 87 [1] (2005) 013109 10.1063/1.1989442
  4. SAKUMA, Yoshiki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. Controlling Emission Wavelength from InAs Self-Assembled Quantum Dots on InP(001) during MOCVD. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. (2005) 81-85
  5. 宮澤俊之, 竹本一矢, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 高津求, 荒川泰彦. Single-Photon Generation in the 1.55μm Optical-Fiber Band from an InAs/InP Quantum Dot. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 44 [20-23] (2005) L620-L622
  6. X. L. Yuan, T. Sekiguchi, J. Niitsuma, Y. Sakuma, S. Ito, S. G. Ri. Inhomogeneous distribution of dislocations in a SiGe graded layer and its influence on surface morphology and misfit dislocations at the interface of strained Si/Si0.8Ge0.2 . Applied Physics Letters. 86 [16] (2005) 162102 10.1063/1.1905802
  7. H. Z. Song, T. Usuki, S. Hirose, K. Takemoto, Y. Nakata, N. Yokoyama, Y. Sakuma. Site-controlled photoluminescence at telecommunication wavelength from InAs/InP quantum dots. Applied Physics Letters. 86 [11] (2005) 113118 10.1063/1.1887826
  8. 竹本一矢, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. Single InAs/InP Quantum Dot Spectroscopy in 1.3-1.55μm Telecommunication Band. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. (2005) 185-189
2004
  1. Kazuya Takemoto, Yoshiki Sakuma, Shinichi Hirose, Tatsuya Usuki, Naoki Yokoyama, Toshiyuki Miyazawa, Motomu Takatsu, Yasuhiko Arakawa. Non-classical Photon Emission from a Single InAs/InP Quantum Dot in the 1.3-µm Optical-Fiber Band. Japanese Journal of Applied Physics. 43 [7B] (2004) L993 10.1143/jjap.43.l993
  2. Kazuya Takemoto, Yoshiki Sakuma, Shinichi Hirose, Tatsuya Usuki, Naoki Yokoyama. Observation of Exciton Transition in 1.3-1.55 µm Band from Single InAs/InP Quantum Dots in Mesa Structure. Japanese Journal of Applied Physics. 43 [No. 3A] (2004) L349-L351 10.1143/jjap.43.l349

書籍 TSV

2011
  1. 佐久間 芳樹. 量子ナノ構造とエネルギーバンド. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. , 2011, 67-88.

会議録 TSV

2015
  1. 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
2014
  1. Takaaki Mano, Masafumi Jo, Takashi Kuroda, Martin Elborg, Takeshi Noda, Yoshimasa Sugimoto, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Nitrogen-Concentration Control in GaNAs/AlGaAs Quantum Wells Using Nitrogen δ-doping Technique. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. (2014) 10.1063/1.4878293
  2. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. (2014) 304-306 10.1380/ejssnt.2014.304
2013
  1. KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKAKI, Hiroyuki. Post-Growth Anealing of GaSb Quantum Dots in GaAs formed by Droplet Epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2013) 1505-1508
2010
  1. IROKAWA, Yoshihiro, MATSUKI, Nobuyuki, SUMIYA, Masatomo, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro, Sumida Yasunobu, Yoshitaka Nakano. Anomalous Capacitance-Voltage Characteristics of Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2010) 1928-1930
2009
  1. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, Watanabe Masato, MASUMOTO Yasuaki. Single NN Pair Luminescence and Single Photon Generation in Nitrogen δ-doped GaP. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2009) 362-365
  2. KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, TAKEMOTOKazuya, USUKITatsuya. Decoherence of single photons from an InAs/InP quantum dot emitting at a 1.3 μm wavelength. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2009) 944-947
  3. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Electron Holography Observation of AlInGaN/GaN Heterointerfaces. Proceedings of The 9th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy. (2009) 255-256
2008
  1. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN heterostructures. AMTC Letters. (2008) 66-67
  2. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, Watanabe Masato, MASUMOTO Yasuaki. Observation of a New Isoelectronic Trap Luminescence in Nitrogen δ-doped GaP. Extended Abstracts of the 2008 SSDM. (2008) 188-189
  3. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Electron holography observation of AlGaN/GaN and AlInGaN/GaN heterointerfaces. the Activity Report of the JSPS 141st Committee. (2008) 1-3
  4. IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi. Effects of surface states on hydrogen sensing performance of Pt-GaN Schottky diodes. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2008) 2985-2987
  5. TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, TATATSU Motomu, YOKOYAMA Naoki, SAKUMA, Yoshiki, USUKI Tatsuya, MIYAZAWA Toshiyuki, ARAKAWA Yasuhiko. Telecom single-photon source with horn structure. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2008) 2699-2703
  6. Hanako Okuno, Masaki Takeguchi, Kazutaka Mitsuishi, Yoshihiro Irokawa, Yoshiki Sakuma, Kazuo Furuya. Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF-STEM. SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS. (2008) 1660-1663 10.1002/sia.2960
2007
  1. NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, ANZAI Jyunichiro, KUNUGI Syunsuke, UEHARA Tsuyoshi, CHIKYOW, Toyohiro. Low Temperature Growth of GaN film by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN. (2007) 489-492
  2. AMEKURA, Hiroshi, SAKUMA, Yoshiki, YOSHITAKE, Michiko, TAKEDA, Yoshihiko, KISHIMOTO, Naoki, Ch. Buchal. Defect-band-free luminescence from ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation and thermal oxidation. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. (2007) 64-67
  3. AKANUMA Yasuhiko, YAMAKAWA Ichiro, SAKUMA, Yoshiki, USUKI Tatsuya, NAKAMURA Arao. Sharp Interfacial Structure of InAs/InP Quantum Dots Grown by Double-Cap Method: A Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy Study. AIP Conference Proceedings (Physics of Semiconductors). (2007) 107-108
  4. OKUNO, Hanako, TAKEGUCHI, Masaki, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF-STEM. The activity Report of the JS`S 141st Commitee. (2007) TuP-19- TuP-19
2006
  1. AMEKURA, Hiroshi, SAKUMA, Yoshiki, KONO, Kenichiro, TAKEDA, Yoshihiko, KISHIMOTO, Naoki, Ch. Buchal. Luminescence from ZnO nanoparticles / SiO2 fabricated by ion implantation and thermal oxidation. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. (2006) 760-763
2005
  1. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. Role of thin cap layer and anion exchange reaction on structural and optical properties of InAs quantum dots on InP(001). The Conference Proceedings of PCSI-32. (2005)
  2. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam Assisted Methods. Proceedings of the 10th International Symposium on Advanced Physical Fields. (2005) 123-125
  3. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. Precise Control of InAs/InP Self-Assembled Quantum Dots Formed by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Extended Abstracts of EW-MOVPE XI. (2005) 35-37
2004
  1. 竹本一矢, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 高津求, 荒川泰彦. Ultranarrow Photoluminescence Line in 1.3-1.55μm of Single InAs/InP Quantum Dots. ICPS-27 Conference Proceedings. (2004) 292

口頭発表 TSV

2024
  1. 渥美 圭脩, 李 曙紅, 西村 知紀, 金橋 魁利, 佐久間 芳樹, 長汐 晃輔. MOCVD成長によるウエハスケールMoS2 FETの特性評価. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
  2. 李 曙紅, 渥美 圭脩, 西村 知紀, 金橋 魁利, 佐久間 芳樹, 長汐 晃輔. NA. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
  3. 岩長 祐伸, 楊 旭, カラニコラス ヴァシレイオス, 黒田 隆, 佐久間 芳樹. 全誘電体メタ表面上の遷移金属ダイカルコゲナイト単原子層における量子コヒーレント状態の可視化. 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
2023
  1. 岩長 祐伸, 楊 旭, カラニコラス ヴァシレイオス, 黒田 隆, 佐久間 芳樹. プラズモン・フォトンハイブリッドメタ表面による原子層発光増強. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  2. 佐久間 芳樹, 楊 旭, 小野 佑樹, 李 世勝, 廣戸 孝信, 奈良 純, 池沢 道男, 松本 貴士. MOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  3. 小野 祐樹, 佐久間 芳樹, 松本 貴士. MOCVDによる単層MoS2のウェハースケールファンデルワールスエピタキシー. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  4. 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹. InAs/GaAs(111)A赤外線検出器の特性評価. 第84回応用物理学秋季学術講演会. 2023
  5. YANG, Xu, LI, Shisheng, OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. Scalable growth of atomically-thin MoS2 layers in conventional MOCVD system using molybdenum oxychloride as the molybdenum source. ICCGE-20. 2023
2022
  1. 佐久間 芳樹, 楊 旭, 池田 直樹. オキシクロライドCVD法によるサファイア基板上WS2のリモート触媒成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  2. 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 佐久間 芳樹. GaAs(111)A上のInAsメタモルフィック成長：成長温度依存. 2022年第83回応用物理学秋季学術講演会. 2022
  3. 王 若曦, 相原 健人, 楊 旭, 佐久間 芳樹, 池沢 道男. WS2微小結晶核の横方向量子サイズ効果. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  4. 石田 峻之, 楊 旭, 王 若曦, 相原 健人, 佐久間 芳樹, 池沢 道男, 天野 浩. AlN上多層hBN膜中の欠陥からの室温における単一光子発生. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  5. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2 – WSe2多層積層構造のMBE成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  6. YANG, Xu, LI, Shisheng, IKEDA, Naoki, SAKUMA, Yoshiki. Oxide scale sublimation chemical vapor deposition for monolayer transition metal dichalcogenides growth. ICMOVPE XX. 2022
  7. 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹. InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
2021
  1. 楊 旭, 李 世勝, 池田 直樹, 佐久間 芳樹. Oxide Scale Sublimation Chemical Vapor Deposition: Controllable Growth of Monolayer MoS2. 2021 MRS Fall Meeting. 2021
  2. 楊 旭, 佐久間 芳樹. New CVD techniques for synthesizing monolayer transition metal dichalcogenides and prospects toward future nanophotonics. 2021 Materials Research Society-Taiwan International Conference (2021 MRSTIC). 2021 招待講演
  3. 王　若曦, 相原　健人, 佐久間 芳樹, 池沢　道男. Observation of Lateral Quantum Confinement of Small WS2 Crystalline Nuclei. Joint Conference: EP2DS-24/MSS-20. 2021
  4. 佐久間 芳樹, 楊 旭, 李 世勝, 池田 直樹. オキシクロライドCVDによるMoS2成膜過程へのO2添加効果. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021
  5. 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
2020
  1. IKEDA, Naoki, YANG, Xu, SAKUMA, Yoshiki. OSS-CVD for MoS2 Monolayers: A New Approach Utilizing Oxide-Scale Sublimation of Molybdenum. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  2. 松山 享平, 佐久間 芳樹, 池沢 道男. 真空中でのUV 光照射による単層WS2 の発光増大効果. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
2019
  1. SAKUMA, Yoshiki, LI, Shisheng, IKEDA, Naoki, OHTAKE, Akihiro. Impact of Glass Substrates on MoS2 Monolayers Grown by Novel Oxychloride CVD. The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference http://www.rpgrconf.com/2019/index.php. 2019
  2. OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. Heteroepitaxy of MoSe2 on GaSe-terminated Si(111). The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference. 2019
  3. 佐久間 芳樹, 李 世勝, 池田 直樹, 大竹 晃浩. ガス原料CVDを用いたTMDC単層膜成長におけるガラス基板の効果. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  4. HA, Neul, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Current-injection quantum-entangled-photon-pair emitter using GaAs quantum dots: Robustness against increasing temperature. The 80th JSAP Autumn Meeting 2019. 2019
  5. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2/GaAsヘテロエピタキシーにおける基板面方位依存性. 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  6. 間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInAs/InP(111)A量子ドットの自己形成における高温結晶化過程の導入. 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  7. KAWAZU, Takuya, SAKUMA, Yoshiki, NODA, Takeshi, Enhancement of infrared photo-responses of the Schottky gate region of an n-AlGaAs/GaAs heterojunction FET by a second light illumination. Compound Semiconductor Week 2019 (The 46th International Symposium on Compound Semiconductor). 2019
  8. 田久保 悠一, 佐久間 芳樹, 石澤 輝, 池沢 道男. 窒素をデルタドープしたGaAsの３パルスフォトンエコー測定. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  9. 久保 直人, 片平 博夫, 寺平 成希, 池沢 道男, 佐久間 芳樹. チューナブルなファブリー・ペロー型光共振器中の二次元半導体の光スペクトル. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  10. 川津 琢也, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 局所光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキー光電流増強効果. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
2018
  1. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAs/AlGaAsダブルヘテロ電界効果トランジスタのゲート端局所照射におけるショットキー光電流の温度依存性. ACSIN-14. 2018
  2. 佐久間 芳樹, 池田 直樹, 大竹 晃浩, 間野 高明. WOCl4をプリカーサに用いたWS2単層膜のガス原料CVD. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製した InGaAs量子細線列の光学異方性. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  4. 間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  5. 間野 高明, 宮崎 英樹, 笠谷 岳士, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Nonalloyed Ohmic Contacts to Buried n-GaAs Appearing After Reversed Wafer Transfer Process. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2018
  6. 佐久間 芳樹, 池田 直樹, 間野 高明, 大竹 晃浩. Scalable growth of high-quality MoS2 and WS2 atomic layers using oxychloride sources in MOCVD reactor. ICMOVPE-XIX. 2018
  7. 間野 高明, 宮崎 英樹, 笠谷 岳士, 野田 武司, 佐久間 芳樹. メタ表面赤外線検出器のためのn-GaAsへのノンアロイオーミック接合. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  8. 田久保悠一, 福島崚太, 佐久間芳樹, 池沢道男, 窒素をデルタドープしたGaAsの四光波混合測定. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  9. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおける光AND演算動作. 第65回応用物理学会春季学術講演会 . 2018
2017
  1. ELBORG, Martin, SAKUMA, Yoshiki, NODA, Takeshi. Capacitance-voltage and current-voltage characterization to determine carrier concentrations in Quantum Dot embedded solar cells. 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference. 2017
  2. 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. A New Route to Grow Highly-Mismatched InGaAs on GaAs (111)A by Inserting Atomically Thin InAs Layers. Semicon Nano 2017. 2017 招待講演
  3. 王 若曦, 松山 享平, 佐久間 芳樹, 池沢 道男, 舛本 泰章. 窒素をデルタドープしたGaAs(111)A 面上の発光中心の偏光異方性. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  4. 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. ATLAS法により作製したInxGa1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析. 第78回応用物理学会 秋季学術講演会. 2017
  5. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタの ショットキーゲート端照射による光電流生成. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  6. エルボルグ マーティン, 姚 遠昭, 野田 武司, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Coupled GaAs/AlGaAs quantum Ring+Dot structures by Multiple Droplet Epitaxy. Moscow State University - NIMS workshop. 2017
  7. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 黒田 隆, 姚 遠昭, 佐久間 芳樹. Luminescence characteristics of coupled GaAs/AlGaAs quantum ring+dot structure under applied electric field . Compound Semiconductor Week 2017. 2017
  8. 王　若曦, 池沢　道男, 山田　雄太, 佐久間 芳樹, 武田　寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本　泰章. 等電子トラップを埋め込んだフォトニック結晶共振器による単一光子発生と発光寿命制御. 第72回年次大会（2017年）. 2017
  9. 王　若曦, 池沢　道男, 山田　雄太, 佐久間 芳樹, 武田　寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本　泰章. フォトニック結晶共振器による単一等電子発光中心の発光寿命制御. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  10. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Capacitance spectroscopy on quantum hetero structure embedded Intermediate Band Solar Cells. MANA International Symposium 2017. 2017
2016
  1. 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 量子暗号向け通信波長帯単一光子源. 応用電子物性分科会. 2016 招待講演
  2. 王　若曦, 池沢　道男, 張　遼, 山田　雄太, 佐久間 芳樹, 武田　寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本　泰章. GaAs中の窒素不純物を利用した明るい単一光子源. 第2回TIA光・量子計測シンポジウム. 2016 招待講演
  3. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Photo-induced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor driven by local illumination at edge regions of Schottky metal gate. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2016
  4. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Ga堆積速度およびSb分子線圧のGaSb量子ドット形成への影響. 第77回応用物理学会秋季学術講演会 . 2016
  5. ハ ヌル, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. Entangled photon emitting diode based on GaAs droplet quantum dots. 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  6. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. GaAs{111}A, B表面上でのMoSe2単層膜成長. 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  7. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 大竹 晃浩. ガス状プリカーサーを用いたMoS2単層膜のスケーラブルなCVD成長. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  8. 間野 高明, 三石 和貴, 大竹 晃浩, ハ ヌル, カステラーノ アンドレア, ステファノ　サングイネッティ, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  9. 黒田 隆, 間野 高明, ハ ヌル, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 量子ドットもつれ光子源の安定性について. 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  10. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 黒田 隆, 姚 永昭, 佐久間 芳樹. Growth and optical properties of quantum ring-dot molecules grown by Multiple-Droplet Epitaxy process. 19th International Conference on Molecular Beam Ep. 2016
  11. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. 断面STMによるGaAs中窒素不純物の直接可視化. IVC20 第20回 国際真空学術会議・展示会. 2016
  12. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. Effects of Ga deposition rate and antimony flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs. The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor. 2016
  13. 池沢道男, 張遼, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. Study on coherence time and indistinguishability of single photons from nitrogen impurity centers in GaAs. QD 2016. 2016
  14. ハ ヌル, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. Droplet epitaxial growth of highly symmetric InAs quantum dots on InAlGaAs/InP(111)A emitting at telecom 1.55 micron-m wavelength. The 9th Int Conf on Quantum Dots (QD2016). 2016
  15. 黒田 隆, ハ ヌル, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Robustness characterization of entangled-photon emitters based on naturally-symmetric droplet quantum dots. The 9th Int Conf on Quantum Dots (QD2016). 2016
  16. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 姚 永昭, 佐久間 芳樹. Droplet epitaxy quantum dots in ultra-high efficiency solar cells. 9th International Conference on Quantum Dots. 2016 招待講演
  17. 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. Ultralow g(2)(0) single-photon emission from 1.5μm-quantum dot using cryogen-free refrigerator system. PLMCN-17. 2016
  18. 張遼, 池沢道男, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs中の窒素発光中心から発生した光子の量子干渉. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  19. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したGaSbタイIIナノロッドの光学異方性. 第63回応用物理学会春季学術講演会 . 2016
  20. 竹本一矢, 宮澤俊之, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 長距離量子暗号通信を実現する単一光子源技術. 新しい光源技術と応用的研究・開発. 2016 招待講演
  21. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Growth of Coupled Quantum Dot-Ring structures by Multiple-Droplet Epitaxy Process. MANA International Symposium 2016. 2016
  22. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. 断面STMによるGaAs中窒素不純物の直接可視化. ISPlasma2016/IC-PLANTS2016. 2016
2015
  1. 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. (111)A基板上の格子不整合系エピタキシーの諸現象：ドット形成と歪み緩和の理解と制御にむけて. 第１１回量子ナノ材料セミナー. 2015 招待講演
  2. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Dependence of open-circuit voltage in GaNAs/AlGaAs quantum structure solar cells on N concentration. 25th International Photovoltaic Science and Engineering Confere. 2015
  3. 池沢道男, 安田直人, 張遼, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. Resonant Excitation of Single Luminescence Centers in GaAs:N. SSDM 2015. 2015
  4. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹. Droplet Epitaxy GaAs/AlGaAs Quantum Dot Embedded Solar Cells with Enhanced Sub-Band Gap Light Absorption. German MBE-Workshop 2015. 2015
  5. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Probing carrier transport by surface excitation of GaNAs/GaAs quantum structure embedded solar cells with zero valance band offset. European PV Solar Energy Conference. 2015
  6. ハ ヌル, 間野 高明, 黒田 隆, Shun-Jen Cheng, Paul M. Koenraad, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. The 76th JSAP Autumn Meeting. 2015
  7. 間野 高明, 黒田 隆, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. GaAs(111)A基板上の高対称性量子ドットLEDの作製. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  8. 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. He循環型冷凍機を用いた超高純度1.5μm帯単一光子発生器. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  9. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの面内電流生成. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  10. 池沢道男, 張遼, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs中の窒素発光中心を利用した単一光子源. 光・量子計測シンポジウム. 2015
  11. 池沢道男, 山田雄太, 佐久間 芳樹, 張遼, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本泰章. Non-classical Light Generation from Isoelectronic Traps Embedded in Photonic Crystal Microcavities. EP2DS-21/MSS-17. 2015
  12. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Prospects for high efficiency Intermediate Band Solar Cells using dilute nitride III-V semiconductors. International Seminar on Renewable Energy and Sustainable Develo. 2015
  13. 池沢道男, 張遼, 佐久間 芳樹, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本泰章. Single Photon Gneration from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Korea-Japan Joint Symp. on Semiconductor Physics and Technology. 2015 招待講演
  14. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaSb/GaAs量子ドットの光学異方性における後熱処理の効果. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  15. 劉 祥明, 黒田 隆, 間野 高明, 中島 秀朗, 熊野 英和, 末宗 幾夫, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Entangled photon emission at temperatures up to 60 K from droplet epitaxial quantum dots. 第62回応用物理学会春季学術講演会 . 2015
  16. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Open-circuit voltage recovery in dilute-N GaAs/AlGaAs quantum structure solar cells. MANA International Symposium 2015. 2015
2014
  1. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化. 22nd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy. 2014
  2. 池沢道男, 山田雄太, 佐久間 芳樹, 張遼, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 迫田 和彰, 舛本泰章. Non-classical Light Generation from Isoelectronic Centers Embedded in Photonic Crystal Microcavities. Recent Progress of Photonic Devices and Materials. 2014
  3. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化. The 7th International Symposium on Surface Science. 2014
  4. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  5. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 高指数面GaAs基板上のGaSbおよびAlSb量子ドットの成長. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  6. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  7. 山田雄太, 張遼, 池沢道男, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. フォトニック結晶共振器に埋め込まれた等電子トラップからの非古典光発生. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  8. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  9. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
  10. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 濡れ層を持つまたは持たないGaSb/GaAs type-II 量子ドットの作製と光学特性. SSDM2014. 2014
  11. 山田雄太, 張遼, 池沢道男, 武田 寛之, 池田 直樹, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 等電子トラップを埋め込んだフォトニック結晶共振器の光学特性. 日本物理学会　2014年秋季大会. 2014
  12. 張遼, 池沢道男, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 発光エネルギーの揃ったGaAs中の窒素発光中心の位相緩和. 日本物理学会　2014年秋季大会. 2014
  13. 定 昌史, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Yellow single-photon emission from nitrogen impurity centers in AlAs. SPIE.2014 Optics+Photonics Nanoscience+Engineering . 2014 招待講演
  14. 劉 祥明, ハ ヌル, 黒田 隆, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Multi-exciton binding in droplet epitaxially grown InAs/InP(111)A quantum dots at telecommunication wavelengths. ICPS 2014. 2014
  15. 石田 暢之, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 韓 礼元, 藤田 大介. 断面KPFMによる多重量子井戸太陽電池中のポテンシャル分布計測. Non-contact atomic force microscopy 2014. 2014
  16. 佐久間 芳樹, 間野 高明. 自己形成による量子ドットの作製技術・光学特性とその応用. 量子ドットの作製技術・構造制御と応用. 2014 招待講演
  17. 間野 高明, 大竹 晃浩, 黒田 隆, ハ ヌル, 劉 祥明, 三石 和貴, 萩原敦, 中村淳, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100) . 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures. 2014 招待講演
  18. 間野 高明, ハ ヌル, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 野田 武司, カステラーノ アンドレア, ステファノサングイネッティ, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. InAs quantum dots formed on InP(111)A by droplet epitaxy. 8th International conference on Quantum Dots. 2014
  19. 間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  20. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 韓 礼元. GaNAs/AlGaAs with Close-to-Ideal Absorption Energies for Intermediate Band Solar Cell Application. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  21. 池沢道男, 張遼, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 単一発光中心の共鳴励起による単一光子発生. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  22. ハ ヌル, 劉 祥明, 間野 高明, 黒田 隆, 三石 和貴, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドットの作製とその1.3μm 及び 1.55μm帯発光. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
2013
  1. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 三石 和貴, 田邉顕人, 前田辰郎, 太田裕之. ナノスケールヘテロ接合の形成とデバイス特性. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会. 2013 招待講演
  2. ハ ヌル, 間野 高明, 黒田 隆, J. Bocquel, P. Koenraad, Ying Lin Chou, Yu-Nien Wu, Shun-Jen Cheng, Stefano Sanguinetti, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Spectral broadening in height controlled single GaAs quantum dots formed by droplet epitaxy . 12th International Conference on ACSIN. 2013
  3. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 黒田 隆, 池沢道男. NIMSにおける量子ナノ構造研究の進展 －液滴量子ドットと等電子トラップを中心に－. 第９回量子ナノ材料セミナー. 2013 招待講演
  4. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, HAN, Liyuan. Two-Step Photocurrent Generation in Lattice-Matched GaAs/AlGaAs QD-IBSCs at Room Temperature. PVSEC-23. 2013
  5. 南部芳弘, 竹本一矢, 宮澤俊之, 佐久間 芳樹, 萬伸一, 山本剛之, 荒川泰彦. 1.5μｍ帯量子ドット単一光子源を用いた100km量子鍵配布. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  6. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 試料端局所照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの光電流. 2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会. 2013
  7. 間野 高明, 定 昌史, 黒田 隆, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による格子整合系量子ナノ構造の自己形成とその光物性. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013 招待講演
  8. 宮澤俊之, 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 宋海智, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 共鳴励起準位の選択による量子ドット単一光子発生器の純度改善. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  9. ハヌル, カステラーノ アンドレア, 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. GaAs(111)A 基板上の歪み緩和InGaAs 成長. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  10. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 韓 礼元, 迫田 和彰. 液滴エピタキシーで作製したGaAs/AlGaAs量子ドット太陽電池における２ステップ光電流. 201３年　第７４回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  11. 佐久間 芳樹, 池沢道男, 張遼, 梅原晋太郎, 舛本泰章, 迫田 和彰. Formation of Isoelectronic Localized States with Well-defined Emission Energy in δ-doped GaAs:N. EWMOVPE 2013. 2013
  12. 宮澤俊之, 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 宋海智, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. Suppression of multi-photon emission in 1.5μm quantum-dot single-photon source. IPRM 2013. 2013
  13. 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井裕高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 王鎮, 宮澤俊之, 佐久間 芳樹, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. SSPDによる量子情報通信向け単一光子源の特性評価. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013 招待講演
  14. 森達哉, 池沢道男, 張遼, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. 超コヒーレントな単一光子発生のための単一発光中心の共鳴励起. 第68回日本物理学会年次大会. 2013
  15. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs:N中の単一不純物発光中心のフーリエ分光測定. 第68回日本物理学会年次大会. 2013
2012
  1. 定 昌史, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Droplet epitaxy in lattice-mismatched systems. Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG). 2012 招待講演
  2. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 定 昌史, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Self-assembly of Ga droplets attached to GaAs quantum dots. 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  3. 定 昌史, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Size-dependent contact angle of Ga droplets on GaAs. The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  4. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. Homogeneous linewidth of the nitrogen impurity single photon source in GaAs. IUMRS-ICEM 2012. 2012
  5. 定 昌史, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Evolution from isoelectronic impurities to an impurity band in N delta-doped AlAs grown by molecular beam epitaxy. The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  6. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長. International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012). 2012
  7. 間野 高明, 定 昌史, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Droplet epitaxy of nanostructures and their applications. The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012 招待講演
  8. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 梅原晋太郎, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. Single photon generation from an impurity center with well-defined emission energy in GaAs. 2012 SSDM. 2012
  9. ELBORG, Martin, YAO, Yuanzhao, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, JO, Masafumi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Vertical coupling of GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy. 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  10. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 梅原晋太郎, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs:N中のエネルギーが揃った発光中心からの単一光子の発生. 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  11. 間野 高明, 黒田 隆, 定 昌史, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドット形状の液滴サイズ依存性. 第73回応用物理学学術講演会. 2012
  12. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長. 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  13. 定 昌史, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 高密度GaAs量子ドットにおける面内キャリア移動の観測. 第73回応用物理学学術講演会. 2012
  14. 定 昌史, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. AlAs中のN等電子中心. 第73回応用物理学学術講演会. 2012
  15. 定 昌史, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Nitrogen isoelectronic impurity centers in AlAs. 31st International Symposium on the Physics of Semiconductors. 2012
  16. 定 昌史, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシを用いた超高密度量子ドットの作製. 第31回電子材料シンポジウム. 2012
  17. Ikezawa　Michio, Liao Zhang, Sone Yoshinori, Mori Tatsuya, Hamano Takenobu, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki, Masumoto Yasuaki. Optical spectroscopy of individual nitrogen impurity centers in GaAs and single photon emission from a bright center. 7th International Conference on Quantum Dots (QD2012). 2012
  18. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs:N中の単一発光中心のフーリエ分光による発光均一幅の測定. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
  19. 川津 琢也, 秋山 芳弘, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 微傾斜GaAs(111)B基板上のGaSbタイプⅡナノロッドの自己形成. 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会. 2012
  20. 定 昌史, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシを用いた超高密度GaAs量子ドットの作製. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  21. 南部芳弘, 竹本一矢, 宮澤俊之, 廣瀬真一, 佐久間 芳樹, 萬伸一, 荒川泰彦. 1.55μｍ帯量子ドット単一光子源による量子鍵配布性能予測. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  22. 間野 高明, 定 昌史, 三石 和貴, 黒田 隆, エルボルグ マーティン, 野田 武司, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 周期的成長中断を用いたGaNAs三次元島状構造の作製. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  23. 佐久間 芳樹, 池沢道男, 森達哉, 張遼, 舛本泰章, 迫田 和彰. MOCVD法により窒素をドープしたGaAsからのエネルギーの揃ったPL輝線発光. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  24. 張遼, 池沢道男, 森達哉, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaAs中の窒素不純物発光中心に束縛された励起子の位相緩和時間. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  25. 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 廣瀬真一, 佐久間 芳樹, 萬伸一, 荒川泰彦. 超電導単一光子検出器を用いた1.5μｍ帯量子ドット単一光子光源評価. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
2011
  1. 張遼, 森達哉, 濱野毅信, 池沢道男, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 舛本泰章. GaP:N中の二軸異方性単一窒素ペアの磁気光学. 日本物理学会　2011年秋季大会. 2011
  2. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの後熱処理効果. 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011
2010
  1. 舘林 潤, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Ga液滴を用いた自己触媒化法によるSi基板上GaInP/GaPコア・シェル型ダブルヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長及び光学・構造評価. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
2008
  1. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 渡邉真人, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPの単一等電子トラップ分光　（II）. 日本物理学会2008年秋季大会. 2008
  2. 水野大, 久保田良輔, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs/InP量子ドットの光学特性における濡れ層局在電子の与える影響. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  3. 佐久間 芳樹, 池沢道男, 渡邉真人, 舛本泰章. GaP中へのNドーピング技術と等電子トラップによる単一光子発生. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008 招待講演
  4. 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 竹本一矢, 臼杵達也. InAs/InP量子ドットの発光スペクトル形状. 応用物理学会2008年（平成20年）秋季講演会. 2008
  5. 臼杵達哉, 佐久間 芳樹, 竹本一矢, 宮澤俊之, 横山直樹, 荒川泰彦. 単一量子ドットの励起子微細構造. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  6. SAKUMA, Yoshiki. Isoelectronic Nitrogen δ-doping in GaP and Single-photon Emission from Individual Nitrogen Pairs. ICMOVPE 2008 - XIV - 14th. 2008
  7. 竹口 雅樹, 奥野 華子, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. AlInGaN/GaNのHAADF-STEMと電子線ホログラフィーによる評価. 日本顕微鏡学会第64回学術講演会. 2008
  8. 久保田良輔, 中島幸次, 水野大, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. Near-field Imaging Spectroscopy of Single InAs/InP Quantum Dots in Optical Telecommunication Wavelength Band. The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots. 2008
  9. 姚 永昭, 関口 隆史, 佐久間 芳樹, 大橋 直樹, 安達 裕, 奥野 華子, 竹口 雅樹. InN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy with In monolayer insertion. The 4th international nanotechnology conference on communication. 2008
  10. 久保田良輔, 中島幸次, 水野大, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs直接励起におけるInAs/InP単一量子ドットの近接場イメージング分光. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  11. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 南風盛 将光, 安西純一郎, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長における水素添加の効果. 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 . 2008
  12. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 渡邉真人, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPにおける単一等電子トラップの高分解能発光測定. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  13. 渡邉真人, 池沢道男, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPにおけるNNペア空間分布の濃度依存性. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  14. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 南風盛 将光, 中島 清美, 米谷玲皇, 神田一浩, 松井真二, 知京 豊裕. FIB-CVD法により堆積したDLC薄膜の熱処理による構造変化. 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 . 2008
  15. 竹口 雅樹, 奥野 華子, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. AlGaN/GaNヘテロ界面における二次元電子ガスの電子線ホログラフィー観察. 第55回応用物理学会. 2008
  16. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 渡邉真人, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPの単一等電子トラップ分光. 日本物理学会第63回年次大会. 2008
2007
  1. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 上原剛, 知京 豊裕. The Hydrogen Effect on GaN film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第18回日本MRS学術シンポジウム . 2007
  2. SAKUMA, Yoshiki, IKEZAWA　Michio, MASUMOTO Yasuaki. Nitrogen δ-Doping in GaP(001) and Single-Photon Emission from Individual Nitrogen Pair. MRS Fall Meeting 2007. 2007
  3. 佐久間 芳樹. 単一光子源にむけた量子ナノ構造の形成技術. 第11回名古屋大学VBLシンポジウム. 2007 招待講演
  4. 奥野 華子, 竹口 雅樹, 三石 和貴, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. III族窒化物半導体のTEM/STEM観察. 平成19年度ＮＩＭＳナノ計測センター研究成果発表会. 2007
  5. IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi. Effects of Surface States on Hydrogen Sensing Performance of Pt-GaN Schottky Diodes. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007
  6. SAKUMA, Yoshiki, IKEZAWA　Michio, MASUMOTO　Yasuaki. Nitrogen δ-Doping in GaP and Single-Photon Emisson from Individual Nitrogen Pair. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007
  7. IKEZAWA Michio, SAKUMA, Yoshiki, MASUMOTO Yasuaki. Photoluminescence Studies on Individual Nitrogen Impurity Centers in GaP. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007
  8. TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, TAKATSU Motomu, YOKOYAMA Naoki, SAKUMA, Yoshiki, USUKI Tatsuya, MIYAZAWA Toshiyuki, ARAKAWA Yasuhiko. Telecom Single-Photon Source with Horn Structure. The 34th International Symposium on Compound Semiconductors. 2007 招待講演
  9. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. GaP中の単一窒素等電子トラップによる単一光子発生. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  10. 冨本慎一, 黒川篤, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. InAs/InP量子井戸及びディスク状量子ドットにおける励起子輻射再結合寿命. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  11. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. Low Temperature Growth of GaN film by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. the 7th International Conference of Nitride Semiconductors. 2007
  12. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 神田一浩, 米谷玲皇, 松井　真二, 中島 清美, 知京 豊裕. FIB-CVD法によるDLC薄膜におけるアニール効果. JST ナノファクトリ領域全体会議. 2007
  13. 奥野 華子, 竹口 雅樹, 三石 和貴, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. III族窒化物半導体のHAADF-STEM観察. 2007年秋季　第68回学術講演会. 2007
  14. 久保田良輔, 中島幸次, 水野大, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs/InP量子ドットにおけるInAs濡れ層の近接場イメージング分光. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  15. 中島幸次, 久保田良輔, 水野大, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. 1.55μm帯発光InAs/InP単一量子ドットの近接場分光. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  16. 池沢道男, 佐久間 芳樹, 舛本泰章. 窒素をδドープしたGaPにおける単一等電子トラップの顕微PLと単一光子発生. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  17. 竹本一矢, 廣瀬真一, 高津求, 横山直樹, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 宮澤俊之, 荒川泰彦. ホーン型1.5μm単一光子発生器のPLE選択励起. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  18. 佐久間 芳樹, 池沢道男, 舛本泰章. MOCVD法によるGaP(001)への窒素δドーピングと単一NNペアからの単一光子発生. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  19. 奥野 華子, 竹口 雅樹, 三石 和貴, 郭 行健, 色川 芳宏, 佐久間 芳樹, 古屋 一夫. GaN系材料のZコントラストイメージング. NIMS conference. 2007
  20. 中村新男, 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. Double-cap法により成長したInP上InAs量子ドットの断面STM観察. 日本顕微鏡学会第63回学術講演会. 2007 招待講演
  21. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長. 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 . 2007
  22. 中島幸次, 久保田良輔, 斎木敏治, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉. InAs/InP単一量子ドットの近接場分光. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  23. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. Low temperature growth of GaN films by near-atmospheric plasma-assisted chemical vapor deposition. 2nd International Advanced Materials Forum for Young Scientists. 2007
2006
  1. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. 大気圧プラズマＣＶＤによる窒化物薄膜作製. 日本電子材料技術協会第43回秋期講演大会. 2006
  2. 黒川篤, 冨本慎一, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 舛本泰章. 原子層レベルの離散的高さ分布を持つディスク状InAs量子ドットの時間分解発光分光. 日本物理学会2006年度秋季大会. 2006
  3. 臼杵達哉, 竹本一矢, 廣瀬真一, 高津求, 宮澤俊之, 佐久間 芳樹, 横山直樹, 荒川泰彦. Single-Photon Generator For Telecom Applications. 2006 International Conference on SSDM. 2006 招待講演
  4. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京 豊裕. ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜成長. 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  5. 冨本慎一, 黒川篤, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 舛本泰章. 原子層数で決まる離散的な高さ分布を持つディスク状InAs量子ドットの発光寿命測定. 第67回応用物理学学術講演会. 2006
  6. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 赤沼泰彦, 山川市朗, 中村新男. ダブルキャップ法によるInP基板上のInAs量子ドットの制御と成長メカニズム. 第67回応用物理学学術講演会. 2006 招待講演
  7. 竹本一矢, 廣瀬真一, 高津求, 横山直樹, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 宮澤俊之, 荒川泰彦. A New Approach for Single-Photon Source using Quantum Dots at Telecommunication Wavelength. 28th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2006 招待講演
  8. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉. Growth of disk-shaped InAs quantum dots on InP (001). 4th International Conference on Semiconductor Quantum Dots. 2006
  9. 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 中村新男. Double cap法によるInAs/InP量子ドット界面構造の断面STM観察. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  10. 長田 貴弘, 上原剛, 佐久間 芳樹, 知京 豊裕. 大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長. 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  11. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 高津求, 横山直樹, 臼杵達哉, 宮澤俊之, 荒川泰彦. 通信波長帯単一光子発生のためのInAs/InP量子ドットのPLE評価. 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  12. 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 中村新男. Double-cap成長法によるInP上InAs量子ドットの断面STM観察Ⅱ. 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  13. 姚 永昭, 関口 隆史, 佐久間 芳樹, 大橋 直樹. Fabrication of GaN film by Molecular Beam Epitaxy for InN growth. 4th NIMS International Conference on Photonic Processes in Semic. 2006
  14. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, Takemoto Kazuya, Hirose Shin-ichi, Usuki Tatsuya, Yokoyama Naoki. High-Quality InAs/InP Self-Assembled Quantum Dots Formed by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. Photonic Processes in Semiconductor Nanostructures. 2006
2005
  1. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 上原剛, 知京 豊裕. GaN Film Growth by Near-Atmospheric Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition. 第16回日本MRS学術シンポジウム(国際シンポジウム) . 2005
  2. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. Nano rod fabrication of GaN by FIB assisted CVD. 2005 NIST-NIMS Combinatorial Nanomaterials Symposium. 2005 招待講演
  3. 宋海智, 臼杵達哉, 廣瀬真一, 竹本一矢, 中田義昭, 横山直樹, 佐久間 芳樹. Telecommunication Band Photoluminescence of Site-Controlled InAs/InP Quantum Dots. 2005 MRS Fall Meeting. 2005
  4. 臼杵達哉, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 竹本一矢, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. Single photon generator in optical telecom wavelength. 2nd Joint Int. 2005
  5. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価. 日本電子材料技術協会第42回秋期講演大会. 2005
  6. 宮澤俊之, 竹本一矢, 廣瀬真一, 佐久間 芳樹, 高津求, 臼杵達哉, 横山直樹, 荒川泰彦. 1.55 µm帯量子ドットによる単一光子生成と単一光子伝送実験. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  7. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. As/P 置換反応によるInAs/InP(001)量子ドットの形状・光学特性の変化. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  8. 長田 貴弘, 上原剛, 佐久間 芳樹, 知京 豊裕. 大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の作製. 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  9. 赤沼泰彦, 山川市朗, 佐久間 芳樹, 臼杵達哉, 中村新男. Double-cap成長法によるInP上InAs量子ドットの断面STM観察. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  10. 雨倉 宏, 梅田 直樹, 佐久間 芳樹, 岸本 直樹, Ch. Buchal. Defect-free luminescence from ZnO nanoparticles fabricated by ion implantation and thermal oxidation. The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors. 2005
  11. SAKUMA, Yoshiki, TAKEGUCHI, Masaki, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. High Quality InAs/InP Quantumn Dots Formation and its Application to Single-Photon Source for Quantum Cryptography. 第3回物質材料研究機構－マックスプランク研究所ミニワークショップ. 2005 招待講演
  12. 雨倉 宏, 梅田 直樹, 佐久間 芳樹, 河野 健一郎, 岸本 直樹, Ch. Buchal. ZnO nanoparticles embedded in SiO2 fabricated by ion implantation combined with thermal oxidation. ICMAT2005/ICAM2005. 2005
  13. 佐久間 芳樹. MOCVD法によるInP(001)基板上へのInAs量子ドットの形成と波長制御技術. つくばナノ光量子科学ワークショップ. 2005 招待講演
  14. SAKUMA, Yoshiki. Precise Control of InAs/InP Self-Assembled Quantum Dots Formed by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. 11th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-. 2005
  15. 雨倉 宏, 梅田 直樹, 佐久間 芳樹, 河野 健一郎, 岸本 直樹. イオン注入熱酸化法によるZnOナノ粒子の形成（Ⅱ）. 2005年度春季第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  16. 宋海智, 臼杵達哉, 廣瀬真一, 竹本一矢, 中田義昭, 横山直樹, 佐久間 芳樹. 位置制御されたInAs/InP単一ドットの通信波長帯発光. 第52回応用物理学関係連合講演会（H17年春季）. 2005
  17. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. 量子暗号通信に向けた通信波長帯単一光子発生とその評価. 第52回応用物理学関係連合講演会（平成17年春季）. 2005 招待講演
  18. 佐久間 芳樹. 量子暗号用単一光子発生素子に向けた自己形成半導体量子ドットの形状・発光波長制御技術. 第46回光・半導体デバイス研究会. 2005 招待講演
  19. 臼杵達哉, SAKUMA, Yoshiki, 廣瀬真一, 竹本一矢, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. Development of a Single-Photon Emitter in Optical Telecommunication Wavelength. International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 20. 2005
  20. 臼杵達哉, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 竹本一矢, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. 量子暗号通信のための単一光子発生器開発. 2005年暗号と情報セキュリティシンポジウム（SCIS2005）. 2005
  21. SAKUMA, Yoshiki. Role of thin cap layer and anion exchange reaction on structural and optical properties of InAs quantum dots on InP(001). 32nd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor In. 2005
2004
  1. 雨倉 宏, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 河野 健一郎, 武田 良彦, 岸本 直樹. イオン注入・熱酸化法により形成されたSiO2中のZnOナノ粒子. 1st International Symposium on the Functionality of Organized Na. 2004
  2. 長田 貴弘, Parhat Ahmet, 山内 泰, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam System. 1st International Symposium on the Functionality of Organized Na. 2004
  3. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. InAs/InP単一量子ドットからの通信波長帯単一光子放出. 第65回応用物理学会学術講演会. 2004
  4. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. MOCVD法によるInP基板上のInAs量子ドットの形成メカニズムと発光波長制御. 第65回応用物理学関係連合講演会. 2004 招待講演
  5. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹, 宮澤俊之, 高津求, 荒川泰彦. 量子ドットを用いた通信波長帯単一光子光源の開発. 東京大学生産技術研究所公開シンポジウム. 2004 招待講演
  6. SAKUMA, Yoshiki. Controlling Emission Wavelength from InAs Self-Assembled Quantum Dots on InP(001) during MOCVD. QD2004 Conference. 2004
  7. 竹本一矢, 佐久間 芳樹, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. 2段階キャップInAs/InP単一量子ドットからの1.3-1.55μm帯単一励起子発光. 第51回応用物理学関係連合講演会. 2004
  8. 佐久間 芳樹, 竹口 雅樹, 竹本一矢, 廣瀬真一, 臼杵達哉, 横山直樹. MOCVD法によりInP(100)基板上に形成したInAs量子ドットの発光波長制御. 第51回応用物理学関係連合講演会. 2004

その他の文献 TSV

2018
  1. 藤原幹生, 竹本一矢, 南部芳弘, 宮澤俊之, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 萬伸一, 荒川泰彦. 量子ドットを用いた単一光子源と量子暗号通信応用. 光学. 47 [2] (2018) 54-59
2017
  1. Yoshiki Sakuma, Michio Ikezawa, Liao Zhang. Single-Photon Generation from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors. Micro- and Nanophotonic Technologies (WILEY-VCH). (2017) 125-141 10.1002/9783527699940.ch7
2015
  1. 宮澤俊之, 竹本一矢, 南部芳弘, 三木茂人, 山下太郎, 寺井弘高, 藤原幹生, 佐々木雅英, 佐久間 芳樹, 高津求, 山本剛之, 荒川泰彦. 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器. 第33回量子情報技術研究会予稿集. (2015) 14-18
2009
  1. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Electron Holography Observation of AlInGaN/GaN Heterointerfaces. Proceedings of The 9th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy. (2009) 255-256
2008
  1. TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Electron holography observation of AlGaN/GaN and AlInGaN/GaN heterointerfaces. the Activity Report of the JSPS 141st Committee. (2008) 1-3
  2. 佐久間 芳樹. III-V族半藤対中のドーピング原子からエネルギーのそろった単一光子の発生に成功. 電子情報通信学会誌（ニュース欄）. (2008) 70-71
2007
  1. OKUNO, Hanako, TAKEGUCHI, Masaki, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF-STEM. The activity Report of the JS`S 141st Commitee. (2007) TuP-19- TuP-19
2006
  1. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームＣＶＤ法によるＧａＮ立体構造の作製と評価. BULLETIN OF THE JAPAN ELECTRONIC MATERIALS SOCIETY(日本電子材料技術協会会報). 37 (2006) 37-39
2005
  1. NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, YAMAUCHI, Yasushi, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabrication by Focused Ion Beam Assisted Methods. Proceedings of the 10th International Symposium on Advanced Physical Fields. (2005) 123-125

公開特許出願 TSV

  1. 赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置 (2023)
  2. 遷移金属カルコゲナイド層状膜の形成方法およびそのための装置 (2022)
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  4. 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子 (2019)
  5. 半導体製造装置 (2009)
  6. 電子素子 (2009)
  7. 半導体製造装置 (2008)
  8. 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2008)

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